Шихта для изготовления керамического материала

Номер патента: 342138

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бергманис, Матис

МПК: G01R 27/26

Метки: анизотропии, диэлектрической, коэффициента, проницаемости

...в свою очередь подключен к счетному входу цифрового частотомера 10. Выход измерительного генератора 7 и выход опорного генератора 11 подсоединены ко входу смесигеля 12, а выход последнего через делитель частоты 13 подключен к управляющему входу цифрового частотомера 10,Устройство работает следующим образом, Измерительные электроды 1, 2, 3, б прикладываются к исследуемому материалу и в нем возбуждается электрическое поле. Причем электроды 1 - 3 создают поле, силовые линии которого замыкаются в плоскости ХОЛ (ось 2 перпендикулярна плоскости электродов и на чертеже не показана), а электроды 1, б, б создают поле, силовые линни которого замыкаются в плоскости УОЕ, Таким образом, емкость первого измерительного конденсатора (образованного...

Номер патента: 548761

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Воробьев, Косолапов, Лукин, Лукина, Чайковский

МПК: G01D 1/02

Метки: заполнения, коэффициента, порошковой, проволоки, сварочной, шихтой

...устройство.Устройство содержит подмагничивающую обмотку 1, размещенную на П-образном сердечнике 2, трансформаторного преобразователя, выполненного из монолитного ферромагнитного материала. С обеих сторон сердечника 2 смонтированы направляющие втулки 3 и 4, имеющие с целью концентрации магнитного потока коническую форму. Обмотки переменного тока 5 и 6 трансформаторного преобразователя размещается между торцами втулок 3 и 4. Обмотка постоянного тока через стабилизатор тока 7, фильтр 8 и выпрямитель 9 соединяется с трансформатором 10. Первичная обмотка переменного тока 5 запптана от генератора повышенной частоты 11, соединенного, в свою очередь, с тем же трасформатором 10 через стабилизатор напряжения 12.Вторичная оомотка...

Номер патента: 922100

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Бондаренко, Гольцов, Мальцев, Панич, Стембер

МПК: C04B 35/01, C04B 35/495

Метки: керамического, пьезоэлектрического, шихта

...до рохожде.ния через сито 10000 отв/см , есЛи совмещают операции смешивания и помо ла. (Мао,еь -1 о,аэ )М ЬОз получают обжигом смеси МааСОз 1.1 СО и МЬОк при 900 С в течение 5 ч. Стекло .полу. чают сплавлением Е 1 СО, Ма СОз, ВОз СеО, АОз и МЬОд в платиновомтигле при 1150"1200 С в течение 1 ч с последующей закалкой на воздухе,Из полученной шихты формуют заготовки диаметром 12 мм и толщиной 4 мм при 800 кг/см , Обжиг проводят при 1140 С на воздухе, скорость подъемаотемпературы 150-200 С/ч, охлаждения 100-150 С/ч.Обожженные образцы шлифуют до толщины 1 мм и на плоские грани вжигают ;серебряные," 1 электроды. Поляризацию проводят при 140 С и 45 кВ/см в течение 0,5 ч.Значения температуры обжига плотностидиэлектрической проницаемости 6...

Номер патента: 1013435

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Андреев, Бендовский, Гузман, Дымов, Когос, Суханов

МПК: C04B 35/195, C04B 38/00

Метки: газопроницаемого, керамического, шихта

...смесь совместного помола талька,электрокорунда и глины образует ма- б 5.териал,кордиерит с. коэффициентом термического расширения много меньше,чем коэффициент термического расширения материала крупнодисперсного корунда 2,510 6 и 910-б град-соответственно. Это ведет к образованиюспецифической микроструктуры материала вследствие создания при охлаждении микрозаэоров между зернами крупнодисперсного корунда и тонкодисперсной составляющей шихты.Для получения исходной шихты ккрупнодисперсному монофракционномукорунду размер зерен 400-100 мкм)добавляют ионкодисперсную смесь совместного помола талька, электрокорунда и глины, проходящую через сито10000 отв/см и образующую в процессе термической обработки богатуюкордиеритом фазу,Массу увлажняют,...

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...