Архив за 1988 год

Номер патента: 1436031

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Иосебашвили, Маградзе, Чаруев, Шуглиашвили

МПК: G01N 21/81

Метки: влагомер

...работой аналогового ключа 20, предназначенного для пропускания импульсов, соответствующих эталонной длине волны (в дальнейшем - 5 эталонный импульс), а также управляющие через инвертор 18 работой аналогового ключа 21, предназначенного для пропускания импульсов, соответствующих рабочей длине волны (в дальнейшем рабочий импульс) .Пиковые детекторы 24 и 25 преобразуют эталонный и рабочий импульсы в аналоговые напряжения 1 и РАБ, которые поступают на блок 28 обра ботки и индикации, АЦП 29 и 30 преобразуются в цифровой вид и после деления одного на другое блоком 31 деления результат выдается блокоМ 32 индикации. Последний показывает ре-ЗОПЯО 6зультат деления -Цэт Влагомер работает нормально, если на выходе пикового детектора 24 есть35 1...

Номер патента: 1436032

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бачек, Пац, Сопрунюк

МПК: G01J 1/44, G01N 21/85

Метки: концентраций

...импульса напряжение на выходе устройства 13 выборки и хранения, поступающее на первый вход компаратора 16, запоминается и хранится до момента прихода импульса со схемы 4 установки нуля.Прошедший через исследуемое вещество 12 световой поток принимается приемником 14 измерительного светового потока, который преобразует его в ток, а усилитель 15 - измерительный - . в напряжение, поступающее на второй вход компаратора 16, В момент ранен - ства напряжений на обоих входах ком" паратора 16 на его выходе формируется логический нуль, поступающий на вход элемента И 2 и запрещающий прохождение импульсов с генератора 1 импульсов. После этого в измерителе 6 отношений происходит вычисление значения;концентрации, с использованием значений цифровых...

Номер патента: 1436033

Опубликовано: 07.11.1988

Автор: Искин

МПК: G01N 22/00

Метки: использованием, исследования, микроволн, микроорганизмов

...покрыт тонким металлическимслоем 4, характеризующимся конечнымкоэффициентом отражения. 20Толщину й тонкого металлическогослоя 4 выбирают из условия 064где 8 - ксин-слой в материале тонкойметаллической пленки,Устройство для исследования микроорганизмов с использованием микроволнработает следующим образом.КВЧ-поле, распространяясь вдольдиэлектрического стержня 1, проника,ет в биологическую среду 3 через тснкую металлическую пленку 4.Мощность КВЧ-поля вдоль диэлектрического стержня 1 меняется по закону-ог. кР=Р, еИзлучаемая мощность Ри на единицу длины диэлектрического стержня 1определяется изменением мощности внем где х - координата вдоль диэлектрического стержня 1,Для того, чтобы Р, вдоль диэлектрического стержня изменялась...

Номер патента: 1436034

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Ершов, Красильников, Лозовой, Лосев, Морговский, Пеликс, Хакимьянов

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектоскоп, рентгеновский, самоходный

...элемента памяти соединены с входами указанных логических блоков и блока 13 (с прямого выхода), а также с входом другого элемента памяти (с инверсного выхода), выходы которого соединены с входами. первого, элемента памяти (с инверсного выхода) и указанных логических блоков,43603а также логического блока 14 (с прямого выхода).Устройство содержит также промежуточные элементы 15 и 16 памяти и од 5новибратор 17. Элементы памяти ны -полнены на базе 7 К-триггера и имеютинформационные входы 18 и 19, импульс.ный вход 20, входной элемент 21, элемент 22 з адержки, триггер 23, элемент 24 задержки, прямой выход 25,инверсный выход 26. Все логическиеблоки выполнены по схеме 2 И-НЕ.Выход логического блока 10 соединен синформационными входами первого...

Номер патента: 1436035

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бельтек, Охрименко

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, дифрактометра, монокристаллов, рентгеновского

...4. Это достигается при юстировке дифрактометрас помощью контрольного слитка монокристалла. Затем на держатель помещают слиток монокристалла 16,(фиг.2 и 31. Слиток монокристалла 16касается своей образующей фрикционныхроликов 4, образующая которых соэпадает с осью рентгеногониометра. Одновременно слиток монокристалла 16 давит на колеса 15 и посредством связей колесо 15 - ось 11 - рычаг 10,13 заставляет рычаги 1 О и .33 повернуться вокруг вала 2. В то же время, при повороте рычагов 10 и 13 вокруг ала 2, рычаги 12 и 14 поворачиваются вокруг осей 9 и опускаются вдоль оси 3 посредством связей рычаги 12 и 14 - ось 9 - упор 5 - ось 3. В то же время пружина б, которая подпружинивает упор 5, препятствует движению рычагов 12 и 14 вниз, что, в...

Номер патента: 1436036

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Абовьян, Акопян, Безирганян, Григорьян

МПК: G01N 23/20

Метки: параметров, поликристаллических, решетки

...поглощения рентгеновских лучей веществом, Естественная энергетическая ширина К-уровня главного края поглощения некоторых элементов, материалы из.которых могут быть использованы в качестве поглотителя (например, элементы с атомным номером Е 24), составляет несколько электронвольт,При дифракции соответствующее уг" ловуе разрешение составляет порядка 10 рад. Искажения углового положения провала интенсивности.на дифрагированном фоне, обусловленные геометричес-кими параметрами для конкретной рентгенооптической схемы (как и в обычных случаях регистрации детектором или фотометодом), могут быть учтены и занижены практически до уровня рсходимости падающего излучения (10-10 рад), Использование в качестверегистрирующего элемента...

Номер патента: 1436037

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Алиджанов, Комолов

МПК: G01N 23/22

Метки: поверхности, структуры, твердого, тела, электронной

...получалась картина, отображающая зависимость интенсивности максимума ПТ (на которой была произведена предварительная настройка) от направления падения первичного электронного пучка, т,е. картина фигур эжвиинтенсивности. На фиг.З представлена характерная фигура эквиинтенсивности, полученная для исследуемого монокристапла никеля. Приведенная фигура обладает симметрией квадрата. Для гранецентрированной кубической рещетки симметрией квадратахарактеризуется плоскость (100), следовательно исследуемьй монокристапл имеет ориентацию (100). Формула из обретения Способ определения электронной структуры поверхности твердого тела, медленных электронов, изменение энергии электронов пучка, регистрацию тока в це" пи образца, нахождение спектральной...

Номер патента: 1436038

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Фролов, Чижик

МПК: G01N 24/08

Метки: анализа, вещества, количественного

...всекциях 3 и 4.Одновременно с вторым радиоимпульсом И 2 вырабатывается импульс неоднородного магнитного поля Н 1 с помощьюкатушки 8. Всли градиент магнитногополя достаточно велик, сигналы ЯМРат образца, расположенного в областинеоднородного магнитного поля, наблюдать невозможна, так как постояннаявремени затухания этого сигнала Тмажет быть сделана весьма малой придостаточном градиенте поля сигнала свободной индукции (ССИ)от эталонного и исследуемого образцов, а после второго радиоимпульса И 2- сигнал только от образца 3 датчика ЯМР, где градиент магнитного поля, создаваемого катушкой 8, практически отсутствуетПоскольку начальная амплитуда ССИ является мерой количества ядер в образце, по соотношению амплитуд сигналов от эталона и образца...

Номер патента: 1436039

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Данилов, Крутских, Рубашев, Смирнов, Фролов

МПК: G01N 24/08

Метки: интроскопии, магнитно-резонансной

...импульсов высокочастотного поля, наложения переменного неоднородного магнитного. поля,последующего синхронного детектирования и усреднения сигнапа спиновой индукции и изменения неоднородного переменного магнитного поля.Эксперимент осуществляют на спектрометре ЯМР в промежуточных полях,модифицированном с целью получения:возможности наблюдения импульсныхсигналов ЯМР и локализации области,от которой регистрируются сигнал ЯМР.1Измерительная система состоит иэспектрометр а ЯМР, р або тающего начастоте 300 кГц, блока высокочастотных импульсов, блока управления пере, менным неоднородным полем и катушек1одля получения переменного неоднородного поля, имеющего градиент вдольодной из координатных осеи, используют пары симметричных катушек,...

Номер патента: 1436040

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Решетников, Хомяков

МПК: G01N 25/00

Метки: активности, вещества, окислительной

...в виде кривой,отражающей зависимость скорости поглощения кислорода от времени Г нахождения образца в ячейке. На основанииэкспериментальной кривой строится зависимость скорости превращения образца ЙУЙ., от степени превращения с,Для описания процесса окисленияполимера используется уравнение Аррениуса 45и Е д о= К (1 - Г.) ехр(- ) КТрах, Сохраняя для них значение (1-Е)постоянным, строят зависимость1 пЯЕ/ЙЗ) от обратной температуры ипо наклону полученной прямой вычисляют энергию активации, а по отрезку, отсекаемому по оси ординат находят предэкспоненциальный множитель.На чертеже приведено устройстводля реализации способа.Устройство содержит баллоны 1 сосжатыми кислородом и гелием. Для регулировки и контроля за расходомгазов служат...

Номер патента: 1436041

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Кашкай, Мамедов

МПК: G01N 25/02

Метки: анализа, дифференциально-термического, кашкай

...фазовый анализ сырья или продукта.Целью изобретения является повьг шение точности анализа и расширение области применения. Способ осуществляют следующим образом.Предварительно, до начала нагрева, исследуемое вещество диспергиру ют в заданной среде, например в газе , или жидкости, путем распыления, эмуль.20 , гирования и т.д. При этом, может бытьподобрана либо термоинертная среда,не взаимодействующая с исследуемымвеществом, либо термоактивйая, непосредственно участвующая в реакциях, 25В качестве исследуемого может бытьиспользовано любое вещество, поддающееся диспергированию, например порошкообразные твердые вещества, жидкости или их смеси. 30Создают направленный поток дисперс.ной системы через зону нагрева и осу"ществляют программируемый...

Номер патента: 1436042

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Годун, Дадашев, Забродин, Кривулец, Петров, Тимофеев

МПК: G01N 25/02

Метки: веществ, стойкости, термической

...Давление в реакционных стаканах7 и 8 измеряется компенсационным методом за счет формирования пилообразного давления в компенсационной ли-нии 22.Генератор 36 переменного давлениясоздает вакуум в компенсационной линии 22 до тех пор, пока не зафиксируется замыкание на корпус 13 контактов 14 и 15 через мембраны 11 и 12.При этом входы блока 39 управления,соответствующие установленным в ячейки 3 и 4 термостата 1 преобразователей 5 и 6 давленияподсоединены через фиксаторы 23 и 24, штуцеры 16 и 17 и контакты 14 и 15 на корпус 13, т.е. на этих входах присутствует сиг з 14360 нал логического "0", На вход блока 39 управления, соответствующий неустановленному в ячейку 2 преобразователю давления, подается сигнал логического 0 с формирователя 40...

Номер патента: 1436043

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Кузнецова, Ясин

МПК: G01N 25/18

Метки: строительных, теплофизических, характеристик

...который обусловлен тем, чтопри нагревании рассматриваемой средыизменение количества криофазы будетпроисходить только за счет плавления .кристаллогидратов, что отображено соответствующими ломаными линиями, и .при Т будет происходить таяние чискотого льда. Если темнература образцаво время опыта будет изменяться в пре -пределах от исходной до ближайшей более высокой эвтектической, но не0434тель 10 и распределитель 6, и о электрическом параметре, поступающем.последовательно от датчика-электродов1, регистратора 4, согласователя 5 ираспределителя 6, фиксируют значениеэлектрического параметра и температуры при исходном влагосодержании об-,разца,По результатам этих измерений дляобласти положительных температур...

Номер патента: 1436044

Опубликовано: 07.11.1988

Автор: Гомельский

МПК: G01N 25/50

Метки: влагомер, теплоимпульсный

...в мостовую схему, источник 4 питания постоянного тока, элемент 5 сравнения, первый ключ б,устройство 7 управления, генератор 8 импульсов, второей ключ 9, первый 10 и второй 1 счетчики, цифроаналоговый преобразователь 12, резисторы 13 и 14 и цифровой индикатор 15.Влагомер работает следующим обраТермоизлучатель 1 выдерживают определенное время в контакте с материалом, затем на мостовую схему подают напряжение источника 4 питания элемент 5 сравнения отпирает первый ключ 6, через который импульсы генератора проходят на счетчики, Сигнал с первого счетчика 10 поступает на цифроаналоговый преобразователь 12, выходное напряжение которого балансирует мост, что приводит к срабатыванию устройства управления, разрешающий сигнал которого...

Номер патента: 1436045

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бурдунин, Исаев, Кирсанов, Комендантов, Кузма-Кичта

МПК: G01N 25/56

Метки: влагосодержания, парокапельного, потока

...области теплообмеЙа, например, при массовой скоростиы= 300 кг/м с, давлении Р = 5 МПа,тепловой нагрузке= 5 10 Вт/и . 25Измеряют амплитуду сигнала чувствилтельного элемента во времени 1)при пропускании по нему тока, например, 50 мА.При взаимодействии капель жидкости с чувствительным элементом изменяется его температура в зависимостиот диаметра и скорости движения ка"пель. В случае поддержания постоянного тока в цепи сигнал чувствительного элемента уменьшается и затемвосстанавливается до начального значения. Если чувствительный элементНагрет до температуры, меньшей температуры прекращения пленочного кипе"ния Т , то капля жидкости смачива 40ет его и .на кривой П(7) появляетсяучасток, соответствующий испарениюпленки жидкости. Затем...

Номер патента: 1436046

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Батраченко, Войтехович, Соколов

МПК: G01N 27/02

Метки: влажности, древесины

...пиломатериалов 9 и О штабеля (фиг. 3). Ручками 8 осуществляется поворот приводных валиков 5 в разные стороны ивместе с ними толкателей 6. Последние, поворачиваясь, упираются в нижний ряд пиломатериала 9 вызывая перемещение игл-электродов 4 по направлению к верхнему ряду О, Далее поворот толкателей првиодит к вдавливанию игл в исследуемый участок пиломатериала верхнего ряда О. Чем боль ше угол поворота приводных ручек 8,а с ними и эксцентриков-толкателейб, тем глубже виедряются иглы-электроды 4 в древесину. Вдавливание на. полную глубину, требуемое для выполнения измерения, обеспечивается поворотом толкателей 6 в положение, показанное на фиг, 4.Извлечение игл-электродов из древесины осуществляется поворотом ручек 8 приводных валиков...

Номер патента: 1436047

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Васнев, Каймаков, Латыпов, Орлов

МПК: G01N 27/16

Метки: взрывозащищенный, газового, датчик, термохимический

...гасящее расстояние зависит от давления и температурь смеси, при выборе значений определяюшего размера полости учитывают максимальные значения температуры и давления среды, контролируемой датчиком, а также коэффициент безопасности. Для обеспечения нормальной работы термоэлемента размеры полости выбирают такие, чтобы расстояние между термоэлементом и внутренней поверхностью полости было не менее толщины диффузионного пограничного слоя д, в котором реализуется градиент концентраций, существующий на поверхности термоэлемента и в объеме среды, и происходит основная часть изменения температуры между поверхностью термоэлемента и средой. Толщина диффузионного слоя зависит от формы и размеров термоэлемента и ее определяют расчетным путем,...

Номер патента: 1436048

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Рабинович, Семенов, Соболев

МПК: G01N 27/20

Метки: качества, металлических, поверхности, пресс, прокладок

...загрязненияпрактически не зависит (или зависитоцень слабо) от усилия прижима. Ско"рость спада зависимости КУ) зависит35от размера электрода и толщины диагностируемого загрязнения. Это позво"ляет выбрать такие размеры электродаи такие усилия прижима, при которых4 Олегко обнаруживать и различать тонко- и толстослойные загрязнения ипроизводить разбраковку изделий,сравнивая результатыизмерений сопротивлений при двух или более усиливайях прижима нормированной величины.Величины усилий выбирают исходяиз размера электрода и толщины диагностируемых изделий. Поскольку при".жим электрода может частично разрушить тонкопленочное загрязнение,первое усилие выбирают исходя из минимальной толщины загрязнения, апоследнее - из максимальной,П...

Номер патента: 1436049

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Голиков, Меньшиков, Москвин

МПК: G01N 27/30

Метки: бромид-ионов, ионоселективный, электрод

...г бромида серебра, О, 1600 г сульфидасеребраи 0,1400 г сульфида мьппьяка.Слитки разрезают на плоскопаралдельные мембраны толщиной 1-3 мм.Одну иэ сторон мембраны полируют напасте Гои, а другую шлифуют абразивным порошком. На шлифованную сторону мембраны методом электротермического испарения в вакууме напыляютслой серебра, к которому контактоломприклеивают серебрянный токоотвод,Контактол представляет собой гомоге"низированную суспензию ультрамикродисперсного серебра в циклогексаноне.После испарения циклогексанона серебряный токоотвод Фиксируют пленкойэпоксидного компаунда.1На чертеже изображен бромидселективный электрод с внутренним твердымтокоотводом, общий.вид,Электрод содержит мембрану 1, слой2 серебра, контактол 3,...

Номер патента: 1436050

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Громова, Жилова, Кокарев, Колесников

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, ионоселективного, концентрации, мембраны, ртути, электрода

...элемечта и расширение рабочего диапазона рН.Электродоактивный элемент Ня О получают термическим разложением водного раствора, содержащего 50-75 г/л НЯ(МО) . 1/2 НО, нанесенного на титановую основу при 300-350 С.Область исследованных концентраций ртути составляет 10 -10 г-ион/л, Температура растворов во всех опытахо25 С. Результаты представлены в табл. 1. Из табл. 1 видно, что зависимость потенциала (Е) ионоселективного электрода из Н 80 от концентрации ионов ртути (Сэ 1 в исследуемых раство рах во всем излучаемом диапазоне концентраций линейная с угловым коэффициентом, равным 30 при изменении на порядок концентрации ртути в растворах. заКоэффициенты селективности электрода по отношению к ряду катионов приведены в табл. 2,Для...

Номер патента: 1436051

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Жедь, Михеев

МПК: G01N 27/46

Метки: граничных, оценки, слоев, смазочных, стойкости

...валиков машины тренияАльмен-Виланд и рабочих электродовв испытуемых гидрожидкостях произ"водят при 75 С в течение 30 мин,Результаты испытаний по известными предлагаемому способам приведеныв табл. 1.Из приведенных данных видно, чтонаблюдается полная корреляция междурезультатами испытаний сравниваемыхспособов, т.е. чем больше разностьзначений Е металлической поверхности, обусловленная интенсивностью взаимодействия с ней испытуемого смазочного иатериала, тем более эффективныего стойкость и защитные свойства.П р и м е р 2. Практическое применение способа поясняется на примере оценки стойкости граничногосмазочного слоя глубокоочищенногодистиллята из балаханской нефти сразличной концентрацией противоизносной присадки: образец 1 -...

Номер патента: 1436052

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Артемьева, Буренко

МПК: G01N 27/48

Метки: воздухе, карбонила, никеля

...в 10%-ной серной кислоте и высушенного в течение 2 ч при 180 С,Время отбора пробы составляет 25 мин(время отбора пробы по известному 4 Оспособу равно 50 мин). По окончанииотбора сорбент извлекают из сорбционной трубки, помещают,в пробирку, заливают 5 мп раствора, полученногорастворением 1 г сульфата аммония и 4510 г сульфита натрия в 100 мя воды,и нагревают на кипящей водяной банедо полного обесцвечивания. Растворохлаждают, отстаивают и отбирают пробу в количестве 3,5 мл. К пробе добавляют 257-ный раствор аммиака дорН 9,0-9,4, О, 1 мл аммиачного раствора диметипглиоксима до концентрации5 10 мас.7. и воду до 10 мл.Полученный раствор помещают в полярографическую ячейку и полярографируют в режиме переменно-токовой полярографии по...

Номер патента: 1436053

Опубликовано: 07.11.1988

Автор: Попов

МПК: G01N 27/82

Метки: механических, объектов, реализации, свойств, ферромагнитных

...вязкости КСЧ =3,0 кгсм/см (правая линия интервалаопри Т = 500 С) . Сигналы третьей гармоники также могут находиться в про 55извольном положении интервала (То,500 - 630 С), обозначенного Ч. Вместе с э"гим, поведение амплитуд первойи третьей гармоник для каждой кон 53кретной детали взаимосвязано, т.е.амплитуде первой гармоники всегдасоответствует вполне определеннаяамплитуда третьей. Поэтому местоположения сигналов гармоник деталейс конкретными механическими свойствами в интервалах Ч и Ч строго обус 3ловлены.Следовательно, если .регистрироватьамплитуду первой гармоники при условии, что не будет регистрироватьсяамплитуда третьей (при установленныхуровнях селекции), то есть основаниеутверждать, что полоса амплитуд первой гармоники...

Номер патента: 1436054

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Брандорф, Вакуленко, Денисов, Сясько

МПК: G01N 27/02

Метки: неразрушающего

...установленную с воэможностью перемещения вдоль направляющей 2, и привод 5 каретки 3. Направляющая 2 представляет собой листовую рессору 6, вдоль боко- щ вой поверхности которой закреплены зубчатая рейка 7, взаимодействующая посредством зубчатого колеса 8 с при.водом 5 каретки 3, и сильфон 9, раз" деленный поперечными перегородками 10 на несколько полостей 11, кашдая из которых предназначена для соединения с источником регулируемого давления (не показан). В устройстве направляющая 2 посредством тяг 12 и 13 крепится к балке 14 (основанию) перед началом работй.Устройство работает следующим образом.При помощи тяги 13 гибкая направляющая 2 с кареткой 3 устанавливает ся на продольной балке 14. Путем но- дачи во внутренние полости сильфона 9...

Номер патента: 1436055

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бондарчук, Войнило, Скриган, Широков

МПК: G01N 27/82

Метки: неразрушающего, объектов

...приемного элемента 3 системы подключен отдельный полосовой фильтр 4, настроенный на частоту генератора 1.Таким образом, на выходах полосовых фильтров 4 имеются гармонические сигналы с частотой, равной частоте сигнала генератора 1, и амплитудой, пропорциональной напряженности поля, создаваемого источником 2 в окрестности соответствующих приемных элементов 3.Выходные сигналы фильтров 4 периодически опра 1 пиваются коммутатором 5, причем номер опрашиваемого приемного элемента 3 задается двоичным кодом на выходах счетчика 11.Выходной сигнал задающего генератора 10 (фиг. 2 а) поступает на счетный вход счетчика 11, формируя номер очередного опрашиваемого приемного элемента 3 системы. С приходом очередного импульса генератора 10 значение...

Номер патента: 1436056

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Буров, Вопилин, Дмитриев

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый, двухслойных, диэлектрическим, слоями, трехпараметровый, электропроводящим

...для определения толщины электропроводящего слоя используются все три сигналаПеред измерением ВТП устанавливают на контрольные образцы с заданными параметрами по следующей схеме:3 14360Здесь приняты следующие обозначения:А;В; - значения А и В, соответствующие 1-му образцу со значения параметров; Ь; - толщина диэлектри.5 ческого слоя; х; - обобщенный электро- физический параметр электропроводящего слоя, С; - значения третьего сигнала, соответствующие 1-му образ цу со значениями параметров Ь ., х . и С - значение толщины электропро)водящего слоя образца с параметрами Ь., х;.ш - число образцов с различными 15 сочетаниями Ь и х, охватываняцими заданные диапазоны изменения параметров Ь и х;и - число образцов с параметрами Ь , х, и...

Номер патента: 1436057

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Баев, Гринцевич, Майоров

МПК: G01N 29/00

Метки: акустического, измерениях, контакта, создания, ультразвуковых

...выбирают55так, чтобы они удовлетворяли условиюок -олИЬН )- Р д С-М,где М, у - разность намагниченио ти иплотности граничащих жидкостей в окрестности их свободных границ;С - поверхностное натяжениесвободных границ;- константа, определяемаяэкспериментально;(ДН) - градиент напряженности вокрестности свободных граСпособ создания акустического контакта осуществляют следующим образом.В процессе проведения ультразвуковых измерений в зазор между изделием 1 и пьезоэлементом 2 преобразователя вводят две магнитные жидкости. 3 и 4 с большей и меньшей намагниченностью. Магнитную жидкость 3 вводят в область пьезоэлемента 2, а жидкость 4- по его периферии. Магнитная жидкость удерживается в щелевом зазоре магнитом 5.Подачажидкости 4 может осущест-...

Номер патента: 1436058

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Буцков, Коннов, Магоне, Ожиганов, Цыфанский

МПК: G01N 29/04

Метки: контактный, наконечник, пьезопреобразователя

...со стороныконтролируемого изделия; на фиг. 2 -вид А на фиг. 1; на фиг. 3 - расчетная схема зоны контакта наконечникас контролируемым изделием,Контактный наконечник 1 пьеэопреобразователя 2 содержит плоскую поверхность 3, которой он жестко соеди"няется с пьезопреобразователем 2,и контактную поверхность, выполненную в виде трех полусфер 4-6 одинакового радиуса, размещенных на равномрасстоянии одна от другой и от акустической оси 7 пьезопреобразователя 2. Позицией 8 обозначено контролируемое изделие.Контактный наконечник пьезопреобразователя работает следующим образом.Ультразвуковой преобразователь,конструктивным элементом которого является контактный наконечник 1, присоединяют к контролируемому иэделию 358. Контактная поверхность...

Номер патента: 1436059

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Банов, Колобанов, Коняев, Троенкин, Урбах

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, лопаток, рабочих, турбомашин

...приложения нагрузки к лопатке турбомашины, на фиг. 2 - график изменениянапряжений, вызванных приложенной клопатке нагрузкой.Пустотелая лопатка 1 турбомашинызакреплена в зажимном приспособлении 2, Преобразователь 3 АЭ установлен на хвостовике 4 лопатки 1. Преобразователь 3 АЗ соединен с аппаратурой АЭ (на фиг. 1 не показана).Способ дефектоскопии рабочих лопаток турбомашин осуществляют следующим образом. 30Контролируемую лопатку 1 устанавливают в зажимном приспособлейии 2, На хвостовик 4 устанавливают преобразователь 3 АЭ, соединенный с аппаратурой АЭ. Нагружают лопатку 1 знако переменным циклом изгибающих напряжений 6и Ь , состоящим иэмбКсдвух полуциклов. Между полуциклами при нулевой нагрузке выдерживают лопатку 1 в течение времени...

Номер патента: 1436060

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Добрейцин, Иванский, Любимов

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, сложной, ультразвуковой, формы

...соответствуют типоразмеру гайки 6. Преобразователи 1 и 2 расположены симметрично относительно вертикальной плоскости осевого сечения гайки 6. Их акустические оси лежат в плоскости поперечного сечения гайки и пересекаются на ее нижней грани углы наклона е, и а, равны второму критическому.Сущность изобретения заключается в том, что коэффициент отражения ультразвуковых колебаний при падении последних на поверхность контролируемого изделия уменьшается при повышении коэффициента затухания в металле и, следовательно, отношение амцлитуд ультразвуковых колебаний, прошедших по изделию и отраженных от его поверхности, не зависит от коэф фициента затухания УЗК в материале изделия.Способ осуществляют следующим образом. 4 ОС помощью излучающего...