Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок

Номер патента: 205372

Автор: Август

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетскив Социалистическив Республикиорите Комитет по делам аооретений и открытий при Совете Министров СССР) Опубликовано 13,Х 1,1967. БюллетеньДата опубликования описания 30.1,1968 Авторизобретения. И. Август итехнический институт им, В, И. Лен арьковскии аявител РЕНИЯ ПОЛЯ АНИЗОТРОПИИ ТОНКИХМАГНИТНЫХ ПЛЕНОК СПОСОБ А, С - постоянные, зависящие от метода измерения и свойств пленки.Величина х(0), пропорциональная з 1 пО, определяется с помощью датчика, основанного на магнитооптическом эффекте, с соответственно расположенными съемными витками, а э.д.с., получаемая со съемных витков, в общем случае, интегрируется.Максимальная амплитуда величины х(0), наблюдаемая, когда поле вдоль легкой оси - Н =О, запоминается и, в момент, когда при увеличении этого поля амплитуда х(0) уменьшается в и раз по сравнению с максимальным значением, величина поля Н измеряется (по мгновенному значению тока в перемагничивающих катушках), Если измеренное мгновенанизо. осной 2 Н, неизменна не меняется з тат измерений чения составля с методом опр толщиной памплитуда поляпостоянных А и С рения, то результ абсолютного зн и, т. е. не связан й составляющей Еслиличинамя измвисит оиндукциния этои т. п,Описаотсутств е зающейделе- ленки при ниц Известны способы измерения поля тропин тонких магнитных пленок с одно анизотропией,Г 1 редложепный способ отличается тем, что для осуществления непосредственного измерения поля анизотропии пленки в процессе ее изготовления вдоль оси трудного намагничивания пленки формируют меняющееся по знаку поле с амплитудой, меньше амплитуды поля анизотропии, а вдоль оси легкого намагничивания создают магнитное поле, амплитуду которого меняют от нуля до значений, больших поля анизотропии, фиксируют максимальное значение индукции вдоль оси трудного намагничивания и ес текущее значение и при достижении заданного отношения максимального значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор Утехина Заказ 4595/19 Тираж 535 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова. д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 направление вектора намагниченности удовлетворяет известному уравнению Стонера - ВольфартаН, з 1 п 6 соз О = Нгсоз О - Нс з 1 п О, (1) где; Н, - поле анизотропии пленки;Нт - поле вдоль трудного направления; Нс - поле вдоль легкого направления;О - угол между легкой осью и направлением вектора намагниченности пленки. Поле Нт. считаем совпадающим по направлению с направлением проекции вектора на. магниченности на легкую ось.При Нс =О, НтНуравнение принимает вид Нк -(2)При постоянном поле Нг прикладываем поле Нс до тех пор, пока з 1 п(0) не уменьшится в п раз, уравнение (1) для этого случая записывается в виде Решая совместно уравнения 2 и 3, получаем Для Нт Н, уравнение (4) упрощается 5 /где Лв ) - то значение поля Нт. , при коп)тором з 1 пО уменьшается в и раз.Например, для п=2 Н=Ьс- ) . При Нт((0,5 Н, что соответствует 6, 28. Ошибка, как следует из уравнения 4, не превышает Зо/о, поэтому для малых полей Нг и небольших и использование упрощенной формулы (4) является вполне допустимым. Предмет изобретенияСпособ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок с одноосной анизотропией, отличающийся тем, что, с целью осуществления непосредственного измерения поля анизотропии пленки, в процессе ее изготовления, вдоль оси трудного намагничивания пленки формируют меняющееся по знаку поле с амплитудой, меньшей поля анизотропии, а вдоль оси легкого намагничивания создают магнитное поле, амплитуду которого меняют от нуля до значений, больших поля анизотропии, фиксируют максимальное значение индукции вдоль оси трудного намагничивания и ее текущее значение и, при достижении заданного отношения максимального значения к текущему, измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания.

Смотреть

Заявка

1106416

В.И. Август Харьковский политехнический институт В. И. Ленина

МПК / Метки

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-205372-sposob-izmereniya-polya-anizotropii-tonkikh-magnitnykh-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок</a>

Похожие патенты