Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок

Союз Соватских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 30.09.75. БюллетеньДата опубликования описания 09.01,7 Совета Министров СССРпо делам изобретений О 3)ДК 681.327.66) Авторы изобретения Н, А. Данилов и Г. П. Жариков нститут кибернетики АН Украинской СС71) Заявител 54) СПОСОБ ВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ МАГНИТНЫХ АНИЗОТРОПНЫХ ПЛЕНОКИзобретение относится к ооласти вычислительной техники, в частности к разделу технологии производства запоминающих устройств на тонких магнитных пленках.Известен способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок из пучка атомов на подогретую до 200 - 300"С плоскую полированную г 1 одзОмску, движущуюся вдоль силовых линий магнитного поля поперек узкого щелевого отверстия диафрагмы, расположенной между подложкой и испарителем с малым сравнительно с отверстием диафрагмы диаметром.Однако магнитные пленки, изготовленные известным способом, обладают неоднородной по величине анизотропией. Так как величина анизотропии косого угла падения увеличивается с увеличением угла между нормалью к подложке и направлением пучка, то результатирующая анизотропия от центрального участка подложки к боковым относительно направления движения краям подложки возрастает. Неоднородность поля одноосной анизотропии создает разброс амплитуд считываемых ситналов и приводит к разбросу требуемых для переключения пленочных элементов числовых токов. Величина числового тока выбирается по максимальному току, требуемому для переключения пленочного элемента с максимальным полем апизотропии, поэтому пороговые поля разрушения элементов с минимальным полем анизотропии будут пониженными, вследствие пониженного отношения полей помех, наводимых числовыми токами в 5 соседних числовых проводниках, к полю анпзотропии этих элехс 1 тов.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что подложку располагают относительно источника паров магнитного сплава О так, чтобы пучок атомов падал под прямымуглом к боковому относительно направления двпжеия краю подложи и кондспсиру ют слой г 1 оловинпой толщины. Затем подложку располагают так, чтобы пучок атомов падал 5 под прямьи углом к прогпвоположпому краю,и кондснсируют второй слой, доращивающий пленку до требуемой толщины.Сочс а 1 ием двух 1 рпемоь конденсации сло.ев с псод;1 ородвым по площади полем анизоо тропин создается новый эффект - однородность поля анизотропии участков сплошных или дискретных пленок, расположенных на общей гОдчожкеОписываемый способ поясняется чертежом.25 Подогретая нагревателем 1 плоская полированная подложка 2 дважды продвигается вдоль силовых линий магнитного поля 3 над шелевой диафрагмой 4, через которую проходит пучок 5 испаренных атомов. При первом ЗО продвижсии подложка располагается отноаказ 3239/13 д.1841 Тираж 648 писиое ипография, пр. Сапунова,сительно испарителя 6 так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к участку поверхности подложки, прилегающему к одному се боковому краю, при втором продвижении (на чертеже показано пунктиром) - и другому, Слои, конденсируемые при каждом продвижении подложки, равны по толщине, и сумма их толщин равна требуемой толщине пленки. Зависимость константы или поля анизотропии, возникающей вследствие косого угла падения, от угла между нормалью и пучком атомов при сравнительно малых (порядка 10 при конденсации пленок на подложках шириной до 100 мм) изменениях угла падения близка к линейной.Магнитные свойства слоев, ъе разделенных немагнитной прослойкой, вследствие обменной связи между намагниченностями слоев усредняются.Поле анизотропии в каждом участке двухслойной сплошной пленки или в каждой двухслойной дискретной пленке на обгцей подложке одно и то же, т. е. от расположения их наподложке нс зависит. Предмет изобретенияв Способ вакуумной конденсации магнитныханизотропных пленок из пучка атомов на подогретую плоскую полированную подложку, движущуюся поперек щелевого отверстия диафрагмы вдоль силовых линий магнитного 10 поля, отлича ющийся тем, что, с цельюповышения однородности магнитных пленок, подложку вначале располагают так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к части поверхности подложки, прилегающей и 15 боковому относительно направления движения краю подложки, и конденсируют слой половинной толщины, затем подложку располагают так, чтобы пучок атомов падал под прямым углом к части поверхности подложки, 20 прилегающей к противоположному ее краю,и конденсируют слой, доращивающий пленку до полной толщины.