C04B 35/468 — на основе титанатов бария

Номер патента: 791699

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Борщ, Горовой, Доброгорская, Лимарь, Мудролюбова, Опихалов, Ротенберг, Старенченко, Ураев, Фрадкина

МПК: C01F 11/00, C01G 23/00, C04B 35/468 ...

Метки: бария, керамического, основе, порошка, титаната

...При перемешивании в раствор всыпают расчетные количества оксидов (или гидрооксидов, или карбонатов) бария и редкоземельных элементов, Сюда же при необходимости добавляют растворы солей элементов, вводимых в конечный материап в качестве добавок. Полученную смесь растворов медленно .вливают в реакторосадитель, куда предварительно вводят аммиак, воду и кристаллический карбонат аммония. Копичества компонентов при попучении 10 кг разных материалов даны в табл. 1.7 79Образовавшуюся суспензию перемешивают дополнительно 0,5-1,0 ч и выпивают на нутч-фипьтр. Осадок отмывают пол постыл от хлор-ионои, Отмытый осадок сушат при, 100-200 С в сушипьном шкафу в течение 10-12 ч, после чего раэмапывают в шаровой мельнице с фарфоровыми шарами в...

Номер патента: 814968

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Боровинская, Мержанов, Попова, Семилетова, Торопов, Улыбин, Червяков, Шипилов, Штейнберг

МПК: C01G 23/00, C01G 25/00, C04B 35/00 ...

Метки: перовскита, синтеза, соединений, соструктурой, шихта

...на поверхности смесивольФрамовой спирали, через которуюпропускают ток до момента началареакции горения в режиме технологического горения, Яркосветящийся Фронтволны горения перемещается сверхувниз со скоростью до 5 мм/с, Длясинтеза соединений со структурой пероксид описанным способом был приготовлен ряд смесей. В процессе горения с помощью пирометра ОППИР - 17измерялась температура образца, Длятитаната бария температура в волнегорения не превышала 1460 С, для двухдругих составов не превышала1800 С. Окончательный продукт вовсех случаях имел рыхлую структуру. Для титаната бария плотностьравна 3-4 г/см , для титаната свинЪца 4-5 г/смз, для титаната свинца5-6 г/см . Для титаната бария полученный продукт имеет зеленоватосерую...

Номер патента: 817016

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Палейко, Пепеляев, Самойлов, Старовойтова

МПК: C04B 35/468

Метки: керамическихконденсаторов, шихта

...шихту пластифицируют, формуют в иэделия и обжигают при 1130-1420 фС в течение 1-5 ч.Применение предлагаемой шихты материала в производстве конденсаторов позволяетповысить выход годных, электрические и.эксплуатационные характеристики,Конкретные примеры составов шихты и свойства получаемого из нее материала в сравнении с известным материалом приведены в таблице.817016 формула изобретейия Составитель В.СоколоваРедактор С.Тараненко Техред, А.БабинецКорректор О Билак Заказ 1225/31 Тираж 660 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва,Ж, Раушская наб., д.4/5Подписное филиал ППП фПатентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 Из приведенных данных видно, что получаемые из предлагаемой шихты керамические материалы...

Номер патента: 831761

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Лимарь, Мудролюбова, Старенченко, Третьякова, Фрадкина

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторов, материал, термо-стабильных

...ул. Проектная,4 ческой мешалкой, помещают 4,15 и2,05 М раствора углекислого;аммонияи 2,56 л, 13,4 И раствора аммиака нпри работающей мешалке вливают через капельную воронку смесь хлористых солей титана, бария, неодима,самарий, висмута со скоростью:(О л/ч. Смесь хлористых солей готовят, сливая 2,15 л 2.19 М растворатитана четырех-хлористого, 2 л дис-,1тиллированной воды, 1,29 л 1,035 Мраствора бария хлористого,0,81 л0,996 М раствора самария хлористого1,22 л 0,996 М раствора неодима хло,ристсго и 0,25 л 1,084 Мрастворависмута хлористого.В конце осаждения рН суспензиидолжно быть 8-8,5. При этом вматочном растворе не обнаруживаютсяионы титана, бария, самария, неодима и висмута, Затем осадок отде-ляют от маточного раствора на нутчфильтре,...

Номер патента: 833831

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Андреева, Веребейчик, Пирютко, Самусина, Фридберг

МПК: C04B 35/468

Метки: стеклокерамическогоматериала, шихта

...г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ацетона, взятых в соотношении 1:1 при отношении твердой.и жидкой фаз 3:40.Диэлектрический материал наносят на алюминиевую фольгу методом электрофоретического осаждения из суспенформула изобретенияШихта для стеклокерамического материала, используемого преимущественно для низкочастотных конденсаторов, содержащая порошки легкоплавкого стекла на основе оксида свинцаи материал на основе титаната бария,о т л и ч а ю щ а я с я тем, чтосцелью обеспечения возможности получения конденсаторов пакетного типас электродами из алюминия за счет,снижения температуры их форМирования,она содержит исходные компонентыв следующем соотношении, мас.%:Легкоплавкоестекло 48,0-50,0Материал на основе титанатабария,зии. Температура...

Номер патента: 846915

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Давыдов, Ищенко, Микушевич, Свидерский

МПК: C04B 35/468

Метки: двухниточного, прямоточногопарогенератора, пуске, регулированияпри

...системы. Схема содержит регуляторы 1, 2 и3 питания, воздействующие на регулирующие клапаны 4 и 5 потоков и питательный насос 6 аи регуляторы 7 и8, поддерживающие давление среды попотокам 9 и 10 воздействием на сбросные клапаны 11 и 12 потоков. Схемавключает также дифференциаторы 13и 14 и датчики 15, 6 и 17 положения регулирующих клапанов первого ивторого потоков и регулирующего органа насоса,Схема работает следующим образом,846915 ВНИИ 11 И Заказ 5449/56 Тираж 469 Подписное нлинл ППП "Патент",г, Ужгород,ул.Проектная,4 3При появлении сигнала небаланса на входе регулятора 1 (3 )перемещается регулирующий клапан 4 (5) этого потока и изменяется выходной сигнал датчика 15 (16) положения этого клапана, поступающий через...

Номер патента: 854915

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Калитванский, Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/468, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...изготовленный горячим прессованием,30 содержащий ВаО, ТЮ,ВО, А 10 З при854915 тельно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в течение 1 ч при 1100 С в фарфоровом тигле. После этого стекло выливают на стальную плиту и затем тщательно измельчаютПолученный порошок стекла добавляют к порошку ВаТ 109 в количествах 1,68-9,2 мол.%, далее смесь перемешивают 1,5 ч в фарфоровых ступках. ГП полученного порошка проводят в течение 40 мин при давлении 400 кг/смф. Тподбирают 10 по кривьза усадки. (Плотность образцов определяют гидростатическим взвешиванием. Температурные зависимости Е определяют на частоте 1 кГц с помощью моста Е 8-2).15 Полученные результаты представлены в таблице. Состав, мол. О, км ТсО( Макс Д,м с ВаО ТЮ 2 Са А 1 гО 5100 2...

Номер патента: 912715

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Картенко, Ненашева, Ротенберг

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал, термокомпенсирующих

...К Ящ,в 0 и ЪаОно содержит В 10 еЬпеОз, СаО при ВаО, ВаСО из расчета (16,1-16,3)3следующем соотношении компонентов,мас.4: СаО, В 10 в, Т 10 а, загружают в вибро 1,а 0 18 2-2 1мельницу при соотношении шаров и мае ь В териала (6-4) 1 и смешивают в течеВаО 1 б 1-16 3Ф 1ние 30-60 мин, после чего шихту проВ 1 0 21,2-24,0 каливают при 1473-1523 К с вы е жЬп Оз 0 1-4 1с выдерж з 1 О кой 2 ч. Полученный продукт размалыСаО 0 7-09,9 вают до величины удельной поверхСостав материала соответствует ности 6000-8000 см /г, изготавливаформуле ВаТ 10 ЪСаТОз (1 л 03 ТОд)х ют образцы согласно ГОСТУ 5458-74х Вд 0.3 Тз.О ) г е ь:т. сднМатериалы керамические радиотехниРеальность и оптимальность пред ческие" и измеряюти меряют из электрическиелагаемого...

Номер патента: 935498

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Жуковский, Заремба, Пахомова, Симо, Чернышева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...С, Мигунова Корректор В.Бутяга Редактор А,Гулько Шее ш еш ееееееее Заказ 4150/29 Тираж 641 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 тФеефилиал ППП .Патент, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 Реальность предлагаемого соотношения ингридиентов подтверждается приведением следующих примеров по минимальному, максимальному и среднему значениям, вес.ВП р и м е р 1. По минимуму, В: ВаТ 10 91,26 СМг 0 8,14; МfО 0,60.Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 90,92, затем. добавляют к нему цирконат кальция 8,11 В,и углекислый мар ганец 0,97. Характеристики материала следующие:Диэлектрическая проницаемость,Е 4800-5200Тангенс угла...

Номер патента: 937423

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Васютин, Гурин, Ильюха, Мельник

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: бетонная, смесь

...высокоезначение диэлектрической проницаемостй и наличие пьезоэлектрическогоэффект а.Бетонную смесь готовят следующимобразом,Углекислый барий и двуокись титана подвергают помолу, сушке, брикетированию и обжигу при 14001450 С, Полученный материалдробят для получения зернистого наполнителя. Алюмотитанобариевый цемент готовят из углекислого бария, двуокиси титана и окиси алюминия путем совме-. стного помола, сушки, брикетирования и обжига брикетов при 1450- 1500 С. Брикеты после обжига дробят и подверПредел прочности присжатии, кг/см ; через7 сут Диэлектрические потери(д 8) при 0=1000 В, =50 Гц 7423 4гают тонкому помолу до размера частицменее 0,09 мм.Из полученных порошков готовятбетонную смесь.П р и м е р....

Номер патента: 945140

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Васютин, Ильюха, Левченко, Мельник, Хращевский

МПК: C04B 35/468

Метки: бария, керамического, титаната

...установки, саСодержание воды ниже 53 не обеспечивает процессов гидратации итвердения материала, а выше 73 непозволяет формовать мишень методом. прессования,.о 45Температура ниже 15 С резко снижает скорость гидратации, а выше20 С приводит, из-за быстрого испаФрения влаги, к растрескиванию отпрессованных мишеней.Изготовление мишеней для катодного распыления сегнетоэлектрических.материалов осуществляют следующимобразом,Из сырьевых материалов: углекислого бария, оксида алюминия, двуокиси титана марок МЧ составляют шихту следующего химического соста 40 фва, мас.Ж: ВаО 65,17; А 10 4;Т 102 30,83. Затем проводят мокрыйпомол шихты, Размолотую сырьевуршихту высушивают при 100-105 С,брикетируют и обжигают при 1350400 С.Полученный продукт...

Номер патента: 948973

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, сегнетоэлектрического, шихта

...+5,3 - -3,6,П р и м е р 2. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 97,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 2,0,оксид диспрозия 0,2, углекислый маргенец 0,2 и оксид празеодима 0,1,Характеристики материала в этомслучае следующие; диэлектрическаяпроницаемость Е = 2030, изменениедиэлектрической проницаемости в интервале температур -60 - +125 С составляет +6,8 - -8,2 ь.П р и и е р 3. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 96,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 1,5,оксид диспрозия 1,1, углекислый марганец 0,4 и оксид празеодима 0,5.Характеристики материала в этомслучае следующие: диэлектрическая 5 о 15 20 25 зз л 45 проницаемость Я = 1915, изменение диэлектрической проницаемости в...

Номер патента: 962263

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков ВаТ 10 э в количестве 93,5 мас.Ъ,, затем добавляют к нему, Ъ: МЬ О 3,5;Сеод 1,0, Ву Оз 1,0 ф ЗЬ 0 0,6;МПСО 0,4. 5Характеристики материала в этомслучае: удельное объемное сопротивление1,2 " 10Ом см при 125 фС,диэлектрическая проницаемость Я2530 при 20 фС; ОП р и м е р 2 (по максимуму). Загружают в вибромельницу,в виде порошков ВаТТОЪ в количестве 97 5 мас,ЪУзатем добавляют к нему, Ъ: МЬ, 0 2,0;СеОф 005 3 Эуо 0 3 ЬООМпСО 0,1.Характеристики материала; удельное объемное сопротивление8,5 хх 10 ф Ом.см при 125 С,...

Номер патента: 975672

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Вусевкер, Джения, Крамаров, Морданов, Сокалло

МПК: C04B 35/468, C04B 35/495

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...значение пьезомодуля доз, равное 3 10-Кл/Н, и нестабильность пьеэо модуля 09 к воздействию температуры выше 500 С. Обратимые изменения пьезомодуля 69 в диапазоне температур 20-800 РС составляют более 50, а необ. ратимые - выше 20. 10Целью изобретения является увелинение пьеэомодуля Ви улучшение его стабильности к воздействию температур до 8000 С.Поставленная цель достигается 15тем, что пьезоэлектрический керамический материал на основе В 1 Т 1 ИЬО дополнительно содержит добавку 0,17- 0,50 мас.ф Сг ОзПри этом состав материала в пересчете на оксиды лежит в следуюцих пределах, мас.Ъ: В 1 О 76,28-76,53Т 10 а 8,72-8,75ИЬ 2,ОБ 14,50-14,55 25Сг О 0,17-0,52. ЬОбразцы из предлагаемого материала готовятся.по обычной керамической технологии...

Номер патента: 975680

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве95,0, затем добавляют к нему,:оксид ниобия 1,0;окись самария 2,0оксид иттербия 1,0 и оксид диспрозия 1,0. Характеристики материаласледующие: удельное объемное сопротивление при +125 С= 1"10 э Ом смтангенс угла диэлектрических потерьпри +20 С Фдд = 0,008,П р и м е р 2 ( по максимуму). Загружают в вибромельницу в виде порош.ков титанат бария в количестве 98,0,затем добавляют к нему,В: оксид самария 0,2, оксид иттербия 0,1 и оксид диспрозия 0,2. Характеристикиматериала следующие: удельное объемное сопротивление при +125 Сб 10" Ом см тангенс угла диэлект(орических потерь при +20 С 1 рГ0,012.П р и м е р 3 (по среднему эначениюу....

Номер патента: 977437

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Бойкова, Жуковский, Заремба, Пахомова, Симо

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...соотношении компонентов, мас.%:ВаТ Оэ 84,83-85,93ВаЕгОэ 13,87-15,07МпО 0,10 - 0,20П р и м е р 1 (по минимуму мас,%). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТОэ) в количестве 84,83,Составитель Е. ФельдманТехредМ.Гергель Редактор С. Юско Корректор Ю. Макаренко Заказ 9106/29 Тираж 641 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3 977437затем добавляют в нему цирконат бария(Ва 2 гОз) 15,07 и закись марганца (МпО) 0,1,Перемешивают компоненты в течение 2 - 3 ч,к тонкоизмельченному порошку добавляютполивиниловый спирт, формуют образцы иобжигают их в воздушной среде при 14001450 С. На спеченные...

Номер патента: 986902

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Евдокимова, Корякова, Кузьменков, Хрящева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, шихта

...различных марок, в которых необходимо сочетание материалов по коэффиш- енту линейного термического расширения2,В связи с этим насущной необходимостью является получение керамического материала, обладающего наряду с вьвиеуказан ными свойствами коэфшциентом линейно го термического расширения (КЛТР), лежащим в интервале значений порядка (92-100)10град,Такими значениями КЛТР обладают никель-цинковые и магниевые ферриты высокочастотной грут- пы, отличающиеся рядом преимуществ, и в частности, малыми потерями и малым температурным коэффициентом начальной магнитной проницаемости в широком интервале температур. Известны керамические материалы,синтезировюппае в системе окисловТ 4 С,Ь 0 я. бт Оя Ьояс ССОф имеющиедиэлектрическую проницаемость (Е...

Номер патента: 1004314

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Светлова

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...ВаТ 105 гТ 10, СаТ 10 з, ЕпО, МдО дополнительно содержит Оу 0 при следую 2 3 щем соотношении компонентов,мас.;ВаТ 1 ОЗ78,0-85,05 гТ 10 10,25-15,20СаТ 103 1,25-3,5025 2 пО 1,30-1,50 .ИдО 0,50-1,00У 2 3 1,00-1,50Для йзготовления образцов исхоДые материалы в виде титанатов бари стронция, кальция и окисей цинка,1 ОО 4314 Таблица 1 Пример, 9 5 гтОЗ .СаТОЗгпо МЯО Оу 20 З ВаТ 03 1,3. 78 15,2 3,5 81,5 12,73 10,25 2,77 1,5 0,5 1,25 85 0,5 1,5 Т а б л и ц а 2 Показатели Свойства Изменениедиэлектрической проницаемостив течениегода,- 100ЬЕЕ Температурный.гистерезис,Ъ Пример,9 50 10 - 200 10 с 50 10 - 20010 ф 50" 10 - 200 10 ф 0 +3 25+ 3 40 +312 1,8 6800+ 500 7500+ 500 7000+ 500 15 20 3,5 4ВНИИПИ Заказ 1783/27 Тираж 620 Подписное Филиал ППП...

Номер патента: 1021676

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Варфоломеев, Илющенко, Костомаров, Самойлов

МПК: C04B 35/462, C04B 35/468

Метки: керамический, материал

...ННЫЙ НОМИТЕТ СССР РЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1, Авторское. свидетельствоИ" 832668, кл. Н 01 9 Ю 12, 1979.2 Авторское свидетельство ССУ 692610, кл. С 04 В 35/46, 1978. 0ВаОВ 1 О2 пОА 12.0 личающийся ью снижения диэлектр поецаения сопротиепри 155 ОС и удеаееле он дополнительно сои следующем соотно" ов, мас,Ь34,97-36,29 30,27-31,01 15 13"16 32 11,84-1 3,342,46-3.43 1 Д,89 0,28-0 58+155 С еБорат цинка Керамический спек Ва йа В 1 Т 1 А 1 а 695 О,Ф 5 39 Г О,ОО 5 12 1 95 5+2 О+1 0 385+2 5 ИО 3-4 Об 80+2 15+ айдба 81 Т 10 ПрототипЗаказ 3982/17 ВНИИПИ Госу по делам 113035, МосПатент", г. Ужгород, ул. Проектная,филиал Т 10 Ид Оа 3 В 1 О2 3 А 1 0 Состав, материала, мас.3 Мимическая формула Ва йд. В 1 Т 1 6,9266 О,176 Ъ 9 Ю 2 Вао Мс 1В 1 Т 1 А 1 О 09...

Номер патента: 1028644

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Аборинская, Андреев, Андреева, Бертош, Голубцова, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: сегнетокерамического, шихта

...и углекислый марганец, дополни.тельно содержит окись празеодимаи двуокись титана при следующемсоотношении компонентов, мас.Ъ:ТитанатбарияПятиокисьниобия 1,4-2,0 650,05-0,3 Окисьдиспрозия 0,1-1,0ОкисьиттербияУглекислыймарганец 0,05-0,3Окисьпразеодима 0,2-1,5Двуокисьтитана 0,1-1,0Компоненты шихты перемешиваютв вибромельнице в течение 2-3 ч,в результате чего получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либораствор каучука, а затем получаютобразцы либо прессованием дисков,либо отливкой через фильеру пленки,на которую наносят палладиевые электроды. Образцы обжигают при 1360,1420 С в течение 2-4 ч и получаютдисковые или монолитные заготовкиконденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического...

Номер патента: 1031953

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Акимов, Мяльдун, Павловская, Панов, Соколовский, Яруничев

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал

...(7 Ю"- 5 10 ) Ом м.Цель. изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления.Указанная цель достигается тем, ,что керамический материал на основе твердых растворов ВаТ 10 - Ва 2 го 3- МдНЬ 20 дополнительно содержит ЯЬ 203 при следующем соотношении компонентов. мас.Ъ".Ват 1 О 84-90,45Ва 2 гО 8 у 20-14,80М 9 ИЬгЪ 0,40-1,30ЯЬ 203 0,05-0,80Ионы сурьмы, входя в кристаллическую решетку твердого раствора ВаТОЗ - Ва 2 ГОЗ - МдНЪ 206, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношениемежду компонентами ВаТ 10 З, Ва 2 гОЗ иМ 9 БЬ 206 берется таким, тобы точка5 Кюри была вблизи 15-30 цС,Оптимальная добавка ЯЬ 20 находится в пределах 0,05 - 0,8 мас.6...

Номер патента: 1035015

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Дорохова, Жуковский, Ревина, Сорокина

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, шихта

...В, КЛС ( 2 .Однако крупнокристаллическаяструктура керамики (основной размеркристаллов 8-16 мкм) весьма затрудняет возможность использованиявго в качестве диэлектрика в тонкопленочных монолитных конденсаторахс высокой удельной емкостью.У материала-прототипа такженаблюдается резкая зависимостьдиэлектрической проницаемости оттемператур обжига изделий, причемвысокая Е/Е (порядка 13000) достигается только при температурах обжигаИ 380 С. 65 Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости,уменьшение размера кристаллов и расширение интервала температур обжига.Указанная цель достигается тем,что шихта для изготовления керамического материала, преимущественнодля многослойных конденсаторов, содержащая титанат бария,...

Номер патента: 1058941

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Акимов, Мурая, Плевако

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал

...мас.Ъ:Ватда77,20-80,50МЯВЪС 0,10-3,00ЯгТ 10 16,50-22,70Сущность изобретения заключается в том, что содержание ионов маг-ния и ниобия в койденсаторном материале обеспечивает повышение ди-78,60 20,30 1,10 20200 Как видно из приведенных данных, бО технические преимущества полученного конденсаторного материала оптимального состава заключаются в том, что он обладает значительно более высоким удельным объемным элект- б 5 электрической проницаемости и удельного электросопротивления. Ионымагния и ниобия, входя в кристаллическую решетку твердого раствораВаТО- ЯгТО, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрическойпроницаемости. Соотношение междуВаТдо, ЯгТхо и МЯИЬео 6 беретсятаким, чтобы точка Кюри была вблизи...

Номер патента: 1077867

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Акимов, Плевако, Шимченок

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...диапазон спекания,оптимальная добавка оксида бария 10 находится в пределах 4,00- 7,00 ипри дальнейшем ее увеличении происходит снижение диэлектрической проницаемости, укрупнение кристаллических зерен в керамическом материале, 15 повышается тангенс угла диэлектрических потерь, При добавках оксидабария меньше 4,00 не достигается вы 1сокое значение диэлектрической про" ь ницаемости, а температурный коэффи" ь 2 О циент емкости становится хуже.Положительный эффект достигаетсяза счет добавки в керамический материал смеси, состоящей из Ч О,М 90, ЯЬО и ВаО. При введении каж дого из этих веществ в отдельностиполученный эффект незначителен.Сегнетокерамический материал получают по общепринятой керамическойтехнологии. Приготавливают смесьиз...

Номер патента: 1085964

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Андреев, Андреева, Балакишиева, Голубцова, Жуковский, Константинов, Костомаров, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...состана, мас,Ъ:"Ь 2 0,3 - 3,00,3-3,0"2"0,4-4,0Нцт;"Э Остальноеданный материал имеет величину ди электрической проницаемости Е /Г2300-700, а изменение Г в интервалетемператур от -60 до +125" С не превы -мает +20 Ъ, тангенс угла диэлектрических потерь 0,012-0,018 21. 50Однако этот материал не обеспечинает получения величины диэлектрической проницаемости Е/фЕ;, более2600, а также тангенса угла диэлектрических потерь менее 0,012, что 55является его существенным недостатком,Пель изобретения - увеличение диэлектрической проницаемости и уменьшение таыгепса угла диэлектрических 60потерь. Указанная пель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий НяТ 109, ИЬ 20, 002 или его концентрат"Ь 20 э,...

Номер патента: 1096700

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Гольцов, Клубович, Мальцев, Мамчиц, Михневич, Нахрова, Ремова

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: сегнетокерамического, шихта

...дополнительно 45 содержит смесь оксидов бария и бора или смесь оксидов бария и бора с оксидом элемента, выбранного из группы включающей кальций, фосфор и германий, при следующем соотношении 50 компонентов, мас.7; Смесь титаната барияс модицифирующими добавками, выбраннымииз группы, включающейцирконаты, станаты,титанаты щелочноземельных металлов и оксиды редкоземельныхметаллов 98,5-99,8Смесь оксидов барияи бора или смесь оксидов бария и бора соксидом элементавыбранного из группы,включающий кальций,фосфор и германий 0,2-1,5Оксиды бария и бора берут в следующем соотношении компонентов, мас.7.:Оксид бария 35-55Оксид бора 45-65Смесь оксидов бария и бора а окси.дом элемента, выбранного из группыкальций, фосфор и германий, содержитсмесь...

Номер патента: 1102790

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Гольцов, Клубович, Мамчиц, Михневич, Морозова

МПК: C04B 35/468

Метки: бария, качества, титаната

...конденсаторов на их основе, приведенными в табл. 1,Как следует из табл. 1, все партии титината бария соответствуюттребованиям изобретения 2, однакотолько партии 2 и 3 обеспечивают изготовление качественных конденсаторов с более низким количеством брака.Партии 4 и 5 при удовлетворительных электрических свойствах отличаются высоким процентом брака: заготовки партии 1 неспечены и имеют низ,кие значения К. Таким образом,известный способ не позволяет эффективно оценить пригодность ВаТьОдля изготовления высококачественныхматериалов и конденсаторов.Целью изобретения является повышение эффективности оценки пригодностититаната бария для изготовлениякерамических конденсаторов с высокойемкостьюуказанная цель достигается тем,что согласно...

Номер патента: 1209665

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Акимов, Павловская

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, конденсаторов, материал

...Таблица 1 Содержание компонентов, мас,7 Состав ВаЕгОэ МдИЬг 06 БЬ 20, Хп 0 МОЗ А 1 г 03 ВаТь.О 83,10 14,42 О 01 Оь 02 0,80 1,20 0,45 1,09 О, 12 0,26 0,21 11,94 85,98 88,55 1,00 0,90 0,05 0,02 8,18 1, 30 25 Таблица 2 Относительная диэлектрическая проницаемость( = 1 кГц) Пробивноенапряжение,В/м)х 10 Удельноеобъемное сопТангенс угла диэлектрических потерь8 10 Состав ротивление (ом,м/х . 10 24000 48000 31200 6,3 0,82 0,90 0,30 0,90 1,80 6,1 Составитель В, Соколова Техред З.Палий Корректор И. Муска Редактор Н, Яцола Заказ 457/32 Тираж 640 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изОбретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к производству...

Номер патента: 1244129

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Андреева, Балакишиева, Бертош, Голубцова, Горонович, Жуковский, Ротенберг, Соловьева, Суслина

МПК: C04B 35/468

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика...

Номер патента: 1258825

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...10МпСО05Оксид из граз12588 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами ческих конденсаторов.Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре. 10Предлагаемую шихту для изготовюления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.Предварительно известным в керами ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г. Измельченные спеки,Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон 20 денсаторов...