Керамический материал

е св СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН БРЕТЕНИЯ ЕЛЬСТВУ 20/29-3 АЛ.83кимоев,и 3 Бюл. Ф 28в, В.Э.ПавВ.Р.Соколо А.Мяльдун 88.8 ) аю- пьвыаем 6 с- ротиврант нии вска кий,56 1. Авторское свидетельство СС9 785243, кл. С 04 В 35/00, 1980,2. Авторское свидетельство СССР9.654581, клъ С. 04 В 35/46, 1979(прототип ). 84,00-90,45 8, 20-14,80 Ою 40-1 ю 30 0,05-0,80 УДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ К АВТОРСНбМУ СВ 21) 3399 (22) 01.046) 30.0 72) А.К.А В.П.Ярунич Л.И.Панов 133) ббб(54)(57) ЖРАИИЧЕСКИЙ МАТЕР основе твердых растворов Ва Ва 2 г 05 - И.сВЬ 06, о т л и ч щ н й с я тем, что, с целью шения диэлектрической прони ти и удельного объемного со ления, он дополнительно сад ЗЬО при следуюцем соотноые компонентов, мас.:Ват 1 ОЗВа 2 хО 3М 90 Ь 206ЯЬ 2 ОЗКомпоненты 90,45 84100 14,80 8 бг 70 12,00 Ват 1 ОВа 2 п 03Мять 2 О 6 8,201,30 1,10 0,40 2 3 0,05 0,80 0,20 Изобретение относится к керамическим материалам, может быть использовано в электронной технике для изготовления низкочастотных конденсаторов с большой Удельной емкостью.Известен керамический материална основе окислов цинка, бария, титана, висита и ниобия, который имеет большие диэлектрические. потери и может быть использован лишь в производстве низковольтных Конден- саторов 1 .Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является материал на основе твердых растворов Ват 1 ОЗ - Ва 2 гОЗ - МЧБЪ 20 2.Керамический материал содержит .компоненты при следующем соотношении, мас.:Ват 103 83,2"90,6Вашего 8,0-16,0М 9 ИЬ 26Недостатком материала является относительно невысокое значение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления.Материал имеет диэлектрическую проницаемость (12-20)10 З,. тангенс угла диэлектрических потерь 0,4- 3,0 )10 ", удельное о 9 бъемное сопротивление (7 Ю"- 5 10 ) Ом м.Цель. изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления.Указанная цель достигается тем, ,что керамический материал на основе твердых растворов ВаТ 10 - Ва 2 го 3- МдНЬ 20 дополнительно содержит ЯЬ 203 при следующем соотношении компонентов. мас.Ъ".Ват 1 О 84-90,45Ва 2 гО 8 у 20-14,80М 9 ИЬгЪ 0,40-1,30ЯЬ 203 0,05-0,80Ионы сурьмы, входя в кристаллическую решетку твердого раствора ВаТОЗ - Ва 2 ГОЗ - МдНЪ 206, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношениемежду компонентами ВаТ 10 З, Ва 2 гОЗ иМ 9 БЬ 206 берется таким, тобы точка5 Кюри была вблизи 15-30 цС,Оптимальная добавка ЯЬ 20 находится в пределах 0,05 - 0,8 мас.6 иг зпри дальнейшем увеличении ее количестна диэлектрическая проницаемость,1 О удельное объемное сопротивлениеуменьшаются, а диэлектрические потери увеличиваются.,Кроме того, несколько уменьшается температурныйдиапазон спекания, а температурная5 зависимость Е становится хуже. Еслиже добавка ЯЬ 20 З меньше, чем0,05 мас.В,несколько повышается температура спекания, а диэлектрическая проницаемость и удельное объемное сопротивление уменьшаются.Для получения кинематическогоматериала приготавливают смесь иэпредварительно синтезированныхВат 1 О , Ва 2 гОз, МцЫЬ 2 Об и ЯЬ 2 ОЗ,взятых в необходимых соотношениях,и затем измельчают. Из смеси получают образцы прессованием в видедисков, которые обжигают в электрической силитовой печи при 13501400 С в течение 2 ч.Для получени конденсаторного керамического материала готовят трисмеси ингредиентов, составы которыхпредставлены в табл. 1. Электрические свойства полученных конденсаторных керамических материалов приведены в табл. 2. Применение предлагаемого керамического конденсаторного материала в микросхемах и радиоэлектронных компонентах позволяет уменьшить габариты изделий путем повышения удельной емкости н уменьшения размеров, и эко номить драгоценные металлы, исполь" 45 зуемые для электродов.+85 С, 8 е 60 С т тащ ее 8,0 3 26800 0,01 0,8 еееее аа Составитель Н. СоболеваРедактор О. Сопко Техред О,Неце Корректор В. Вутяга т тттавтттЕтттттттттт тщтттщттттттщтттттвщтвЗаказ 5320/27 Тирацк 622 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5т филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 твтееееееееаветт Диэлектрическая проницает, мость ФУф(1 кгц 2 22300 2 42000(ом м 10 Относительное изменениеЕ при Т+85 фС и. Т еа 60 С по сравнению с Епри Т = 20 фС,. в,8 75 80 82 88 74 83