Патенты с меткой «алмазов»

Номер патента: 645505

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Верещагин, Вольпин, Калашников, Лысанов, Новиков, Фарафонтов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, синтетических

...группы в форме ионного соединения, разлагающегося при температурах 1200-2000 С до свободного металла. Во всех примерах, иллюстрирующих данный способ, .температуры синтеза превышают 1200 С, а отрезки времени, необходимые для проведения процесса, лежат в диапазоне 2-20 мин.Недостаток такого способа. состоит в большой продолжительности процесса . синтеза, который проходит при температурах, лежащих вблизи точек плавления катализаторов для обеспечения их высокой активности при превращении граФита в алмазЦель изобретения - ускорение про-, цесса образования алмаза.Достигается это тем, что в качестве катализатора используют слоистое соединение графита с металлом из 20 группы: железо, никель, кобальт, марганец, хром, а также смеси соединений этих...

Номер патента: 444448

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Дигонский, Друй, Сохор, Сыркин, Уэльский, Фельдгун

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, выращивания

...относится к синтезу алмазов, а именно к синтезу алмазов в метастабильных условиях из газовой фазы, и может быть использовано в химической и станкоинструментальной промышленностях. дИзвестен способ синтеза алмазов при давлении 0,01 - 1,0 мм рт. ст, и температуре 800 в 16 С на затравочных кристаллах алмаза с использованием газообразных источников углерода. 1Однако в известном способе синтеза в качестве источников углерода применяют окись углерода, углеводороды, что делает процесс малоэффективным.Цель изобретения - повысить эффектив ность процесса наращивания алмазов.Это достигается тем, что в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов Ъ - И 11 групп периодической системы элементов или их производные, такие как...

Номер патента: 403242

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Бондаренко, Грехов, Мироненко, Потапов

МПК: B21B 21/00

Метки: алмазов, выращивания

...типа станов относится низкая производительность станов из-за динамических нагрузок, возникающих при перемещении кассеты.Для того, чтобы снизить динамические нагрузки на приводном валу и приблизить величину скорости возвратно-поступательного движения валков к величине скорости, соответствующей ката ющему радиусу ручья, предложенный стан снаб кеп дополнительным кривошипно-шатунным приводом перемещения станины, связанным с крпвошипно-шатунным приводом переме щения кассеты. Кривошипы обоих приводов установлены на одном приводном валу со смещением один относительно другого на 90. Станина 1 поступательно установки кри кривошипу 9 по фазе на чс движению кас Бес станин зом, чтобы пр на вал 11 ра ту инерции по длина хода ст ловия приблии...

Номер патента: 1009743

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Гоов, Джантотаев, Тхагапсоев, Хажуев

МПК: B24D 17/00

Метки: алмазов, вакуумная, головка, раскладки

...нарушение схемы раскладки.1Целью изобретения является пониже;ние производительности труда при из- .готовлении,абразивного инструмента и его качества.Для достижения цели вакуумная головка для раскладки алмазов, содержа бОщая корпус, несущий насадку с отверс 1тиями, выполненными в соответствиисо схемой раскладки, и пневмоцилиидрснабжена блоком, пуансонов, установленным внутри корпуса головки с воэ- б 5 можностью воэвратно-поступательного перемещения.Кроме того, блок пуансонон кинематически,свяэан со штоком пневмоцилиндра.С целью обеспечения требуемой глубины раскладки алмазов в шихте пуансойы могут быть выполнены различной длины.На фиг. 1 изображен общий нид вакуумной головкк для изготовления алмаэных брусков, разрез ", на фиг.2-...

Номер патента: 1097387

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Бернштейн, Вахидов, Казаков, Кастров, Кузнецова, Кушниренко, Лапшина, Лобанов, Наседкин, Нестеров, Оганесов, Петросян, Попов, Рубачев, Уваров

МПК: B07C 5/342

Метки: алмазов, сортировки

...потоком моно- хроматического излучения с последую". щим определением показателя поглоще ния излучения в качестве потока излучения используют поток деполяризованного монохроматического излучения, а показатель поглощения потока излучеНия определяют по следующему соотно щению где 1 - показатель поглощения потокаизлучения;- фотометрическая толщина алмаза;5 - сечение потока излучения;Р - коэффициент, учитывающий потери, на отражением6 - площадь проекции алмаза;Фо - опорный поток излучения;ф в ,рабочий ноток излучения;Устройство для осуществления спосо. ба, содержащее источник монохроматичес кого излучения, на оптической оси кото. рого установлены диафрагма и фотометрическая камера внутри которой размеЭ50 щен фотоэлемент, электрически...

Номер патента: 1110619

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Гоов, Джантотаев, Тхагапсоев, Хажуев

МПК: B24D 17/00

Метки: алмазов, вакуумная, головка, раскладки

...его изготовления.Цель достигается тем, что в вакуумной головке, содержащей корпус с насадкой, имеющей отверстия, и пуансонодержатель, вакуумная камера образована пуансонодержателем и корпусом, который вместе с пуансонодержателем установлен на насадке с возможностью возвратно-поступательного перемещения относительно нее, при этом пуансоны выполнены полыми. 5 10 15 2 О 25 30 35 40 45 Я) 55 На фиг. 1 показано устройство для изготовления, например, алмазных буровых коронок, в исходном положении, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид снизу; на фиг. 3 -- положение пуансонов в момент захвата кристаллов; на фиг. 4то же, в момент укладки кристаллов в шихту буровой коронки; на фиг. 5 - вариант исполнения насадки для укладки кристаллов в...

Номер патента: 1114611

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Казанков, Себов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, продукте, синтеза, содержания

...что в способе определения содержания З 5 алмазов в продукте синтеза, включающем взвешивание продукта синтеза, измерение его объема и расчет содержания алмазов после взвешивания продукта синтеза измеряют его объем, а 40 содержание алмазов рассчитывают по формуле а - пористость продукта синтеза, 7;М" масса посторонних примесейграфитовых шайб, контейнерови др. материалов, г;У - объем продукта синтеза,см;/; - объем посторонних примесейграфитовых шайб, контейнерови др, материалов, см.При статическом синтезе алмазов используется шихта, содержащая граФит и сплав металлов-катализаторов. Смесь загружается в контейнер иэ литографического камня (катлинита). При одном из способов снаряжения контейнера сверху и снизу шихты применя" ются шайбы из...

Номер патента: 1156483

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Протасов, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

...0,510 А/см , дополгнительно облучают алмаз импульсным ультрафиолетовым излучением, регистрируют кинетику затухания фото- проводимости алмаза и определяют время жизни неравновесных носителей заряда, отбирают алмазы с постоянной времени жизни не менее 10 с.-ВСпособ осуществляют следующим образом.Исходный камень алмаза с временными контактами помещают в электрическое поле и облучают рентгеновским излучением. После выключения излучения и снятия электрического поля контакты эакорачивают на входное сопротивление злектромера. После затухания переходных токов производят нагревание с постоянной скоростью и одновременно измеряют величину тока. Фиксируют значение тока в температурных интервалах 400-440 и 460- 500 К. Максимальное значение...

Номер патента: 991836

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

...деполяризации (ТСД). Для этого на исходный камень алмаза наносят электроды, такие же как в известных способах, например из аквадага. Затем алмаз облучают ионизирующим излучением в электрическом поле, а после прекращения облучения и отключения электрического поля образец нагревают и измеряют ток деполяризации, регистрируя зависимость тока от температуры, например, на самописце. Затем выделяют области, связанные с 10 центрами захвата, ответственными за. поляризацию, и оценивают их интенсивность. В связи с тем, что точное определение концентрации требует знания целого ряда параметров алма за, задавать пороговое значение в единицах концентрации затруднительно. Для работы более корректно указать высоту пиков ТСД, определенную при...

Номер патента: 1393609

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Каирова, Кузнецова, Сахтуева

МПК: B24D 3/06

Метки: алмазов, гранулирования

...на алмазныеЗерна порциями шихты и смачивания каждой накатанной порции одним.из двухсвязующих: вакуумньм маслом, раство 1 ом глицерина в спирте. Смачиваниепри этом осуществляется чередованиемукаэанных связующих после накаткичередной порции шихты, а соотношениелицерина в спирте берут в пределах(4: 1)- (2, 5: 1) .При таком сочетании временных свяэующих оболочки получаются прочнымиреэ осыпания шихты, не происходитомкование гранул, а если все-такигранулы комкуются, они легко разбиаются без разрушения оболочки.П р и м е р,Изготавливают гранулыконцентрацией алмазов 50 из алмазовС-З размерностью 800/630 на связке 256-09 (М 1) (медь-олово) . Компонентывзяты в следующих количествах:алмазы1000 карат, шихта-связка 3300 г,Первоначально алмазы...

Номер патента: 1392749

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Бочаров, Кирпиченко, Скорынин, Удовидчик, Черных

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазов, планшайба

...припуска (размеров кристаллов) регулируют упругую силу взаимодействия двух дисков, поворачивая кольца 11 и 12 по окружности в противоположных направлениях, и положение колец 11 и 12 на части 4 фиксируется с помощью крепежных элементов 13. Затем выставляют зазор у между упругими элементами 14 и штырями перемещением секторов 15 20 по окружности и положение упомянутых секторов фиксируется крепежными элементами 16.При врезании увеличивается момент сопротивления ца шпинделе станка. 25 Часть 4 под действием сил инерции поворачивается относительно диска 2, установленного на оправке 1, и мягко воздействует на него через плоские пружины 9 и втулки 8, установленные в отверстиях 7. В результате диску 2 сообщается дополнительная кинематическая...

Номер патента: 1528727

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Артыщенко, Базалий, Богатырева, Букало, Верник, Киришян, Маринич, Митрова, Нерсесян, Тер-Азарян

МПК: C01B 31/06, C25B 1/00

Метки: алмазов, рекуперации

...скоростьрастворения увеличивается. Однако, 40при достижении концентрации 157, поступает замедление скорости растворения металлической составляющей. При проведении электрохимического растворения в растворе азотной кислоты наблюдается образование большего количества мелкодисперсной медной фазы, которая не только замедляет процесс, но вносит загрязнения в алмазный концентрат и требует избежать добавления50 фтористого натрия, ион фтора которого образует растворимые комплексы меди и не препятствует проведению электролиза. Кроме того, мелкодисперсная медь может контактно высаживаться на рекуперированный инструмент.При рекуперации технологического передела проката иэ него изготавливают анод, представляющий собой диск диаметром 100-150 мм и...

Номер патента: 1163517

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Бари, Громаков, Игнатьев, Карпов, Лобанов, Малютина, Орлова, Черечукин

МПК: B01J 3/00

Метки: алмазов, химической

...вкладьппв верхней части, Причем крышка камеры для реактивов и вкладьпп выполненыв верхней части полыми, а нижниеторцы нажимного винта и вкладыша расположены соответственно.в полостяхвкладьппа и крьппки камеры для реактивов.Кроме того, корпус снабжен приводом вращения вокруг вертикальной оси,На фиг,1 изображено предлагаемоеустройство, продольный разрез; нафиг.2 - то же, с приводом вращения.Устройство для химической очисткисостоит из цилиндрического корпуса1, внутри которого размещена реакционная Фторопластовая камера 2, опирающаяся на вставку 3, где установлен,перфорированный фторопластовый стакан 4, закрепленный эксцентрично накрышке 5 камеры 2, выполненной полойв верхней части реакционной камеры2, крьппки 6 корпуса, снабженной...

Номер патента: 1644996

Опубликовано: 30.04.1991

Автор: Истомин

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: алмазов

...этотвзрыв усилен ускорением процесса в тысячураэ, за счет многоцентровой объемной детонации, вызванной ультразвуком; Оболочкакапсулы под воздействием кумулятивноговзрыва сжимается (схлопывается) внутрь сбольшой начальной скоростью, производясжатие предварительно нагретого электрическим током углеродсодержащего сырья.В целях безопасности обслуживающегоперсонала, а также для усиления еще болеевзрывного воздействия. на капсулу стакан13 с его содержимым помещают в емкость18 (фиг. 5), заполненную диэлектрическойжидкостью 19, например минеральным маслом или водой, Жидкость препятствует разлету продуктов взрыва взрывчатоговещества, тем самым усиливая их воздействие. на сжимаемую капсулу (увеличивает,время удеожания давления и температуры);а...

Номер патента: 1658829

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Дональд, Хитер

МПК: G01N 21/17, G01N 21/87

Метки: алмазов, качества, оценки

...5 приспособлен к удержанию алмаза б на пути света от лазера и может менять ориентацию алмаза относительно направления лазерного излучения.До проведения оценки качества неизвестного алмаза желательно определить, имеются ли в алмазе внутренние кристаллические дефекты вроде включений. Такие дефекты необходимо учитывать при оценке качества алмаза.Изобретение может использоваться для оценки как огрэнениых, так и неограненных алмазов. Поэтому данный способ может быть приспособлен к групповому или непрерывному методу отделения алмазов по группам известного качества от алмэзоносного материала.желательно, чтобы элмазы неизвестного качества относились к одному цветовому типу, например белому, желтому, зеленому, кроме того, желательно определять...

Номер патента: 1709929

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Дональд, Хитер

МПК: G01N 21/87

Метки: алмазов, сортировки, типу, цветовому

...источники 1 и 2лазерных излучений 3 и 4, способных создавать рамановское рассеяние излучения 5 оталмаза 6, Каждый источник работает в одноволновом режиме, т.в. в один момент времени испускается излучение только с однойдлиной волны. В данном примере длинаволны лазерного излучения 3 от источника 1может быть изменена, и интенсивность рамановского излучения может быть измерена при двух значениях длины волнпадающего лазерного излучения, Лазер, ис-.пользовавшийся в качестве источника 1,представляет собой аргонно-ионный лазер"Спектра физикс". модель 2020,. способныйсоздавать излучение с длиной волны 488 и514,5 нм. Лазер, использовавшийся в качестве йсточника 2, работает в режиме с однойдлиной волны, т.е; лазерное излучение 4имеет одну...

Номер патента: 1749789

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Специус, Шишков

МПК: G01N 21/64, G01N 21/87

Метки: алмазов, переработки, продуктах, содержания, технологической

...интенсивности рентгеноломинесцейции типа ФЭУ, измеритель 6 величины интенивности рентгенолюминесценции тйпа вольтметра ВК-9.Способ осуществляют следующимобразом.. 2ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖА.МАЗОВ В ПРОДУКТАХ ТЕХНОЛОГОИ ПЕРЕРАБОТКИущность изобретвния: пробу от прохнологической переработки предвао кипятят в соляной кислоте, а держания в ней алмазов произвомулв С 2,54 - 0,3, где Э - интень рвнтгенолюминесценции пробы. При определении содержания алмазов крупностью 0,14-0,2 мм в продукте техноло-гической переработки отбирают пробу продукта, предварительно обрабатывают соляной кислотой, взвешивают и помещают, в кювету 3, последнюю устанавливают напредметный столик 4. Затем включают ис-точник 1 рентгеновского излучения, и послеравномерного...

Номер патента: 1754463

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Бичевой, Сикевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазов, огранки

...3, включающий втулку 4, закрепленную в корпусе-рукоятке 1, содержащуо две конические опорные поверхности, где нижняя коническая поверхность опирается на засыпанные в нее шарики 5, образуя подшипник качения, а на верхней конической поверхности установлены поджатые шайбой б кольцевые секторы 7, образуя подшипник скольжения,Для надежного закрепления полуфабриката в процесса огранки использован прижим 8, установленный нэ ограночной головке 2, включающий корпус 9, в котором на направляющих 10 установлен подпружиненный шток 11 с возможностью перемещения в вертикальной плоскости и вокруг собственной оси, На штоке 11 установлена прижимная планка 12 с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости,Для выставления ограночного...

Номер патента: 1755131

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Езерский, Решетняк

МПК: G01N 21/64

Метки: алмазов, апографитовых, градаций, зерен, импактных, твердости

...желтооранжевой люминесценции (максимум 620 нм) в апограФитовых импактных алмазах и корреляции этих величин с содержанием а них лонсдейлита и твердостью. Установленная взаимосвязь обусловлена йзвестной в физике зависимостью спектроскопических параметров от степени дефектности кристаллической решетки, которая, в свою очередь, существенно определяет физико. механические свойства кристалла, в том числе и твердость. Число градаций, на которые могут быть разбрзкованы алмазы, зависит от поставленной задачи.В табл.1 представлены данные, связывающие параметр К с градациями твердости 20 25 30 35 40 45 50 55 импактных алмазов, построенные нами для случая их разделения по твердости на три градации - высокая ( 92 ГПА), средняя (92- 86 ГПА),...

Номер патента: 1756806

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Бреусов, Кашкаров, Таций, Фисенко

МПК: G01N 21/71

Метки: алмазов, высоких, давлениях, диагностики, полученных, порошков

...Воз- емому способу, диагностику генезиса алмаможен очень трудоемкий расчетна микро- зов осуществляют при величине отношениядля алмазов разного генезиса состоит в том, кривой ТЛ соответственно в двух интервачто в зависимости от условий синтеза алма-лах температур: при 110-230 С и при 230- зов их дефектно-структурные параметры 350 С. Затем вычисляют отношение различаются: чем более кратковременен К 1"11/12, величина которого и определяет процесс образования алмазов (взрывной, тип генезиса данного алмаза: для алмазов, динамический), тем более разупорядочена 5 образованных в детонационных процессах структура кристалла алмазов, Обнаружен-К)1,8, в статических процессах К0,3 и в ная зависимость интенсивности ТЛ-свече- ударно-волновых процессах...

Номер патента: 1763633

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Лебедев, Устюгов

МПК: E21B 10/48

Метки: алмазов, коронке, распределения

...на чертеже,Здесь показан рабочий торец коронки,ограниченный внутренней окружностью 1кернообразующего отверстия и наружной 2,образующей периферию коронки, Вся поверхность, ограниченная окружностью 3,включая площадь кернообразующего отверстия, разбита на кольцевые зоны равнойширины соответственно диаметру алмазного зерна, точнее ширине зоны разрушения,оставляемой на забое. Зоны- Х расположены на условной поверхности отверстия.Зоны Х - ХИ на реальной рабочей поверхности коронки.Способ распределения алмазов на коронке состоит в следующем. Задаются числом зерен в центральной зоне 1, Например,это число принято равным одному зерну 21.Тогда в соседней зонепо закону ряданечетных чисел должно быть равно тремзернам, в следующей зоне- пяти и т. д.В...

Номер патента: 1764978

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Кочнов, Ревве, Слепов, Стихов, Субботин

МПК: B24B 9/16, B24C 3/08

Метки: алмазов, овализации

...проходя по трубопроводу 15, клапану 16, выходному 17 и входному 18 патрубкам, попадает под давлением в сопло 10 инжектора.При прохождении сжатого воздуха через сопло 10 частицы алмаза 27 за счет инжекции, возникающей в инжекционной трубке 9 инжектора, сначала затягиваются в нее из загрузочной камеры.11, а затем попадают в вертикальную разгоннуютрубку 8, где подхватываются скоростным потоком воздуха и, вылетая из ее выходного конца 28, попадают по касательной в канал 26 на внутренней поверхности формообразующего элемента 4. Попадая в канал 26 формообразующего элемента 4, частицы алмаза 27 направленно проходят по всей длине канала и выходя из него ссыпаются в загрузочную камеру 11, откуда вновь затягиваются в инжекционную трубку 9, и...

Номер патента: 1775357

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Воронов, Кауров, Пименов, Рахманина

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, поликристаллических

...до 1800 С, выдерживают 100 с (или 1000 С и 1000 с). Получают алмазный компакт диаметром 16 мм, высотой 12 мм (или диаметром 28 ммвысотой 5 мм), сопротивлением более 10Ом см(или 10 Ом см), золькостью менее 0,01 мас.%, прочностью 5,5 ГПа (или 4,0 ГПа), термопрочностью - без изменений до 1200 С, теплопроводностью 600 Вт/(м град) (или 450 Вт/(м град,Из алмазных поликристаллических заготовок с помощью лазера нарезают элементы заданной формы и размеров, например треугольные призмы, кубы, параллелепипеды, цилиндры, иглы и заделывают их в металлокерамическую матрицу бурового инструмента путем нагрева бездоступа кислорода до 1150 С, Обрезки дро 5 бят до получения шлифпорошка с размеромзерна до 2,5 мм, который используют в импрегнированных...

Номер патента: 1788911

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Бугров, Захаров, Чепрунов

МПК: B01J 3/08

Метки: алмазов, лазерного, синтеза

...устойчивого существования алмазной фазы. Диаметр пятна облучения превосходит в 2 - 3 раза толщину пластины для уменьшения влияния боковой разгрузки на процесс синтеза и обеспечения плоского фронта ударной волны. Размеры пластины превышают диаметр пятна облучения для предотвращения разрушения мишени и уменьшения потерь энергии отлазера. Взаимодействие излучения с веществом пластины приводит к интенсивному испарению поверхностного слоя (порядка нескольких мкм) и в результате образуется разлетающийся плазменный факел, а в материале преграды формируется и распространяется внутрь ударная волна, давление и температура за фронтом которой быстро (0,1 нс) достигают требуемых для синтеза значений (см. чертеж). На чертеже приведена фазовая...

Номер патента: 1792915

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Брыляков, Губаревич, Овчаренко, Сатаев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, водных, выделения, суспензий, ультрадисперсных, устойчивых

...алмаза концентраций0,1%, подвергают обработке при 81 - 190 С под давлением 49 - 1200 кПа в течение 5-15 мин. За указанное время происходит полная коагуляция ультрадисперсных частиц алмаза, в то время как время коагуляции в известном способе составляет 57600 мин. через стенки сосуда о гревателя. Время кип момента устойчивого Эффективность обрабо ветлению исходной су ботки и отстаивания в осветления определяю где Чж - объем осветленной жидкости после 2 часов отстаивания,Чс - обьем суспензии до обработки.Температура 81 - 190 С способствует снижению вязкости дисперсионной воды, увеличивает вероятность столкновения твердых частиц, снижает количество адсорбированных полярных групп, препятствующих сближению частиц. Все это приводит к1792915...

Номер патента: 1794888

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Брулева, Брыляков, Губаревич, Димидова, Ладонина, Павлов, Сатаев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, ультрадисперсных

...кислота 16,5-30,0; серная кислота остальное, при массовом соотношении влажная шихта:серноазотная смесь, равном 1:(10-17), 2 табл. и солей и сушат, Качество очистки определяют известными методами.Примеры проведения процесса при других режимах приведены в табл.1.П р и м е р 2. К 50 г влажной шихты (35 г воды, 6,6 г алмаза, 7,5 г окисляемых форм углерода, 0,9 г металлических примесей) приливают концентрированной серной кислоты 252 мл и к полученной смеси добавляют 57 мл конц.НИОз, не допуская разогрева смеси выше 50 С. Суспензию тщательно перемешивают и проводят окисление при нагревании в периодическом или непрерывном режиме при температуре 220-250 С. Осадок УДА отделяют от кислот и солей и сушат. Качество очистки определяют известными...

Номер патента: 972786

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Воронов, Костиков, Лисовский, Нагорный, Романов, Хлыбов, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, синтеза

...соединений сБР -связями соединяются непосредственно в реретку совершенного термодинамически стабильного графита, минуя стадию кокса и промежуточноеэнергетическое состояние, свойственное техническому графиту, В такомпроцессе не требуется применениесплава-катализатора.Фронт алмазсодержащей зоны движет ся от более нагретых к менее нагретым частям камеры. Бсли по мере деструкции молекул давление в камере удается поддерживать выше критического значения по кривой термодинами ческого равновесия, то превращение будет полным, В противном случае падение Р приводит к тому, что термодинамически устойчивой окажется решетка графита и дальнейшая деструк О ция будет сопровождаться графитацией исходного сырья.На чертеже показан общий вид...

Номер патента: 1533221

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Бабаев, Варфоломеева, Гусева, Евсюков, Коршак, Кудрявцев, Хвостов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов

...и упрощение процесса их получения. Способ получения алмазов осуществляют путем воздействия высокого давления при нагреве до 1400-1700 С в области стаИип - ности алмаза на ос -карбин в аморфной форме с содержанием углерода 99,0 99,9 мас,%, Выход алмаза 30-99,9%. Упрощение процесса осуществляется эа счет исключения операций приготовления металлов - катализаторов и ихф смешивание с углеродыым материалом. ид , на сборку воздействуя давлением 80 кбар при 1400 фС с выдержкой 30 с. После снятия давления и охлаждения полученного продукта извлекают алмазы размером 10-30 мкм с содержанием примесей менее О, 1 мас.%. Выход алмазов 30 нас.%.П р и м е р 2. Исходный материал и способ загрузки камеры высокого давления аналогично примеру 1. Наборку...

Номер патента: 1345581

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Воронов, Жулин, Рахманина, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, легированных, синтеза

...11 д".)узк ртеМест цд г;.от )1,)) )0 ( ),;,1)ц )ргт эт )Й .И ):г",)стг Ие 3( ., зз - тем ;. Гт)е 1 1; эр; Ид 1)т и и )цс е ц ; д оз и, : г) ( 1) ц) 11 роукт, и ц");нный тсц ре кццоццой ячейки, пр.пст;нляет собой дцмдэы и нцп- отдельных прозрацнх мэцоКРИСта)1 ЛОБ ОК ДЗПРЦЧ.КО 0 И 1 ГЗ.ТИЦ чдтоа типов размером по 180 мкм, а также в нцпе двоИцк)Е Е сростков, 13 се д)меэные крис гдгтль ямеот;)Пццдкоеую че:е бледную желтую Окрд ку, Рыход и.;з) 93) м;с.," От )л;с:ы СХ)ДЦО О;1 Д сЭ РИ 1111 ТД)ЛЕТН1)Т3ц) те д.тлг лов 35 Г 1 Г; 1. 11)ст 1. (3,Мдс 7.; "тлкроттерл)стт. (О 1-О)";10 кс, мм, 1 с 1 Иое эцектрсопро 1 с ТИНЕИИЕ аЛМЛЭ)Н С)стсцля1( ОМ СМП. Диным .ПЕ коцдецтрдцця цдрдмдг)Г:1 Р О Д ОД Н 1 ЛМДЗДХ СоТсВЛ ЛЕТ 1, 1 ,)т.м З, Примесей и...

Номер патента: 1231803

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Воронов, Костиков, Лисовский, Нагорный, Рахманина, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, синтеза

...ул.Гагарина, 10 Изобретение относится к способам получения синтетических алмазов и может бытьиспользовано в абразивной промышленности,Цель - увеличение выхода алмазов,П р и м е р 1, Порошок графита маркиМГОСЧ смешивают с 9 мас. дифенила,содержащего 94,74 мас,ф углерода, в вибросмесителе в течение 15 мин, Затем изсмеси прессуют таблетки диаметром 4,5 мми высотой 3,8 мм с плотностью 1,59 г/см,зпомещают их в графитовый нагреватель,Сверху и снизу таблетки из смеси располагают таблетки из литографского камня и графита. Сборку помещают в камеру высокогодавления типа "тороид" с диаметром лунки15 мм и создают давление 90 кбар. Припостоянной нагрузке пресса смесь нагревают до 1800 С с выдержкой 5 с,В результате получают заготовку из алмаза...