Устройство для измерения мальгх потерь в тонких

ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ В 6124 Союз Советских Содиалистических Республикависимое от авт. свидетельства Маявлено 03,7,1966 (Ло 1078234/26-9) л. 21 ат, 7 присоединением заявки МПК 6 0 г ПриоритетОпубликовано 16 т 1.1Дата опу.блнксвания Комитет по дела зобретении и открытилри Совете МинистровСССР ДК 621,317.384(088.8, Бюллетень М 11 сания 1.11.19 вторыобретения Л. Н. Дерюгин, А. Н, Марчук и В, Е. Сот явитель СТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАЛЫХ ПОТЕРЬ В ТОНКИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ В СУБМИЛЛИМЕТРОВЪХ ДИАПАЗОНАХ ВОЛНн при созда етляю пционцелей. 5 х пле- котоа. Су.та п 1 к и спо- рферочи яв- примеванный ез одну ань под о внутре ез,из б излуч ерез за ым пол луч от газового грань призмы 2, члост тт, превыннего отражения атем, отражаясь, ения. Часть энер критический слой ным внутренним Линеино псляризо лазера 1, проходя чер падает та другую гр шающим угол пслног на границе сред ь и попадает в приемник гии лазерного луча ч 3 (слой с нарушенн В субмиллиметровых диапазонах вол меняются пленки из диэлектриков для ния микроволновых волноводов, просв щих покрытий, изготовления интерфере ных фильтров, зеркал и для других Важным показателем качества подобнь нок является величина тепловых потерь рая в большинстве случаев весьма ма. ществующие устройства для измерения потерь, основанные на фотометрическо сбе или способе многолучевой инте метрии, обладают малой точностью и ляются сложными для практического пения. Предлагаемое устройство для измерения малых потерь в тонких диэлектрических пленках с использованием явления нарушенного полного внутреннего отражения отличается ст известных тем, что исследуемая пленка размещена на одной из границ трехгранной диэлектрической призмы, на которой нанесен тонкий слой из диэлектрика с проницаемостью, меньшей диэлектрической проницаемости исследуемой пленки и призмы. Лазер и приемник расположены напротив двух других граней призмы. Кроме того, исследуемая пленка и призма находятся на поворотном основании, служащем для изменения угла падения луча лазера на пленку. Это позволчет повысить точность измерения малых потерь в субмиллитметровых диапазонах волн,На чертеже изображено описываемое устройство.Оно содержит газовый лазер 1, служащий источником линсйно поляризованного моно хроматического и малорасходящегося луча, диэлектрическую призму 2 с проницаемостью ее, тонкий диэлектрический слой , выполняемый из диэлектрика с проницаемостью ез, исследуемую пленку 4, обладающую диэлектрической проницаемостью ет, поворотное устройство б, используемое для вращения призмы 2 и изменения угла падения ср луча лазера 1 на пленку 4, а также приемник 6 излучения, отраженного от пленки 4.Между диэлектрическими проницаемостями призмы 2, диэлектрического слоя 3 и пленки 4 должно выполняться соотношениеее) Ы е 4) ез(:осааг сги Х. НгусиТсхрд Т. П. Курлко Коррскоры: Б. Н. Гу аоааи и. И. Быстров 1 слакоИ. Корчсчко За;аа 1 о 24 3 Тиран 535 Поди исиосЦНИППП Коаигста ио;сгак иаопрстсиии и откриги ири С.о;сто .11 иисроа (;СтЧоскпа, 11 сптр, ир. Ссипа, 4 Типографии, игп Гапуио,а, 2 отражением) проникает в 11 сслсдуезуо пленку 4 и возоуждает в ней поверхностную волнуЕсли горизонтальйая составляющая волноаого вектоуа падающего луча в призме 2 и собствечная постоянная распространения по. верхноЕтнойЬонв в направлении Х в плепк.;4 достаточ 1 ТО близки, то это возбуждение носит резонансный характер. При этом напря женность поля в слое может во много раз превышать напряженность поля в падающем 10 луче. Настройка системы в резонанс легко осуществляется изменением угла падения тр. от которого зависит горизонтальная составляющая волнового вектора падающего луча. При наличии в пленке 4 тепловых потерь 16 часть энергии падающего луча будет поглощена в этом слое, и коэффициент отранксн От грани, 11 а которОЙ разме 1 цепа пленка становится не равным единице. Б момеи указанного резонанса коэффициент отражс ния достигает минимума.При заданных значениях диэлектридеских проницаемостей сред в., ва, в 4 и толщине Й пленки 4 минимальное значение коэффициента отражения зависит от угла потерь в пленкс 25 4, а также от толщины Ы закритического слоя 3. При некоторых Оптима;ьньх зпяче;ях то;1 щи ы Ы минимальное значеше коэффициента отражения равно нулю.Расходимость луча лазера (газового), работающего в непрерывном режиме с плоскими зеркалами, составляет малую величину порядка 10-ф, Использование такого лазера допускает применение предлагаемого устройства дл измере пя величин угла потерь б.- 10 Устройство для измерения малых потерь в Гонких диэлектрРческих пленках В суомилли. метровых диапазонах волн с применением лазера в качестве источника излучения, а также приемника излучения, отлтаОщеегя тем, что, с цеьо повышения точности измерения, исследуемая пленка размещена на одной из граней трехгранной диэлектрической призмы, на которой нанесен тонкий слой из диэлектрика с проницаемостью, меньшей диэлектрической проницаемости исследуемой пленки и призмы, а лазер и приемник расположены напротив двух других граней призмы, причем исследуемая пленка и призма размещены на поворотном основании, служащем для изме. нения угла падения луча лазера на пленку,