Способ получения изображения в прозрачных материалах

О П И С А Н И Е 329899ИЗОБРЕТЕНИЯИ АВТОИЗОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Соаетсииа СоциалистичесиинРеспублин Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 29,И,1970 (М 1456138/26-25) М. Кл. присоединением заявк Комитет по деламобретений и отар;1 тийри Совета ЬЬиистроаСССР ПриоритетОпубликовано УДК 621,328(088.8 11.197 юллетеиь Ъ ата опубликования описания 18.1 Ъ.1972 вторызобретеци Л. М. Ершова, К. В. Киселева,и Ю. В. Милютиненина Физический институт им. Вавилов В КраснопевН. Лебедева 3 аявител ЕНИЯХ ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБР В ПРОЗРАЧНЫХ МАТЕРИА предложенного способа создавалось в прозрачках размером 50 К 50 лтлтвырезанных из естеоктаэдров. На поверх- накладывалась металной 50 мкм, в которой путем было вытравлено е (комбинации плоских При осуществлении скрытое изооражение цых алмазных пластин 5 ц толщиной 300 мклт,ственцых алмазных ность такого образца лическая маска толщ фотолитографическим 0 требуемое изображениИзобретение относится к технике создания скрытых изображений и их последующего пооявления и может быть использовано для длительного хранения информации, не обнаруживаемой при визуальном (даже микроскопическом) рассмотрении, в частности, для маркировки особо ценных алмазов.Известно несколько способов создания скрытого изображения на различных материалах и его последующего проявления: фотография, магнитная запись, получение изображения с помощью фотоэлектронов и др.Основным недостатком известных способов является разрушение скрытого изображения под действием каких-либо внешних факторов, таких как химически активные среды, свет, нагрев, электрические и магнитные поля.Цель изобретения - получение изображения, невидимого в обычном и поляризованном свете и устойчивого к воздействию внешних факторов.Цель достигается путем бомбардировки прозрачного материала ионами какого-либо элемента с последующим отжигом в вакууме.На поверхность монокристалла алмаза накладывают металлическую маску с требуемым изображением, а затем образец подвергают бомбардировке ионами. Толщину маски подбирают так, чтобы ее сплошные участки полностью задерживали ионы, тогда внедрение последних в образец происходит только через отверстия маски и конфигурация облучениых областей оказывается в точном соответствии с требуемым изображением, В результате этой 5 операции на поверхности ранее бесцветногообразца возникает изображение темно-бурого цвета, а внутри его создаются поля упругих искажений кристаллической решетки, контуры которых в точности совпадают с контурами 10 требуемого изображения. Прц термообработке в вакууме видимое изображение исчезает, цо внутреннее упругое изображение полностью сохраняется. Присутствие такого скрытого изображения нельзя установить путем ви зуального рассмотрения (включая микроскопическое) как в обычном, так ц в поляризованном свете. Однако его наличие в кристалле легко устанавливают с помощью известного метода рентгеновской дифракццонной топогра фии (метод Лэнга).Корректоры: В. Петроваи Е. Ласточкина Редактор И. Орлова Заказ 870/1 Изд.350 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская иаб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3геометрических фигур), после чего образец подвергался бомбардировке ионами фосфора с энергией 40 - 50 кэв дозой 10 т 4 см-в.Поскольку помимо внутреннего упругого изображения появлялось и цветное поверхностное, пластинки подвергались последующему термическому отжигу, в результате чего цветное изображение пропадало. При облучении ионами фосфора с указанными выше энергией и дозой достаточно было отжигать образец в течение 30 мин при 80 С. Сформированное по предлагаемому способу изображение термически устойчиво до 1200 С, не разрушается под действием света, электрических и магнитных полей, кислот, щелочейи любых органических растворителей,Предмет изобретения 5 Способ получения изображения в прозрачных материалах, например алмазе, методом облучения через шаблон, отличающийся тем, что, с целью получения изображения, невидимого в обычном и поляризованном свете и 10 устойчивого к воздействию внешних факторов,облучение осуществляют бомбардировкой, например, ионами фосфора с энергией 40 - 50 кэв и дозой 1014 см-в с последующей термообработкой в вакууме, например, при тем пературе 800 С в течение 30 мин,