Шихта для сегнетоэлектрического керамического материала

(54) ЮИХТА ДЛЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛАЙзобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления керамических конденсаторов.В настоящее время как в отечественном, так и в зарубежном конденсаторостроении для изготовления сегнетокерамических конденсаторов используют, преимущественно, материа" лы на основе титаната бария. Однако . эти материалы имеют либо недостаточно высокую диэлектрическую проницаемость Е либо температурная стабильность дб/Я в интервале рабочих температур недостаточно хороша.Для промышленности необходимо иметь монолитные конденсаторы с температурной стабильностью емкости в интервале температур -60 - +125 фС. в пределах + 10.Известен конденсаторный сегнетокерамический материал на основе твердого раствора системы ВаТ 10 з-В 1 ОТ 10 с добавками МЬОи СОО с диэлектрической проницаемостью+125 оС не более + 104, но недостаточно высокую диэлектрическую проницаемость 1. аНаиболее близкой к изобретению является шихта для сегнетокерамического материала 121, имеющая следующийсостав, мас.:Титанат бария 94-97Оксид титана 0,5-2,6Оксид ниобия 1,0-2,0Оксид диспрозия 0,4-2,0Углекислыйго марганец 0,1-0,4Материал, изготовленный из даннойшихты, имеет величину диэлектрической проницаемости 1600- 1800 и изме 948973 4нение емкости в интервале температур -60 - +125 фС не превышает +103.Однако известный материал не обеспечивает получение диэлектрическойпроницаемости более 1800.Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.Указанная цель достигается тем,что шихта для сегнетоэлектрическогокерамического материала, содержащаятитанат бария, оксиды ниобия и диспрозия и углекислый марганец, дополнительно содержит оксид празеодимапри следующем соотношении компонентов, мас,3;Титанат бария 95,5-97,5Оксид ниобия 1,0-2,0Оксид диспрозия 0,2-2,0Углекислыймарганец 0,2-0,6Оксид празеодима 0,1-0,9Реальность и оптимальность предлагаемого соотношения ингредиентовподтверждается приведением нижеследующих примеров по их минимальному,максимальному и среднему значениям,мас.3.П р и м е р 1, Загружают в вибромельницу в виде порошка титанатбария в количестве 95,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 1,0,,оксид диспрозия 2,0, углекислый марганец 0,6 и оксид празеодима 0,9,Характеристики материала в этомслучае следующие: диэлектрическаяпроницаемость Я = 18 10, аизменениедиэлектрической проницаемости в интервале температур -60 - +125 С составляет +5,3 - -3,6,П р и м е р 2. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 97,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 2,0,оксид диспрозия 0,2, углекислый маргенец 0,2 и оксид празеодима 0,1,Характеристики материала в этомслучае следующие; диэлектрическаяпроницаемость Е = 2030, изменениедиэлектрической проницаемости в интервале температур -60 - +125 С составляет +6,8 - -8,2 ь.П р и и е р 3. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 96,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 1,5,оксид диспрозия 1,1, углекислый марганец 0,4 и оксид празеодима 0,5.Характеристики материала в этомслучае следующие: диэлектрическая 5 о 15 20 25 зз л 45 проницаемость Я = 1915, изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур -60 - +125 С составляет +5,8-6,31.Предлагаемый сегнетокерамическийматериал получают следующим образом,Указанные в примерах 1-3 компоненты перемешивают в вибромельницев течение 2-3 ч и в результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют раствор поливинилового спирта, либо растворы каучукаили поливинил-бутераля, а затем получают образцы либо прессованием дисков,либо отливкой через фильеру пленки, на которую наносят палладиевыеэлектроды, Образцы обжигают при 13601400 С в течение 2-4 ч и получаютдисковые или монолитные заготовкиконденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала,Предлагаемый материал имеет величину диэлектрической проницаемости1800-2000, Конденсаторы, изготовленные из этого материала, имеют высоЬСкую стабильность емкостиф 10 фо2.ов интервале температур -60 - +125 СКак видно из приведенных данных,величина диэлектрической проницаемости предлагаемого материала на153 выше и составляет= 18002000, в то время как у известного материала Е = 1600- 1800, Более высокаядиэлектрическая проницаемость предлагаемого материала приводит к значительно более качественным конденсаторам, так как конденсаторы в этом случае имеют более высокую удельную емкость.Кроме того, отсутствие в составепредлагаемого материала дефицитнойокиси висмута позволяет получсатьмонолитные конденсаторы с более дешевыми палладиевыми электродами, ане с дефицитными платиновыми, чтоприводит к экономии драгоценных металлов,Формула изобретения Шихта для сегнетоэлектрического керамического материала, преимущественно для изготовления монолитных конденсаторов, содержащая титанат бария, оксиды ниобия и диспрозия и углекислый марганец, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что, с целью повышеСоставитель Н. ФельдманРедактор С. Тимохина Техред 3. Палий Корректор Л, Бокшан Тираж 641 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Заказ 5693/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 5 94897 ния диэлектрической проницаемости, она дополнительно содержит оксид празеодима при следующем соотношении компонентов, мас.Ф:Титанат бария 95,5-97,5Оксид ниобия 1,0-2,0Оксид диспрозия 0,2-2,0Углекислый марганец 0,2-0,6Оксид празеодима 0,1-0,9 3 6 Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРИ 474862, кл. С 04 В 35/00, 1973 2. Авторское свидетельство СССРУ 692812, кл. С 04 В 35/40, 1978