Тонтегоде

Номер патента: 1259879

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Агеев, Бернацкий, Власов, Мечетин, Михайлов, Павлов, Тонтегоде

МПК: H01J 9/42

Метки: анализа, прибора, фотоэлектронного, шумов

...равнойвремени пролета ионов определенноготипа, и на кривой зависимости выходного сигнала от длительности появяся ступени. Это обстоятельство позволяет провести масс-анализ ионовпри помощи расчета по формулам вреМя-пролетной масс-спектрометрии:М=КоЦ,- где М - масса иона; К - постоянный коэффициент определяемыйгеометрией электродов прибора; сдлительность импульса :оответствусщая ступени на зависимости велчгньсигнала от длительности имгульса;.ТХ - амплитуда импульсаП р и м е р . Проводили анагизшумовых характеристик фотоэлектронного прибора с мультищелочным фоток,"тодом. Рабочее напряж ние 15 кЗ.На фотокатод прибора подавали импульсы напряжения амглитудой 15 кБ,длительность импульса менялась в пределах 0,4-0,8 мкс. Выходной сигнал...

Номер патента: 1569686

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Галль, Михайлов, Рутьков, Тонтегоде

МПК: G01N 23/227

Метки: адсорбированной, графитовой, доли, металле, пленке, углеродной, фазы

...составляет стандартную величину - 0 = 3,80 101 атомов /с см.Монослой графита должен быть нанесен на металлическую подложку, так как именно в этом случае имеет место перетекание заряда от атомов Сз к граФиту и характерные изменения структуры оже-пика углерода, которые и позволяют использовать его как эталонный образец в оже-спектроскопии, применение которого дает возможность повысить чувствительность за счет определения доли графитовой Фазы в монослойных и субмонослойных пленках.Облучение рабочих поверхностен образца и эталона атомами Сз применяются потому, что при их адсорбции имеет место перетекание заряда от адсорбата в граФитовую пленку и, как следствие, появление тонкой структуры на оже-спектре углерода (пик с энергией Е = 285...

Номер патента: 1543337

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Галль, Михайлов, Насруллаев, Рутьков, Тонтегоде

МПК: G01N 27/62

Метки: адсорбированной, графитовой, доли, занятой, металла, монослойной, пленкой, площади, поверхности

...судятразрушении графитовоГО слоя, ионизи- об искомом параметре 3,Рероятностью 100 Е что При нагреве Сз, попавший в-фазу,позволяет с высокой1 с кой точностью изме- . может выйти из нее лишь при термичесрить их число. И наконец адсорби- ком разрушении Графитового слоя приЭ5 15433Т 1500 С, а по его количеству можноо,судить об искомом параметре ОгрСя должен попадать на поверхностьв виде атомов, так как только в этомслучае он обладает достаточной подвижностью для заполнения-фазы, илишь в этом случае его удается использовать для определения 9Рабочие поверхности образца и эталона облучают атомами Ся до наступления насыщения, Это необходимо для того, чтобы избежать неопределенностив количестве накопившегося в-фазеСя. Иомент насьпцения...

Номер патента: 1272195

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Рутьков, Тонтегоде

МПК: G01N 7/14

Метки: пара, углеводородов, упругости

...температурах ( )1000 К) активно идет крекинг углеводородов. Выделяющийся при этом водород десорбируется с поверхности, а углерод в зависимости от температуры либо растворяется в объеме рения, либо десорбируется, Высокие рабочие температуры обеспечивают эффективный транспорт растворенного в объеме рения углеродаРений не образует объемных карбидов, т.е. углерод находится в его объеме в виде твердого раствора, причем растворимость углерода в рении при высоких температурах высока.Выбор температурного интервала (2000-2300 К), в котором следует держать рениевый образец, объясняется следующими причинами. При Т 2000 К сильно замедляется скорость диффузии углерода в рении и уменьшается предельная растворимость. При Т 2300 К значительная...

Номер патента: 953683

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Агеев, Гуторенко, Красовский, Мечетин, Павлов, Тонтегоде, Якшинский

МПК: H01J 40/06

Метки: прибора, тренировки, фотоэлектронного

...подают импульс напряжения противоположной полярности величиной 15-4,0 10рабочего напряжения с передним фронтом в пределах 10 -10 с.-9Способ реализуется следующим образом,Прибор после обработки шелочнымиметаллами подключают к стенду, которыйобеспечивает подачу необходимых напряжений.На электроды прибора подают напряжение рабочей полярности величиной от 0,9 20до 1,1 рабочего значения. При этом проыисходит затягивание электрическим полематомов щелочных металлов на вершинымикровыступов на поверхности анода, ихионизация и испарение, При более ихокнх 25напряжениях скорость ионизации будеточень большой и произойдет обеднениешелочными металлами прилегающих кмикровыступу участков поверхности.Менылие напряжения недостаточны для зозатягивания...

Номер патента: 928460

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Рутьков, Тонтегоде

МПК: G01N 13/00, H01J 9/42

Метки: агрегатов, адсорбированных, атомов, количественного, поверхности, твердого, тела

...определении адсорбиро.ванных атомов на поверхности твердого тела.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу количественного определенияадсорбированных атомов и их агрегатов наповерхности тв ого тела, включающему на928460 Составитель Л. Дикова Техред Ж. Кастелевич. Редактор Л. Веселовская Корректор С 111 омак Тираж 758 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5Заказ 3254/67 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 гревание валентно-насыщенной поверхности,облучение нагретой поверхносги возбуждающим потоком частиц н последующую .регист.рацию тока ионов цезия, в качестве возбуждающего потока используют частицы цезиевыхсолей...

Номер патента: 356718

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Зандберг, Ордена, Тонтегоде

МПК: H01J 45/00

Метки: ионов, положительных, термоэмиттер

...с выходом грани (110) и рениевые эмиттеры с выходом грани (1000).Цель изобретения - повышение работы выхода эмиттера, что позволяет увеличить эффективность ионизации частиц.Это достигается выведением на рабочую поверхность иридиевой жести грани (111) с последующей термической обработкой эмиттера в прогретом вакуумном приборе, откачиваемом через ловушку с полностью охлаждаемым вакуумпроводом.Исходный материал - иридиевую жесть - предварительно отжигают в промышленной вакуумной печи в течение часа при температуре 1500 - 1700 К, Из отожженной жести вырезают эмиттеры требуемой формы. По конструкции они могут быть подогревными или прямонакальными. Для выведения в плоскость прокатки иридиевой жести грани (111) и для очистки жести от...