Способ получения искусственных алмазов

Номер патента: 411037

Авторы: Голянов, Демидов

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е,ц 4 П 037ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеслублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М. Кл. С 01 Ь 31/06 Гасударственный комитет Совета 1 йинистроа СССР по делам изооретениР н аткоытий(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСКУССТВЕННЫХ АЛМАЗОВ 20 Предмет изобретения Изобретение относится к способам получения искусственных алмазов из графита.Известен способ получения алмазов из углеродсодержащего вещества на затравку в вакууме путем осаждения ионов в электрическом поле со скоростью, обеспечивающей при соударении давление не менее 6 104 кг/см.Однако при этом способе необходимо затравочный кристалл и невозможно получение покрытий из искусственного алмаза на других веществах.Для упрощения процесса и получения покрытий из искусственного алмаза предлагается использовать катодное распыление графита в магнитном поле при низком давлении инертного газа - криптона 10- - 10-4 тор и низкой температуре (меньше 100 К) с осаждением нейтральных атомов углерода на любую твердую охлаждаемую подложку из нескольких источников распыления.П р и м е р. Для получения покрытия, пленки из искусственного алмаза на меди берут подложку из листовой меди размером 10 К Х 18 мм и толщиной 0,5 мм. В качестве материала катодов используют чистый графит и подвергают его катодному распылению при следующих условиях: давление инертного газа-крептона 10- тор; парциальное давление водорода меньше 2 10 втор; парциальныс давления азота, кислорода и паров воды меньше 10 - " тор; напряжение между анодом и катодом 4 кв; ток разряда 4 ма; напряженность магнитного поля 700 эрст; температура стенок реакторной камеры около 78 К (температура жидкого азота); количество катодов 2 шт. При указанных условиях на меди образуется покрытие, пленка из искусственного алмаза со скоростью 5 а/мин,Предлагаемый способ обеспечивает полу О чение покрытий из искусственного алмаза типа карбонадо практически на любой твердой подложке. Возможно изготовление многослойных покрытий типа сэндвич, а также свободных пленок. Способ может найти при менение в микрорадиоэлектронике, сверхпроводящей технике, технике защиты металлов от агрессивной среды, ювелирной промышленности, электронной микроскопии. 1. Способ получения искусственных алмазов из графита в вакууме с использованием 25 электрического поля, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью упрощения процесса и получения покрытий из искусственного алмаза, процесс ведут с использованием катодного распыления графита в магнитном поле прн давлении ЗО инертного газа 10 - " - 10 - 4 тор с осаждением4 И 037 Составитель Н. Семенова Техред 3, Тараненко Редактор Н. Корченко Корректор Н. Аук Заказ 3656/3 Изд, Мо 144 Тираж 537 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 нейтральных атомов углерода на охлаждаемую твердую подложку по крайней мере из двух источников распыления.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества алмазного покрытия, например увеличения его удельного электросопротивления, процесс ведут в охлаждаемой реакторной камере при температуре подложки ниже 100 К,3. Способ по п. 1, отличающийся тем, 5 что в качестве нейтральной и инертной среды используют криптон.

Смотреть

Заявка

1708806

В. М. Гол ЯНОВ, А. П. Демидов

ГОЛЯНОВ В. М, ДЕМИДОВ А. П

МПК / Метки

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, искусственных

Опубликовано: 05.08.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-411037-sposob-polucheniya-iskusstvennykh-almazov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения искусственных алмазов</a>

Похожие патенты