Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 19) 1) 4 С 04 В 35 ЕННЫЙ КОМИТЕТ ССЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ ГОСУДАРС ПО ДЕЛА ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К(53) 666.638(088.8) ХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА, включающая ВаТО, СаЕгО, ВЬО и МпСО о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью повышения стабильности значений емкости в интервале температур от - 60 до +125 С ио повышения удельного сопротивления керамики, она дополнительно содержит 1 Ь, О Эу, 0 и Раб Оц 1 при следующем соотношении компонентов, мас. 7.:ВаТдО 95 ь 15 97 ю 25 СаКгО 0,75-0,85 НЬ, О 1,3-2,0 МпСОэ 0,1-0,32 30,1-0,3Ву,в, 0,1-0,8Ргб 0,2-0,8,-о бСНиже приведеныемсй шихты, мас,7.:Состав1 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ктехнологии керамических диэлектриков,и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических 5конденсаторов.Цель изобретения повышенИе - стабильности значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика конденсаторов, заготовки которых обжигают при: 13401390 С в течение 2 ч. При этом сегонетокерамический материал имеет диэлектрическую проницаемость Я =:29303100, диэлектрические потери ср 3к 10 = 0,6-0,9 и изменение емкости в температур от -60 более +157. составы предлагаСостав Состав 2 39612 97 в 25 0,8 . 0,75 Ватз.о, СаЕтО, 1 Ь, О. ТЬ,О Ву,о,95,15 0,85 1,65 2,0 0,1 0,2 0,3 0,8 0,45 Рг 0 0,8 0,5 0,2 МпСО . 0 1 0 2 0 3 Свойства сегнетокерамического конденсаторного материала из предлагаемой шихты подтверждаются результатами испытаний и приведены в таблице,Сос- тавы Электрические свойства дС 2 Е.Р 10 СРч 10 Сдо Ом см0,9 + 15 1,8 Оэ 7 + 15 4 в 5 0,6 + 14 7,8 1 3100 2 3000 3 2950 Составитель В. СоколоваТехред Л.Олейник Корректор А, Тяско Редактор К. Волощук Заказ 3769/25 Тираж 640 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д . 4/5
СмотретьЗаявка
3816586, 27.11.1984
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-1695
БЕРТОШ ИВАН ГРИГОРЬЕВИЧ, ГОЛУБЦОВА ЛИДИЯ АЛЕКСАНДРОВНА, ГОРОНОВИЧ ЗИНАИДА МОИСЕЕВНА, СОЛОВЬЕВА ЛИДИЯ АЛЕКСЕЕВНА, СУСЛИНА ФАИНА МИХАЙЛОВНА, АНДРЕЕВА НИНА АЛЕКСАНДРОВНА, ЖУКОВСКИЙ ВЯЧЕСЛАВ ИЛИОДОРОВИЧ, РОТЕНБЕРГ БОРИС АБОВИЧ, БАЛАКИШИЕВА ТАТЬЯНА АДИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
Опубликовано: 15.07.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1244129-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetokeramicheskogo-kondensatornogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала</a>
Низкотемпературный сегнетокерамический конденсаторный материал
Номер патента: 1791428
Опубликовано: 30.01.1993
Авторы: Дорохова, Кускова, Пахомова, Продавцова, Ротенберг, Рябинина
МПК: C04B 35/46, H01G 4/12
Метки: конденсаторный, материал, низкотемпературный, сегнетокерамический
...82,44 - 89,24 Цирконат кальция 5,34 - 7,52 Оксид неодима 0,77 - 1,41 Пентоксид ниобия 0,24 - 0,56 Оксид цинка1,36 - .1,88 Углекислый марганец 0,05 - 0,19 Цинкоборатное стекло 3,00 - 6,00При этом цинкоборатное стекло имеетследующий состав, мас.%Оксид цинка 47 - 53 Оксид бора 38 - 42Оксид калия 1,8 - 2,2 Оксид натрия 1,0 - ,1,6Оксид свинца 4,4 - 5,0Оксид бария 1 8 - 2,2Керамический материал йриготавливали по следующей керамической технологии,Сначала готовят состав керамики сухимпомолом в вибромельнице в течение 1;5 - 2ч. Загрузку компонентов пройзводят согласно укаэанному соотношению компонейтов;титанат бария, цирконат кальция, оксид неодима, пентоксид ниобия, углекислый марганец, оксид цинка, Помол производят доудельной поверхности...
Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1474149
Опубликовано: 23.04.1989
Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...
Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1271850
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Бертош, Котляр, Ларичева, Мамчиц
МПК: C04B 35/468, H01B 3/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...цирконата кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 12201300 С и затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Измельченные спеки и оксид цинка, .взя-тые в заданном соотношении, смешивают и измельчают в течение 1-2 чдо удельной поверхности 5000 -7000 см 7 г. Полученную таким образомшихту используют для получения диэлектрика конденсаторов по известнойв керамическом конденсаторостроенинтехнологии. 10 15 Состав и свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов приведены в табли- в це,держание компонентов, масСостав ВаТз.0 СаЕ БгТО Еп 200 О,-48 О 2 78 5,5 1,3,0 О,8600 0,8 7 Составитель Л, КосяченкоТехред И.Попович Коррект Редактор Н, Яцола ск Заказ 6307 24 40 Поого комитета СССРий и...
Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1308598
Опубликовано: 07.05.1987
Авторы: Бертош, Давыдова, Ларичева, Мамчиц
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном...
Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1631056
Опубликовано: 28.02.1991
Авторы: Дорохова, Ревина, Ротенберг, Рябинина
МПК: C04B 35/46, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...помо ики еровкой В таблице аль резиновоишарами в т це сныминой пле че ены с авы шихты чецие 2-4 а 0,4-0,5 ят дополн БК до уде ее 2 м 2/г ч до удельм/г, постельный по -хараканной о р м ис тики ты мате л а и олученных из ука верхностио произво иалов, о б р тени ьной похт то егнеток го мате мельнице рамического кониала, включающая о е ерхности не ГОСУДАРСТНЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретсцие относится к малам радиоэлектронной техники и рдиотехники и может быть использоно в производстве однослойных игослойцых моцолитцых керамических 1 зобретение отцоси радиоэлектронной техники и может быт(51)5 С 04 В 35/46 Н 01 С 4,/12мЫ,ФР 3 2низкочаст отцых конденс атор ов по группе Н 90. Для повышения диэлектрической...
Предыдущий патент: Композиция для изготовления декоративно-облицовочного материала
Следующий патент: Способ изготовления безобжиговых периклазоуглеродистых огнеупорных изделий
Случайный патент: Ветросиловая установка