Магнитный накопитель

О 42-А НИ Е ИЗОБЕИТИНИЯ Союз Советскии Социалистическии Республик(221 Заявлено 08.01,70 (21 23) Приоритет (3 М. Кл 397974/18-.21 0.0 1.69 1 С 11 ударственный номитевета Министров СССо делам изобретенийи открытий(43) Опубликовано 25,04 78, Бюллетень Мо 15 (45) Дата опубликования описания 3),01. Я. 3) УДК 628.327.6(088.8) Иностранецайнхард Штраубепь 72) Автор изобретения Иностранное предприятие Феб, фипьмфабрик, Вопьфен"1) Заявител 54) МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛ Изобретен мации, в част в котором на структур инф без искаженийИзвестны у 1 ЦИЕ СДВИГ ИН основаны на т йая внутри ма параллельных импульсного и чает препятст жению 1. 1 Яель изобретения - упрощение магнитного накопителя.Это достигается тем, что магнитный накопитель содержит слой из магцитотвердого материала, расположенный над полосами цз магнитомягкого материала и изолированный от них немагнитным слоем, а также тем, что слой из магнитотвердого материала выполнен из нескольких металлических слоев и тем, что слой из магцитотвердого материала выполнен из цемагнитцого связующего слоя с одцодо 1 сц.ными ферромагнитными частицами. Кроме гого, немагнитная подложка с полосами из магнитомягкого материала и слоем из магнцтотвердого материала выполнена в виде бесконечной ленты.Преимущества предложенного накопителя по сравнению с известными техническими решениями состоят в простоте коцструкциц и в уменьшенных технологических затратах ца изготовление.При испОльзовации этого цакоцитсл 51 достигаются более точные магнитные растры и более высокая плотность записи.На фи 1. 1 ц 2 изображен 1 1 гццтцц 11 накопительь.Он имеет немагнитную пиз магцитотвердого матери ие относитс 1 ости к маг копленная ормация м я к системам инфорнитному накопителю, в форме доменных ожет быть сдвинута стройства формации ом, что ин гнитной ле магнитных оля для сдв вие к свое и системы, допускаюбез искажения. Они формация, накопленнты в виде встречнозон, при приложении ига через растр встре му взаимному искаНаиб ся устр ложку, которой кого ма олее близким к пр йство, содержаще ыполненную из э расположены по риала 2 . едложенному являете немагнитную подастичной пленки, на лосы из магцитомягтеко техце обеследоцутыхвлияетС друе обественно товленияного и дза другульсов, чпоминаспособыпосредстастра этих усостаточно ИМ ВИТОВ то сущеющего уст- фототраввенного и магнитной нология изго спечивает точ вания одного по фазе имп на емкость за гой стороны, печивают неточного р троиств плотного для сдви ствецно ройства. лсция н соответс ленты. одложку 1, слой 2 ала, полосы 3, вы604031 Формула изобретения 2 Н И И П И Заказ 210 1/43Тираж 717 11 одписное орса. ул Про(ктна, 4 а.г 11 Г 1 П Г 1;пентв,полнеццые в виде витков из магнитомягкого материала, немагнитный связующий слой 4 и дополнительно нанесенный проводящий слой 5.На немагнитную упругую подложку 1 нанесено несколько параллельных и в одном направлении полностью насыщенных магнитомягких слоев 3, которые с помощью также немагнитного связующего слоя 4 электрически изолированы от несущего растра тонко 1 о магнитотвердого слоя. На слой 2 при помощи известных средств динамических магнитных запоминающих устройств наносится поперечная запись распределения амплитуд. Внешний магнитный поток рассеяния этой записи пронизывает магнитомягкие слои 3 и намагничивает их настолько, что сила поля выключения слоев 3 сдвигается позитивно или негативно, в зависимости от места, однако, не вызывает там перенамагничивания. С помощью проволочных витков слоя 3 возможно перенамагцичивацие небольших доменов, длина которых больше двух периодов растровой записи ца слое 2, С помощью импульсного поля, временной ход которого проходит непосредственно через магцитотвердый слой 2 и/или магнитомягкие ленты 3, перемагниченные под виткамп домены могут сдвигаться, Это осуществляется взаимодействием местного потока рассеяния магнитного твердого слоя 2 и импульсно. го поля, и в районе всех четных границ магнитных доменов становится возможным сдвиг этих границ в одном направлении, сдвиг же нечетных границ заторможен, После смены полярности импульсного поля все нечетные границы доменов сдвигаются в том же направлении, движение же четных границ, напротив, затормаживается. Таким образом, в зависимости от периода импульсного поля вновь восстанавливается первоначальная длина домена.Воспроизведение может быть осуществлено на любом домене ленты 3 при записи или же посредством эффекта Карра с использованием оптических устройств.Для достижения лучшей разрешающей способности содержащих накопленную информацию доменных структур целесообразно разделение растровой записи слоя 2 в восцроизв дящем устройстве. Это обеспечивает известную возможность оказывать влияние ца магнитные параметры слоев 3 в месте воспроизведения для достижения здесь большей граничной скорости. Последнее возможно и за счет более 5сильных импульсов поля.Слои 2 и/или 3, в силу своей геометрической формы, не являются наиболее пригодными в качестве электрических проводников для создания импульсного поля. Поэтому ток целесообразно проводить по дополнительному нанесенному проводящему слою 5.Этот слой является излишним в том случае, если слои находятся в создаваемом находящимися снаружи большими катушками импульсном поле, одновременно пронизывающем 15 в( е слои 1. Магнитный накопитель, содержащий немагнитную. подложку, выполненную из эластичной пленки, на которой расположены полосы из магнитомягкого материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения накопителя, он содержит слой из магнитотвердого материала, 25 расположенный над полосами из магнитомягкого материала и изолированный от них не- магнитным слоем.2. Накопитель по и. 1, отличающийся тем,что слой из магнитотвердого материала выполнен из нескольких металлических слоев.303. Накопитель по п. 1, отличающийся тем,что слой из магцитотвердого материала выполнен из немагнитцого связующего слоя с. однодоменными ферромагнитными частицами.4. Накопитель по пп. 1, 2, 3, отличающийся з 5 тем, что немагцитная подложка с полосамииз магнитомягкого материала и слоем из магнитотвердого материала выполнена в виде бесконечной ленты.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1.,. Лрр РГшзс,7, стр. 252 - 2593.2. Гатвпт США3366937, кл. 340 в 1,