Оперативное запоминающее устройство

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сова Советских Социалистических Республик) Заявлеио 21 О 5.74,(21) 2026113/18-2 Гасудврстввннмй намнтат Саввтв Мнниатрав СССР ва делам изаарвтвний и аткрмтнй. И. Карый, Б. С. Севериновский и В, П, Ремизо 1) Заявите ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТ в хинке,льна ны ственв н котодамоыс присоединением заявки(23) Приоритет Оперативное запоминающее устройстЗУ) относится к вычислительной теИзвестно ОЗУ, содержащее накопитемагнитных пленках, адресные и разре шины которого подключены;соответк выходам формирователей Гимпупьсодресного; и разрядного;. токов, входыги подключены соответственно к выхочитываюшие и запись блока синхр задние 10Запоминающие элементы 1 накойителя на магнитных пленках изготавливаются групповым методом и их количество на одной подложке достигает нескольких тысячштук., В таком накопителе для устойчивогр,считыва-, 1 б ния информации магнитное поле ;(На) адресного тока должно превышать поле анизотропии того запоминающего элемента, у кото-рого оно имеет максимальное значение (Н ). Вместе с тем максимально допус кмах,тимое магнитное поле адресного тока(Н )амах ограничивается тем запоминающим элеглен;том, который подвержен наибольшему разру:шению информации при одновременном действии магнитного поля импульса разрядного 25 тока и,:поля тока пососедней адресной шине, Таким образом, величина магнитного дбля адресного тока определяется условйем Я Н: Н : амах а кмах Необходимость выполнения этого условия лриводит к сужению области,устойчивого функционирования накопителя, что снижает надежность работы всего ОЗУ.Цель изобретения - повышение надежнос 1 ти работы устройства.Это достигается тем, что оперативноеапоминающее устройство содержитусилитель и элемент запрета, прямой и инверсный вхо; ,ды которого подключены соответственно к ,выходам считывание" и "запись блока синхронизации, а выход подключен к входу уси ,лителя, один из выходов которого соединен с адресными шинами, а другой - с шиной нулевого потенциала.На фиг. 1 - схема устройства; на фиг. 2 - временная диаграмма его работы.Устройство содержит накопитель 1, запоминающие элементы 2,адресные шины 3, ,разрядные шины 4, формирватель плп 1 уль 504245сод адресного тока пульсов .разрядного ние" 7 и " записи 9, элемент з прета 5, формирователи имтока 6, шины "считыва 8, блок синхронизации10, усилитель 11,бНа временной диаграмме показаны сигнал "считывание" 12, сигнал "запись 13,сигнал выход элемента запрета" 14,импульс адресного тока 15, адресный токизвестного ОЗУ Й, импульс разрядного итока 17 и сигналы 18 и 19, наводимыес запоминаюшего элемента соответственнопри считывании и записи информации,Устройство работает следующим образом.С блока синхронизации 9 по шине " считыванне" 7 на вход блока 5 и на прямой входэлемента запрета 10 поступает сигнал считывание 12, а по шине " запись" 8 навход блока 6, и на инверсный вход элемента 10 поступает сигнал запись 13, Свыхода элемента запрета 10 на вход усилителя; 11 поступает сигнал "выход элементазапрета" 14. По сигналу 12 блок 5, в соответствии с кодом адреса, выдает в одну изадресных шин импуль адресного тока 15.На время действия сигнала 14, переднийфронт которого совпадает с передним фронтом сигнала 12, включается усилитель 11,Амплитуда адресного тока 15 при этомопрецаляется парамеграми блока. 5. Послеокончания действия сигнала 14 усилитель11 включается а амглитуда адресного тока15 определяется параметрами блока 5 ивнутренним сопротивлением усилителя 13(например, сопротивлением резистора, под Ьклкченного параллельно выходам усилителя).Импульс разрядного тока 17 положительнойили отрицательной полярности ( в соответствии с кодом числа) поступает в каждуюразрядную шину 4 по сигналу "запись" 13. рВ результате адресный ток 15 . отличие от адресного тока 16 известного ОЗУ, прирбретает двухступенчатую форму, причем амплитуда первой ступени больше амплитудывторой ступени а первая ступень адресного тока 15 и разрядный ток 17 каждой разрядной шины разнесены во времени 4Благодаря этому в устройстве ( даже при .наличии запоминающих элементов со значительным,разбросом параметров магнитной пленки) отсутс.вуют указанные ограничения на амплитуду адресного тока, Это объясняется тем, что в рассмотренном ОЗУ при счи тывании, т, е. во время действии первой ступени адресного тока, магнитное поле его может значительно превышать значение Нк а при одновременном действии магнитного поля импульса разрядного тока и поля тока по соседней адресной шине, г. е. во время действия второй ступени адресного тока, магнитное поле не превышает значения Намах3Необходимо также отметить, что в таком ОЗУ уменьшается разброс считанных сигньлов с запоминающих элементов, имеющих значение угла скоса оси анизтропии отличное от нуля,Эти преимушества позволяют расширить область устойчиво"о функционирования накопителявсего устройства и тем самым повысить его надежность. Кроме того, ойисанное устройство позволяет снизить требованияГ.к параметрам магнитлой пленки что увеличивает выход годных пленок при их производстве. Формула изобретенияОперативное запоминаю 1 цее устройство,содержащее накопитель на магнитных пленках, адресные и разрядные шины которогоподключены соответственно к выходам формирователей импульсов адресного и разрядного токов, входы которых подключены соответственно к выходам "считывание изапись" блока синхронизации, о т л и ч аю ш е е с я тем, что, с целью повышениянадежности работы устройства, оно содержитуси,"чтель и элемент запрета, прямой и инверсньп входы когорого подключены;соотвечсственно к выходам " считывание" и " залисьблока синхронизации, а выход подключен ковходу усилителя, один из выходов которогосоединен с адресными шинами а другой -с шиной нулевого потенциала,504245 С ставитель С, Карыйедактор Е, Гончар ТехредМ. Лпкович Корре Гокси Заказ 100 ЦНИИПИ Госуд по 113035, МоТираж 783 Подписноественного комитета Совета Министрелам изобретений и открытийква, Ж 35 Раущская цабд, 4/5 СССР филиал П;1 П Патент", г,Ужгород, ул, Гагарина, 10