191637
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Соввтскик Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 15.Х.1965 ( 1034205/26-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 26.1.1967. Бюллетень4Дата опубликования описания 30.111.1967 Кл. 21 ат, 37/16 МПК 6 061УДК 681.142.07(088,8 омитвт ао дел вобретвний и открытийари Совете втиннотравСССР Авторыизобретения В. В, Звягинцев Г, П. Жари ститут кибернетики АН Украинской СС Заявит АЯ ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА НКОПЛЕ На пологих краях дискретных пленок, гдесоотношение толщин слоев изменяется за счет уменьшения толщины низкокоэрцитивного слоя, Н,1,2 возрастает, что и образует барьер 5 высокой коэрцитивной силы. Сплошной слойматериала с большим Н, и Н уменьшает разброс направлений осей анизотропии дискретных пленок,Вследствие больших Н, и Н сплошного 10 слоя на участках между дискретными пятнамисостояние намагниченности этих участков от изменения намагниченности двухслойных пленок не изменяется, и взаимосвязь между намагниченностями соседних элементов через 15 м агнитную среду отсутствует. ия редмет изо Тонкоплено выполненная 0 нок низкокоэ%Ге, %РеСо подложку, от создания нео изменений уп 5 промежуточно сплошная пле териала 10%Известны тонкопленочные запоминающие матрицы, выполненные из дискретных магнитных пленок низкокоэрцитивного сплава (например, %Ге или %РеСо, %РеР), осажденных на подложку.Предлагаемое устройство отличается тем, что на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10% Ее - 90% Со, Это позволяет создать необходимую область допустимых изменений управляющих токов и исключить промежуточный слой,На чертеже показана предлагаемая матрица.Дискретные пленки 1 с пологими краями, осажденные на подложку 2 матрицы, покрыты сплошным слоем высококоэрцитивного материала 8,Если толщины слоев малы и отсутствует промежуточный слой изоляции, магнитные свойства слоев усредняются, Толщины слоев подобраны так, чтобы магнитные свойства двухслойной пленки несущественно отличались от свойств дискретных пленок в сторону увеличения Н, и Н (т. е. толщина высококоэрцитивного слоя много меньше толщины низкокоэрцитивного слоя). чная запоминающая матрица, из дискретных магнитных плерцитивного сплава, например,или %ГеР, осажденных на личающаяся тем, что, с целью бходимой области допустимых равляющих токов и исключения го слоя, на подложку осаждена нка немагнитострикционного маГе - 90% Со,191637 Редактор В. В. Дербинов Тираж 535 по делам изобретений и открыти Москва, Центр, пр. Серова-3%УЙ;Техред Л,Типография, пр. Сапунова ректоры: Л. Е. Гришина и Н. Н. Самыгина Подписнопри Совете Министров СССР
СмотретьЗаявка
1034205
Г. П. Жариков, В. В. гинцев Институт кибернетики Украинской ССР
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: 191637
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-191637-191637.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">191637</a>
Предыдущий патент: Счетчик импульсов
Следующий патент: 191638
Случайный патент: Ограничитель грузоподъемности стрелового крана