Патенты с меткой «электронографического»

Номер патента: 938335

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Гиричев, Петров, Петрова

МПК: H01J 37/26

Метки: ампула, высокотемпературная, газовой, исследования, молекул, фазе, электронографического

...Корпус блока 1 выполнен из металла, обеспечивающего высокую теплопроводность,Радиационный нагрев блока 1 осуществляется бифиаяриым нагревателем 4, выполненным из вольфрамовой проволоки, Нагреватель 4 изолирован от корпуса блока1 алундовыми трубками 7. Верхняя камера 5 контейнера полностью находится вверхнем блоке 1, что обеспечивает постоянство температуры но всей длинеэтой части контейнера. Нижний блок 2позволяет нагревать нижнюю камеру 8контейнера до заданной температуры. Прин 35цип нагрева нижнего блока 2 и конструктивное оформление бифилярного нагревателя 4 полностью аналогичны описаннымдпя верхнего блока 1 вы:окотемпературной.ампулй, Контейнеры крепятся в верхнем блоке 1 или в нижнем блоке 2 припомощи винтов 9, 10 и 11. Верхний...

Номер патента: 1341528

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Беляевская, Звягин

МПК: G01N 1/28

Метки: изучения, минералов, подготовки, последующего, разбухающих, слоистых, структурного, электронографического

...керамика и т.д.).Целью изобретения является обеспечение изучения 10-20 мг образца, упрощение и ускорение процесса за счет исключения отмывки от калийсодержа щего раствора и раэмачивания.П р и м е р 1. 10 мг порошка изучаемого вещества асканита помещают на предметное стекло, затем на него наносят каплю 0,01 н. раствора КОН 20ои высушивают при 100 С, Высыхание определяют визуально. Всего проводят 75 циклов размачивания-высушивания в течении 1,5 ч.На электронограмме от подготов ленного образца асканита появились дискретные рефлексы. С использованием этих рефлексов и учетом распределения интенсивностей выявляют специфику структуры асканита. 30П р и м е р 2. 5 мг порошка изучаемого вещества нонтронита помещают на предметное стекло,...

Номер патента: 1822954

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Алиев, Исмаилов, Султанов, Шафизаде

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кинетики, переходов, пленках, тонких, фазовых, электронографического

...подводится к неподвижной щели датчика с фотоэлектронным мнО- жителем и фиксируется на ней, При этом размер щели датчика устанавливается больше ширины дифрвкционной линии с уче 1 ом смещения линии в процессе нагрева исследуемого объекта, исключая попадание дру- ф гих линий спектра в данную щель. После 00 установления необходимой для фазового пе- срехода в исследуемом объекте температуры запускается регистрирующая стойка электронографа и производится запись кривой 1 у зависимости интенсивности линии от температуры, т. е. основной экспериментальный +ф материал, с помощью которой строятся кинетические кривые фазовых превращений.Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических элекгронограмм с фоторегистрацией и их...