Способ изготовления матриц из пленочных диодов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 12339 Союз Советских Социалистических Республиксвидетельства 8 (Лс 601893/ ависимое от ав аявлено 16.Ъ 1,1 Кл. 42 п 1, 3 рисоединением заявки М МПК бУДК торитет Комитет по делам изобретений и открытии при Совете Министров СССРОпубликовано 17,Х 1,1966. Бюллетень М 2Дата опубликования описания 1.1.1967 Авторыизобретения Толутис и Ю. К, Пожел аявит ПЛЕНОЧНЫХ ДИО ТРИ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН Известные способы изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных устройств, характеризуются сложной технологией производства и не дают возможности получать многослойные матрицы с большой плотностью точек,Для устранения указанных недостатков предлагается наносить пленки диодов одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например на анодированный алюминий, и получать их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме,На фиг. 1 изображена принципиальная схема матрицы, получаемой по предлагаемому способу; на фиг. 2 и 3 - схема нанесения электродов на подложку,Матрица представляет собой прямоугольную сетку электродов, места пересечения которых представляют собой диоды, Выпрямляющую ячейку - диод составляют тонкие металлические слои а, и О, и тонкий слой полупроводника между ними, Металлы подобраны так, что в контакте одного из них с полупроводником возникает запирающий слой, который и обуславливает выпрямляющие свойства такой ячейки. В общем случае диодная ячейка может быть и более сложной, например, она может состоять из двух металлических электродов и двух или даже из трех полупроводниковых слоев между ними.Матрица изготовляется путем нанесениядруг на друга соответствующих веществ испа рением в вакууме через трафареты на непроводящую подложку 1. В качестве подложки для матрицы служит анодированный алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена подложка помещается в печь, в которой. она прогревается при 200 - 210 С около 30 мин. Желательно нагревать и охлаждать подложку постепенно.После этих операций поверхность селена 30 должна иметь мелкокристаллическую ровнроЗаказ 390672 Тираж 1075 Формат бум. 60 Х 90/з Объем 0,16 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 поверхность. Второй электрод наносится полосками на селен поперек полосок нижнего электрода. Если вторым электродом является алюминий или магний, то этим процесс изготовления матриць 1 кончается. Когда вторым 5 электродом является золото или платина, то 1 после нанесения этого электрода матрица прогревается в печи 15 мин при 200 - 210 С,Толщина электродов может не превышать нескольких десятых микрона. Толщина слоя 10 селена выбирается в зависимости от режима работы. В общем случае она не превышает 15 - 20 мм. Для крепления проводов на концы электродов испарением в вакууме или шопированием наносится слой олова, свинца или 15 висмута, В случае шопирования можно применять сплав Вуда или Розе. Наносимый слой не должен касаться отверстий. Через отверстие пропускается многожильная изолированная проволока диаметром в 0,12 - 0,15 мм с залуженным концом, который и припаивается сплавом Вуда или Розе к утолщенным местам электродов. Предмет изобретенияСпособ изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных устройств, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и получения сложных многослойных матриц с большой плотностью точек, пленки диодов наносят одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например анодированный алюминий, и получают их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.
СмотретьЗаявка
601893, 16.06.1958
Пожела Ю. К, Толутис В. Б
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02
Метки: диодов, матриц, пленочных
Опубликовано: 01.01.1959
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-123351-sposob-izgotovleniya-matric-iz-plenochnykh-diodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления матриц из пленочных диодов</a>
Предыдущий патент: Способ выполнения сокращенного деления на вычислительных машинах
Следующий патент: Прибор для демонстрации зависимости магнитного потока, создаваемого катушкой с током, от числа ампервитков
Случайный патент: Электролит блестящего меднения