Способ обнаружения неоднородностей и дефектов в диэлектрических материалах

(5)5 6 01 й 22 ЗОБРЕТЕ ЬСТВУ ДНИ ОРСКОМ нного ма- В, К.ДзуАлександра зрушамия, 1979 Изобрете пии диэлектр в частности к метов в опти рическихсред воито соений, гой иче- итещо дят ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(71) Московский институт электрошиностроения(56) Потапов А,И., Игнатов В,М.,ров Ю.В. и др. Технологический нющий контроль пластмасс, Л,: Хис,91, 74,(54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ И ДЕФЕКТОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ. МАТЕ РИАЛАХ(57) Изобретение относится к дефектоскоии диэлектрических изделий и материал ние относится к дефектоско-. ических изделий и материалов, способам обнаружения пред-чески непрозрачных диэлект-ах, например бетоне, грунте и Известен способ микрорадиоволно дефектоскопии. заключающийся в том, ч контролируемому изделию с одной стор устанавливают. сканируемую антенну,. диненную с генератором СВЧ-колеба моделируемых низкой частотой. а с др стороны устанавливают кристаллограф ский СВЧ-детектор, соединенный с усил лем низкочастотных колебаний, изменению сигнала с выхода которого с о наличии посторонних включений. 2в частности к способам обнаружения предметов в оптически непрозрачных диэлектрических средах, например бетоне, грунте и т,д. Целью изобретения является повышение чувствительности эа счет улучшения согласования. Поставленная цель достигается тем, что параллельно поверхности диэлектрического массива располагают плоскую замедляющую систему, в которой возбуждают поверхностную электромагнитную вблну с фазовой скоростью, меньшей скорости света в среде, образующей диэлектрической массив (например, грунт), отраженную от неоднородности часть волны принимают с помощью той же системы, что и первая за медляющая система, на одной с ней оси в направлении распространения электромагнитной волны, 1 ил. Наиболее близким к предлагаемому является способ обнаружения инородного включения в плоском диэлектрическом слое, заключающийся в том, что контролируемый слой облучается с одной стороны плоской электромагнитной волной и с помощью антенны, движущейся в непосредственной близости от диэлектрика, с той же стороны измеряют отраженный сигнал, который резко возрастает над участком с инородным включением.Недостатком известных способов является сильное затухание электромагнитных волн СВЧ-диапазона в материалах с большим тангенсом угла потерь, в частности в грунте, Применение относительно длинных волн затруднено из-за больших размеров антенн, Кроме того, иэ-за большой разницыантенн. Кроме того, из-за большой разницы диэлектрической проницаемости материала контролируемых изделий и воздуха, большая часть энергии электромагнитных колебаний отражается от границы воздух - 5 диэлектрик, что снижает чувствительность известных способов.Цель изобретения - повышение чувствительности за счет улучшения согласования. 10Поставленная цель достигается тем, что облучение электромагнитной волной диэлектрического материала и прием отраженной волны осуществляют с помощью плоской замедляющей системы, располо женной параллельно поверхности диэлектрического материала, путем возбуждения в ней поверхностной волны с замедлением и ( Й где я - относительная диэлект)рическая проницаемость диэлектриче ского материала.На чертеже представлена схема реализации предложенного способа с помощью двух замедляющих систем передающей и принимающей), 25Способ осуществляют следующим образом.От источника электромагнитной энергии с помощью кабеля 6 электромагнитную энергию фиксированной частоты подают на 30 замедляющую систему 1, которую располагают параллельно поверхности диэлектрического массива 2. По оси замедляющей системы 1 и в той же плоскости, но в направлении распространения электромагнитной волны располагают замедляющую систему 4, идентичную замедляющей системе 1 и с помощью кабеля б подают принятую замедляющей системой 4 часть энергии электромагнитной волны, отраженной от неоднородности 3, в измеритель 5 мощности, по показаниям которого судят о наличии и характере неоднородности 3. Формула изобретения Способ обнаружения неоднородностей и дефектов в диэлектрических материалах, заключающийся в оьлучении электромагнитной волной диэлектрического материала, измерении мощности падающей волны, и риеме и измерении мощности отраженной от диэлектрического материала волны, определении отношения мощностей падающей и отраженной волн, по которому судят о наличии неоднородности, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности за счет улучшения согласования, облучение электромагнитной волной диэлектрического материала и прием отраженной волны осуществляют плоской замедляющей системой, расположенной параллельно поверхности диэлектрического материала. путем возбуждения в ней поверхностной волны с замедлением и6; где к , - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического материала,