Керамический материал

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК М 50 С 04 В.з ЕТ ССС И ОТНРЬ ГОСУДАРСТВЕ ПО ДЕЛАМ И И ЕНИЯ,45 Плен ак твердого теАН БССР Техиологи риков. М. 204. етельство 35/00, 1(прототип),(54) (57) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛк содержащий ватдоэ и маньо, о тл и ч а в ц и й с я тем, что, с целью повыаения удельного. объемного сопротивления, он допсйнительно содержит ЗгТ 103 при следуюцем соотнсваении компонентов, мас.Ф:ВаТ 10 77,20-80,50 М 8 БЬрОЬ 0 10-3,00 ВтТ 10 . 16,50-20,701058941 510 15 20 25 30 35 40 Компоненты, мас.Ъ Диэлектрическаяпроницаемость1=1 кГц Тангенсугла диэлектрическихпотерь)о "Удельное объемноесопротивление, 10 ф ОмМ мккк о 6 ВаТ 3. О ВгТО 850 С 60 С 77,20 22,70 0,10 12800 0,8 61 0,6 54 86 4,3 80 73 1,8 80,50 16,50 3,00 15600 1,5 68 Изобретение относится к производству керамических материалов,предназначенных для использованияв радиоэлектронике и электротехнике.для изготовления низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью,известны керамические материалы в системе ВаТО - ЯгТО 8 . Материалы в этой системе имеют точкиКюри от +120 С до -180 С. Но максимальное значение диэлектрической проницаемости в рабочем диапазоне температур не превышает11000 Ц .Наиболее близким к данному является конденсаторный материал 12состава, мас,%:ВаТ.О 3 83, 2-90,6Ва Ег ОВ -16МЯТЬ О 61О, 8-1,4Материал имеет высокие значениядиэлектрической проницаемости,достигающие 30000, однако имеетнедостаточно (710 - 5 ф 10 ОМем)высокие значения удельного электрического сопротивления.Цель изобретения - повышениеудельного объемного сопротивления,Укаэанная цель достигается тем,что керамический материал, содер"жащий ВаТ 10 и мяЯЪО 6 , ДОполнительно содержит ЯгТО при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ:Ватда77,20-80,50МЯВЪС 0,10-3,00ЯгТ 10 16,50-22,70Сущность изобретения заключается в том, что содержание ионов маг-ния и ниобия в койденсаторном материале обеспечивает повышение ди-78,60 20,30 1,10 20200 Как видно из приведенных данных, бО технические преимущества полученного конденсаторного материала оптимального состава заключаются в том, что он обладает значительно более высоким удельным объемным элект- б 5 электрической проницаемости и удельного электросопротивления. Ионымагния и ниобия, входя в кристаллическую решетку твердого раствораВаТО- ЯгТО, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрическойпроницаемости. Соотношение междуВаТдо, ЯгТхо и МЯИЬео 6 беретсятаким, чтобы точка Кюри была вблизи 15-30 фС,Оптимальная добавка Май 20- нахо" дится в пределах 0,1-3,00 мас,Ъ и при дальнейшем увеличении ее количества диэлектрическая проницаемость, удельное объемное. сопротивление уменьшается, а диэлектрические потери увеличиваются, Если же добавка МЯБЬО 6 меньше 0,1 мас.Ъ несколько повышается температура спекания, а эффект увеличения диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления незна-чителен. Конденсаторный материал получают по общепринятой керамической технологии. Приготавливают смесь из предварительно синтезированных ВаТ 10, ВгТ.О и МЯВЪ 206 взятых В необходимых соотношениях и затем измельчают, из смеси получают заготовки прессованием в виде таблеток, которые обжигают в электрической силитовой печи при 1380- 1420 вС с выдержкой при конечной температуре в течение 2 ч,Готовят три смеси ингредиентов. Каждая смесь спекается в электрической силитовой печи. Электрические свойства полученного конденсаторного керамического материала приведены в таблице,Относительное изменение диэлектрической проницаемости, В (по сравнению с Т=2 ФС)при росопротивлением при сохранениивысоких значений диэлектрическойпроницаемости по сравнению с известными конденсаторными материалами,используеььми для изготовления низкочастотных конденсаторов.1058941 Составитель Н. фельдманРедактор О, .Колесникова ТехредС.Легеза Корректор О. Тигрр Заказ 9699/21 Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Яосква, Л, Раушская наб., д, 4/5филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Технология получения предложен-ного конденсаторного материала неотличается от технологии получения известных и широко применяемых в промааленности материалов,