Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах

(71) Институт радиники АН СССР(72)Ю.В,Гуляев, Ии М.А.Магомедов электроте М,Котелянский кс В. Само"никовой тех" 1985,кутон прово Монсла Якутонисрование в пол ии. Вильнюс: рмло13А яев ьтры,) Г р ф на ПАВ на преобразоежэлектродника, 1987 Км о-штыревы снов нымидиоте кро Рвате ными Х) 11 ОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ П.1 НТ СССР(57) Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение процента выхода годных, Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии, формирования поверх нее диэлектрического слоя 4, дополнительное а8 нанесение слоя фоторезиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопровода, противоположной рабочей, и проявление, напыление второго металлического слоя, удаление второго металлического слоя 6 со слоем фоторезиста. 9 ил.Изобретение относится к радиоэлектронике,и может быть использовано приизготовлении акустоэпектроиных устройств на поверхностных и обьемныхакустических волнах (АВ).Целью изобретения является увеличение выхода годных.На фиг. 1-9 представлена последовательность операций способа иэготовпения элементов устройств, работающихна АВ.Способ изготовления элементов уст"ройств, работающих иа АВ, включаетФормирование с помощью маскирующего 15слоя фоторезиста 1 на рабочей поверх"ности звукопроеода 2 группы полосокпервого металлического слоя 3 методом обратной Фотолитографии, формирование поверх нее диэлектрического 20слоя ч, дополнительное нанесение слояФоторезиста 5, его экспонирование состороны поверхности звукопроеода, про",тивоположной рабочей, и проявпенйе,напыление второго металлического слоя,удаление второго металлического слоя,6 со слоем фотореэиста,П р и м е р. На рабочую поверхность эвукопровода 2 иэ ниобата пар тияметодом центрифугирования наносилислой фоторезиста 1 марки ФП-РНтол 30щиной 0,8 мкм (фиг, 1) с последующей,его сушкой при 90 С о течение 30 мин.Затем слой фотореэиста 1 засвечиваличерез фотошаблои, содержащий рисунокгруппы полосок первого металлического слоя, после чего в фотореэисте 1вскрывались окна путем его проявления в 0,51-ном КОН (фиг, 2) и проводилась его последующая вторичнаясушка при 115 С в течение 30 мии.о 40Затем на оставшиеся участки фоторезиста 1 и вскрытые участки рабочейповерхности эвукопровода 2 методоммагнетронного распыления в аргоиооой1 45плазме наносили металлическии слои 3(фиг, 3), состоящий иэ подслоя нихро"ма толщиной 0,03 мкм и слоя алюминиятолщиной 0,15 мкм. Для подавлениякристаллизации окисла алюминия приего последующем оксидироеании е целях создания на поверхности полосокметалла оксидного слоя, в алюминиймишени магнетрона о виде добавки вводился германий (11). Давление о вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55при температуре звукопровода 200 С.Цапее прооодипесь операция "взрыва" - удаление участков фоторезиста 1 со слоем находящейся на них металлиэации путем выдержки е сосуде, содержащем растеоритель фоторезис-ав течение 20 мин, и обработки ульт"раэвуком в течение 2 мин, В результате Формировалась группа полосокпервого металличес ого слоя (фиг. ч).Затем иа рабочую поверхность звукопровода 2 и иа группу полосок первого металлического слоя 3 методом магиетрониого распыления кремниевой мишени е кислородноаргоновой плазме(процентное соотношение кислородаи аргоиа 50/50) наносилась пленкадвуокиси кремния ч толщиной 0,025 мкм(фиг. 5). Полученная структура затем покрывалась слоем Фотореэиста5 (фиг, 6), который высушивался изасвечивался через Фотошаблон, содержащий рисунок периметра встречноштыревого преобразователя (ВШП),причем источник засветки и фотошаблоирасполагались над поверхностью звукопровода, противоположной его рабочейповерхности. Фотошаблои совмещалсясо структурой, уже сформированной иарабочей поверхности так, чтобы группа полосок первого металлического ,слоя полностью содержалась в окнефотошаблона. Излучение засветки (дли"на волны света порядка 0,2 мкм и менее - ближний ультраФиолет) проходилочерез фотошаблои, через эвукопровод 2,иэ ниобата лития (слабо. поглощающийближнее ультрафиолетовое излучение)и достигало фотореэиста 5, пройдятакже прозрачный тонкий слой двуокиси кремния ч. Фоторезист 5 засвечивался лишь в тех участках, которыене были затенены полосками металлапервой группы 3 (Фиг. 6). Засвеценныеучастки фотореэиста 5 затем удалялись(фиг, 7). После этого наносился слой6 металлиэации, также состоящий изподслоя нихрома (0,03 мкм) и слояалюминия (0,15 мкм) (фиг. 8) . УчасткиФотореэиста со слоем металлизацииудалялись методом "взрыва", в результате е промежутках менарду полоскамиметалла первой группы Формировалисьполоски металла второй группы, нацем и завершался процесс изготовления ВШП (фиг. 8),Другой оариант конкретной реализа"ции йэложенного слособа заключалсяв изготовлении той же структуры (ВШП),однако операция нанесения слоя диэлектрика на поверхность полосок ме1535332 оставитель Л,Орловехред Л. Сердюкова Редактор Л.Волкова Корректор Л,Пата аа 1087 пис КНТ СС ВНИИ Гагарина 10 оиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгоро сударственного комитет 113035, Москва,о иэобретениям и открытия 35, Раувская наб., д. 4/5