Чепрунов

Номер патента: 1788911

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Бугров, Захаров, Чепрунов

МПК: B01J 3/08

Метки: алмазов, лазерного, синтеза

...устойчивого существования алмазной фазы. Диаметр пятна облучения превосходит в 2 - 3 раза толщину пластины для уменьшения влияния боковой разгрузки на процесс синтеза и обеспечения плоского фронта ударной волны. Размеры пластины превышают диаметр пятна облучения для предотвращения разрушения мишени и уменьшения потерь энергии отлазера. Взаимодействие излучения с веществом пластины приводит к интенсивному испарению поверхностного слоя (порядка нескольких мкм) и в результате образуется разлетающийся плазменный факел, а в материале преграды формируется и распространяется внутрь ударная волна, давление и температура за фронтом которой быстро (0,1 нс) достигают требуемых для синтеза значений (см. чертеж). На чертеже приведена фазовая...