Способ выращивания алмазов

Номер патента: 444448

Авторы: Дигонский, Друй, Сохор, Сыркин, Уэльский, Фельдгун

ZIP архив

Текст

и)444448 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 30,08.7 51) М Кл.зС 01 В 31/06 с присоединением заявкиГосударственный комитет СССР) СПОСОБ ВЫРАЩИВАН МАЗ тула изобретен Способ выращивании 0,01 - 1,0 мм рт.1600 С па затраво и с использованием г углерода, о т л и ч а целью повышения э в качестве источшп кароонилы перех ч 111 групп Периодп тов плп их пропзвод ния алмазов при давлест. и температуре 800 - ых кристаллах алмаза азообразпых источников ющппся тем, что, с ффективности процесса, а углерода используют одных металлов ческой системы элемен Изобретение относится к синтезу алмазов, а именно к синтезу алмазов в метастабильных условиях из газовой фазы, и может быть использовано в химической и станкоинструментальной промышленностях. дИзвестен способ синтеза алмазов при давлении 0,01 - 1,0 мм рт. ст, и температуре 800 в 16 С на затравочных кристаллах алмаза с использованием газообразных источников углерода. 1Однако в известном способе синтеза в качестве источников углерода применяют окись углерода, углеводороды, что делает процесс малоэффективным.Цель изобретения - повысить эффектив ность процесса наращивания алмазов.Это достигается тем, что в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов Ъ - И 11 групп периодической системы элементов или их производные, такие как Сг (СО) е, Мо (СО)Ге(СО); и т. д.Предлагаемый способ осуществляют, например, синтезом в аппарате из молпбденового стекла диаметром 90 мм с электронагревателем из графита, на который помещают лодочку из молибденовой фольги, содержащую 1 карат естественных кристаллов с размером зерен 160 мк.Под нагревателем располагают тигель с карбонилом рения в количестве 0,1 г. Аппарат продувают в течение 5 мин аргоном, затем создают вакуум 10 -мм рт. ст., после чего включают электронагреватель, температуру которого поднимают до -1000 С, В это время температура алмазных зерен близка к 800 С. За 10 ч привес алмаза составит 0,0001 г,

Смотреть

Заявка

1695248, 30.08.1971

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4236

ДИГОНСКИЙ В. В, ДРУЙ М. С, СОХОР М. И, СЫРКИН В. Г, ФЕЛЬДГУН Л. И, УЭЛЬСКИЙ А. А

МПК / Метки

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, выращивания

Опубликовано: 23.12.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-444448-sposob-vyrashhivaniya-almazov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания алмазов</a>

Похожие патенты