Переключатель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Номер патента: 1809465

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Горохов, Драчук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, продвижения, формирователь

...Ссоставляющей полного сопротивления катушки у 1 = щЬ, в результате чего вектор напряжения Ос-о на конденсаторе (вектор 0) и вектор Оь индуктивной составляющей сопротивления катушки (вектор Я) взаимно компенсируются и вектор напряжения Оу-о на выходе усилителя 1 мощности (вектор ОЕ) равен сумме вектора напряжения Овос на резисторе 4 обратной связи и вектора напряжения Овк на активном сопротивлении катушки (вектора ОГ, равного вектору АВ),С увеличением емкости конденсатора 3 до значения Сц 2 р его сопротивление снижа 1ется до величины ф = С +, в РеМСо+2 о зультате чего вектор напряжения Осц 2 о на конденсаторе (вектор ОН) не полностью компенсирует вектор напряжения Ок индуктивной составляющей напряжения на катушке (вектор ОА),.оставляя...

Номер патента: 2001513

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Грибок, Давлетшин, Косарев

МПК: H03K 17/62, H04L 13/14

Метки: входных, выходным, импульсов, последовательного, распределения, распределитель, шинам

...в момент с 1 не будет,В момент с 2 окрнчания первого импульса на выходе первого элемента И-НЕ первого разряда б формируется высокий сигнал, На обоих входах второго элемента И-НЕ первого разряда 12 оказываются единичные сигналы и на его выходе появляется низкий нулевой сигнал. Других изменений выходных сигналов элементов в момент сг не будет.В момент сз начала второго импульса на входной шине 5 на всех трех входах первого элемента И-НЕ во втором разряде 7 оказываются высокие сигналы логических единиц, На выходе элемента И-НЕ 7 формируется сигнал логического нуля, Он подтверждает единичные сигналы на выходе второго элемента И-НЕ второго разряда 13 и на выходе первого элемента И-НЕ третьего разряда 8 Кроме того, логический нуль на...

Номер патента: 839062

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Мельников, Прохоров

МПК: H03K 23/00

Метки: двоичный, сумматор

...в центр сумматора и попадает на группу аппликаций 2. Под действием локального градиента поля смещения, создаваемого шеврон- ными аппликациями 2 разной ширины, ЦИЦ перемещается в вертикальном направлении в сторону шеврона, имеющего1 большую ширину, т.е. в канал 4, выход которого. является выходом полной суммы 5. 10 15 20 25 30 35 Работа сумматора в режиме с переносом осуществляется следующим образом (фиг.З).Особенностью этого режима является то, что в случае, когда оба операнда равны нулю, т.е. в каналах 3 и 4 ЦМД-операндов отсутствуют. ЦМД-переноса под действием локального поля смещения, образованного в результате разницы в площадях аппликаций круглой Формы и соседней с ней аппликации в группе 2, переходит в канал 4. Символически...

Номер патента: 942261

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Раев, Смирнов

МПК: H03K 19/168

Метки: логический, многофункциональный, элемент

...логический элемент работает следующим образом.По входным каналам 4 и 5 могут продвигаться ЦМД 2, что соответствуетподанным на входы информационным "1".Если в какой-то ячейке каналов продвижения отсутствует БМД, то это свидетельствует о наличии информационного "0" вэтой ячейке.Продвигаясь ко входным каналам ЦМД2 попадают в место магнитной связи, образованное аппликациями 9, 14, 19 и 23.В момент взаимодействия ЦМД канала4 (переменные К ) попадают под конец 20аппликации 19 (момент В вектора Ну), аЦМД канала 5 (переменные У ) попадаютпод концы 11 и 16 аппликаций 9 и 14.В случае, если на вход канала 4 паступает ЦМД, а на вход канала 5 не поступает домена, то ЦМД канала 4 приположении В вектора поля управления...

Номер патента: 1027824

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дробышева, Пастон, Холоднова

МПК: H03K 19/08

Метки: выборки, матрицы, накопителя, сигнала, формирователь, шины

...быстродействие, необходимоформировать на резисторе, соединенном сшиной источника питания, что увеличива Оет перепад на базе И транзисторов и соответственно перепап на эмиттерах этихтранзисторов. Снижение быстродействияпроисходит также из-еа наличия большойемкости в коллекторном узле И транэисторов, подсоединенной непосредственно кбаэв формирователя и как следствиебольшой постоянной времени в этом узле,в котором создается основной логическийперепад.111 ель изобретения - повышение быстродействия,Указанная цель достигается тем, чтов формирователь, содержащий 0 транзисторы, коллекторы и базы которых объединены, а эмиттеры подключены к соответствуюшим входным шинам формирователя, выходной транзистор, коллектор которого соединен с шиной...