Замкнутый запоминающий элемент

Номер патента: 903370

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Аюпов, Брагинский, Бутаев, Валова, Воробьев, Галеев, Гусалов, Ковалев, Креславская, Покалюхин, Тарасов, Федорина

МПК: C08J 5/18

Метки: линия, пленки, технологическая, триацетатцеллюлозной

...винтовымивставками. Для автоматического контроля и регулирования температур раствора и теплоносителя (воды) на линии установлены системы контроляби 7.Линия включает ленточную машину,содержащую Фильеру 8, барабан 9 степлообменной полостью, ведомый барабан 1 О, бесконечную ленту с подлож.кой 11, натянутую на ведущий и ведомый барабаны 9 и 10.Трубопровод 3 для подачи теплоносителя связывает между собой теплообмеиные полости фильтра 4, теплообменника-смесителя 5 и переднего барабана 9Система контроля 7 температуры теплоносителя содержит центробежный насос 12, расходный бак 13, трубопровод 14 для подачи артезианской воды, теплообменник 15, связанные между собой системой трубопроводов.На верхней и нижней части ленточной машины...

Номер патента: 1300

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Маньков

МПК: B43L 13/02

Метки: линий, нанесения, параллельных, прибор, углов, черчения

...черчения 1 параллельных линий и нанесения углов , имеет целью точно распределять линиикак параллельные, так и под углом, и легко регулировать расстояния между , параллельными линиями и сторонами ) угла.11 рибор, изображенный на чертеже, 1 состоит из: линейки 7 с вь 1 резом, в ко-тором помещена передвижная шкала б;, бруска 8 с выступом 13, входящим в промежуток между концом шкалы б и , краем выемки линейки 7; бруска 9, с транспортирной дугой 71, переме-щаемой в обойме 72, сочлененного шар-, нирами 74, 14, с брусками 8 и 1 О, ибруска 7, связанного планками 2, 2с линейкой 7, служащей для помещениямежду ней и бруском 1 рейсшины. В вырезе 5 помещен регулятор 4 дляшкалы б.Для черчения параллельных линий брусок 8 перемещается взад и вперед,...

Номер патента: 1023265

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Лисовский, Щеглов

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, легкого, магнитных, намагничивания, ориентации, оси, пленок, поля

...плоскости пленки,пленку устаавливают таким образом,цтобы. ось ее вращения совпадала сномалью к поверхности пленки, освещают пленку поляризованным светом ис помощью анализатора и микроскопанаблюдают зарождение доменной структуры, вращают пленку вокруг оси,совпадающей с нормалью к плоскостипленки, подбирают ориентацию и напряженность магнитного поля такимобразом, цтобы в момент зарождениядоменная структура имела полосовойхарактер, снимают зависимости продольной и поперечной (относительнооси вращения пленки) компонент напряженности магнитного поля, соответствующих моменту образования домен"ной структуры от угла поворота плен"гки, пред ста вляют полу ченную з ависимость в виде рядов Фурье и опреде,ляют константы и ориентацию...

Номер патента: 636564

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Ильин, Коперсако, Костылев, Сергеев

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, подложке, скоса, цилиндрической

...ось цилиндрической поверх- переходными процессами при разрушающем ности магнитной пленки расположена водействии, при количестве тактов горизонтально и значение записанной 10 -10 начинается переход в насыщеэинфоРмации таково, что на ближнейние, Верхняя граница 10 определяетГ 0 вк наблюдателю поверхности магнитной ся допустимой длительностью цикла,пленки, небольшой участок которой Наиболее оптимальная величина коли- обозначен цифрой 1 (фиг. 1), верти- чества тактов лежит в диапазоне 10кальная составляющая 5 намагниченности направлена вверх. Обозначим угол,Зависимость степени разрушения который составляет легкая ось 3 с от величины импульса внешнего магнит- окружностью 2 нормального сечения ного поля имеет монотонный характер,...

Номер патента: 1718162

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Ваньков, Зюзин

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного

...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...