H01L 29/74 — приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией

Номер патента: 1774794

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Бородин

МПК: H01L 29/74

Метки: моп-транзистор

МОП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области истока и стока второго типа проводимости, разделенные участком индуцированного канала и примыкающей к стоку слаболегированной областью второго типа проводимости, изолированный от подложки и расположенный над участком индуцированного канала электрод затвора, перекрывающий по всей ширине канала область истока и слаболегированную область стока, изолированный от подложки, электрода затвора и стока, расположенный над слаболегированной областью дополнительный электрод, перекрывающий по всей ширине канала электрод затвора и область стока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности транзистора при криогенных температурах, введена...

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Генералов, Граужинис, Думаневич, Ковров, Кузьмин, Рухамкин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Номер патента: 1026610

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Иоспа, Кузьмин, Ханстин, Юрченко

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.

Номер патента: 755107

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Иванова

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симистор, управлением

Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями n-типа проводимости и контактами, выполненными в виде полуколец и расположенными между управляющим электродом и контактом основного токосъема на одной поверхности структуры и внешним слоем n-типа проводимости и проекцией области управления, свободной от металла, на другой поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны фронтов...

Номер патента: 1766221

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Думаневич, Кузьмин, Тандоев, Юрков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор на основе кремниевой многослойной p-n-p-n+ структуры, снабженной распределенными по площади структуры шунтами в виде цилиндров с проводимостью р-типа в эмиттерном слое n+-типа проводимости, причем шунты расположены так, что в поперечном сечении линии, проведенные через их центры, образуют равносторонние треугольники, отличающийся тем, что, с целью повышения dU/dt-стойкости, уменьшения времени выключения, времени включения и прямого падения напряжения путем оптимизации шунтировки, расстояния между шунтами D и диаметры шунтов Dш выбраны удовлетворяющими условиям:D = (A1 п+A2)

Номер патента: 1574122

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Асина, Бромберг, Васютинский, Иванов, Кузьмин, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, регенеративным, тиристор, управлением

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением, включающий многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогательной и основной n+- p n p+ -структур с шунтами, p-области управляющих электродов вспомогательной и основной n+- p n - p+ -структур, а также участки повышенной рекомбинации (УПР) носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости к di/dt при включении, участки повышенной рекомбинации в n-базе расположены в области вспомогательной n+- p n - p+ -структуры, под p-областями...

Номер патента: 1482478

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристором

Способ управления тиристором, выполненным в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями и электродами путем создания избыточного заряда в базовых областях, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы управления за счет обеспечения гальванической развязки по цепи управления и уменьшения времени включения, ток управления наводят в электродах и внешних полупроводниковых слоях, выполненных в виде винтообразных полос, с помощью индуктора, обеспечивающего изменение магнитного потока в соответствии с выражениемгде dФ/dt скорость изменения магнитного потока, проходящего внутри полой полупроводниковой структуры;

Номер патента: 1493030

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бономорский

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, состоящий из полупроводниковой структуры с двумя основными поверхностями, включающей множество секций, каждая из которых образована множеством электрически соединенных между собой сегментов, содержащих каждый область первого типа проводимости, окруженную областью второго типа проводимости, причем обе области сегмента выходят с точностью до рельефа на первую основную поверхность, и электродов, один из которых прилегает к второй основной поверхности, а остальные служат для создания электрического контакта с областями, выходящими на первую основную поверхность, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических характеристик, каждая секция...

Номер патента: 1085451

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: направлении, обратном, проводящий, тиристор

Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров и температурной стабильности электрических характеристик, второй базовый слой имеет выход на поверхность второго эмиттерного слоя в виде локальных участков, которые расположены в пределах проекции разветвленного управляющего электрода.

Номер патента: 1162357

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для боковых конусных поверхностей структур, диаметр которых уменьшается в направлении от этого элемента.

Номер патента: 1349615

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Агафонов, Беленков, Бономорский, Куузик, Макаров

МПК: H01L 29/74

Метки: запираемый, тиристор

Запираемый тиристор, содержащий четырехслойную p-n-p-n структуру, состоящую из катодного и анодного эмиттеров, узкой и широкой баз, а также металлических электродов к ним, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих токов и напряжений, узкая база выполнена секционной с расстоянием между секциями, не превышающим удвоенную ширину широкой базы, а в приповерхностной части широкой базы вдоль и посередине между секциями узкой базы, а также с внешней стороны периферийных секций сформированы связанные между собой дополнительные области того же типа проводимости, что и широкая база с концентрацией примеси, превышающей концентрацию примеси в широкой базе не менее чем на порядок,...

Номер патента: 1398706

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Ахтман, Белая, Евсеев, Насекан

МПК: H01L 29/74

Метки: фототиристор

Фототиристор, содержащий по крайней мере четыре слоя чередующегося типа проводимости с катодным и анодным контактами на главных поверхностях, первый и четвертый слои которого являются эмиттерами, а второй и третий - базами, причем первый эмиттерный слой n-типа проводимости разделен на две области - основной и вспомогательный эмиттеры, а вспомогательный эмиттер содержит область зажигания и вспомогательный контакт, расположенный на нем и на периферийной области р-базового слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фототиристора к световому сигналу управления при сохранении стойкости к эффекту du/dt, вспомогательный контакт выполнен в виде двух контактов, при этом первый...

Номер патента: 1258263

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H01L 29/74

Метки: обратной, переключения, проводимостью, тиристора

Способ переключения тиристора с обратной проводимостью из прямого блокирующего состояния управляющим импульсом обратного анодного тока с последующим приложением импульса прямого нагрузочного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управляющего импульса, перед приложением импульса прямого нагрузочного тока прикладывается дополнительный импульс прямого анодного тока, при этом заряды, вносимые токами управляющего и дополнительного импульсов, удовлетворяют условиямQ1 + Q2 = (10 - 15)Qкр,где -...

Номер патента: 1366006

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Зильберглейт, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, мощный, тиристор

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h0 структуры без выступов связаны следующим соотношением:при ширине выступа d

Номер патента: 592292

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.

Номер патента: 713441

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Киреев, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тиристорной структуры, по крайней мере на 1/4.

Номер патента: 1485963

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Авксентьев, Мартыненко, Чумаков

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегрузки вспомогательной структуры и улучшения динамических параметров включения за счет снижения тока управления основной структуры, под управляющий электрод основной структуры введены выступающие из-под него дополнительные участки одноименного с эмиттером типа проводимости, отделенные от эмиттера и друг от...