Патенты с меткой «структурных»

Номер патента: 1502985

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Графов, Львов, Павлихин, Шапошников

МПК: G01N 15/08

Метки: образцов, проницаемых, структурных, характеристик

...сливом).В качестве газа применяют воздух,предварительно пропущенный через воду, например путем барботажа (нена1502985 В случае невозможности подобрать соответствующее сочетание материал жидкость либо при малом различии между сигналом и шумом прп регистрации параметров ударных волн применяют поверхностно активные вещества, приводящие к увеличению коэффициента поверхностного натяжения на границе раздела фаз. Для уменьшения окружающего фона используют шумопогло щающий экран. Формула и э обретения 40 Р = - соз 6) дгде (Г - поверхностное натяжение,8 - краевой угол смачивания, 20характеризующий материалы границы фаэ;Й - искомый диаметр.Момент схлопывания фиксируется однозначно прибором, исключая субъек тивный фактор, а интенсивность...

Номер патента: 1511646

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Веселков, Дымант, Рыбаков

МПК: G01N 21/27

Метки: времен, днк, переходов, растворе, релаксации, структурных, характерных

...температуры с последующим вычислением характерных времен релаксации, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа за счет сокращения време. ни анализа, быстрое изменение температуры раствора ДНК осуществляют периодически с заданной частотой с помощью термоэлектрических преобразова телей, составляющих боковые стенки кюветы спектрофотометра, а вычисление характерных времен релаксации проводят на основании анализа зависимости оптического поглощения от частоты температурных колебаний. Составитель А,СпундэРедактор А.Ревин Техред .И,Верес Корректор А.Обручар Заказ 5895/46 Тираж 789 ПодписноеВНИИЙИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5...

Номер патента: 1539655

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Кондратов, Кошкаров, Кошкарова, Черняева

МПК: G01N 30/06

Метки: зернистых, параметров, структурных

...0,80 см/г при температурах 34; 45;, 59; 75 С соответственно ДН = 19,3 кДж/моль.Повышают температуру термостата с 75 до 81 С и продувают слой адсорбента гелием в течение 30 мин,затем в колонку вводят н-гептанАдсорбат-н-.гептан, несорбирующийся компонент - воздух. Значения Чн-гептана на графите равны 3,25;2,40; 1,48; 1,05 смз/г при температурах 29; 40; 51; 63 С соответственно, ЕН = 31,2 кДж/моль.Рассчитывают эффективный удельный удерживаемый объем.по соотно/ шению,Ч = Сц 1/ш, где С - исправленное время удерживания, 1 - поправка на сжимаемость газа .Повышают температуру термостата с .63 до 98 С и продувают слой ад-. сорбента гелием в течение 30 мин, а затем вводят в колонку 1-метилнафталин.Адсорбат - 1"метилнафталин, несорбирующийся...

Номер патента: 1543333

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Василенко, Кринкер, Мовшиц

МПК: G01N 27/22

Метки: измеритель, структурных, характеристик

...электрического наг" ревателя и т,д., поток лучистой энергии через прозрачную обкладку кассеты 4 воздействует на часть 2 объекта 2-3, в результате чего передний фронт тепловой волны проникает в глубь объекта, повышая его температуру. Каждая иэ частей объекта 2-3 характеризуется своими физическими параметрами: температуропроводностью, температурным коэффициентом диэлектрической про1543333 Предлагаемый измеритель позволяетпроводить эффективный контроль слоистых и неоднородных материалов, 10Формула изобретения ницаемости (ТК) и т,д. Гсли часть 2имеет положительный ТК, то первоначально емкость С объекта 2-3 возрастает (левая цасть графика на фиг. 2,кривая 8),После вхождения фронта тепловойволны в часть 3 объекта 2-3 временной ход кривой...

Номер патента: 1550384

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Бавина, Крылов, Кукушкин

МПК: G01N 21/78

Метки: изомеров, качественного, структурных, фенилендиамина

...количестве не менее 1 мг на 5 мгиндикаторного реагента для кислой среды (рН от 5 и ниже) и не менее 10 мкгдля щелочной (рН 10-12), Реакционнуюсмесь нагревают на водяной бане 1015 мин при 80-100 С и по цвету раствора судят о наличии той или инойизомерной формы фенилендиамина. 0 С и по цвету раствора аличии того или иного ого изомера фенилендиамина руемой пробе.м е р 1, К 5 мл водного раКОэС 1 2 НО с концентрацимг/мл добавляют подкисленный 5 анализируемый раствор, со" не менее 100 мкг о-фенилени смесь нагревают на водяе 10 мин при 80 С. Вначавор приобретает красно-кор а затем изумрудно-зеленую 2. мп водного ра НО онцентрацией вляют подщелаченный доодкисленный до рН5раствор, содержащий не1550384 Способ качественного определения сТруктурных...

Номер патента: 1389435

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Бондарец, Зеленов, Лейкин, Мингазин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, неоднородностей, объеме, распределения, структурных

...уравнений (2) - (5)Второй вариант, когда приемная 5щель удалена от поверхности ББ нарасстояние, большее расстояния междуэтой поверхностью и точкой ЬРасстояние Х между приемной щелью и поверхностью БУ в этом случае опреде Оляется соотношением (6), где Хописывается формулой (15). Ширина Еприемной щели должна, быть одновременно не более Е, и длины отрезка,параллельного поверхности ББ и соединяющего прямые ПЬ и РЬ за ихпересечением в точке Ь, либо не менее расстояния между границами ПЬпучка 21 и П Ь пучка 21 в, плоскостиприемной щели, Второй случай расположения приемной щели описывается системой уравнения (3) (6) - (8),Третий случай, когда приемная щельрасположена в окрестности плоскости наложения друг на друга пучков 2521 и 21,...

Номер патента: 1583809

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/207

Метки: искажений, монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных

...0 припо 45 верхностных слоях кристалла толщиной0,2-50 нм.На заданном кристалле выбираетсясемейство кристаллографических плоскостей, составляющих угол ( с поверхностью кристалла. Это условие необходимо для того, чтобы дифракционное рассеяние пространственно разделилось с лучами, испытывающими простое полное отражение. Поскольку интенсивность ДЗП определяется интенсивностью "хвоста" кривой дифракционного отражения, то из практических соображений имеет смысл выбирать 94угол клина на 1-3 меньше угла Брэгга для выбранного порядка отражения,чтобы интенсивность ДЗП была ещедостаточно высокой.Параметры поверхностных слоев(фактор Дебая-Валлера, толщина аморфного слоя) определяют, сравниваяФорму и интенсивность дифракционногозеркальчого пика, а...

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Номер патента: 1599745

Опубликовано: 15.10.1990

Автор: Хатиашвили

МПК: G01N 27/00

Метки: изменений, контакте, поверхностей, радиочастотный, структурных

...своем экране фиксирует весь спектр. При этом возможно использование записи спектра на двухкоординатном самописце, Время, необходимое для перестройки молекул в поверхностном сло например для жидкости, несколько микросекунд, поэтому практически мгновенно получаем спектр электрома нитного излучения на экране импульс ного анализатора спектра,П р и м е р . Берут два вещес с различными химическими потенци .ми, а именно ртуть и дистиллирова - ную воду, и приводят их в соприкосновение. Капля ртути может соприкасаться с водой либо при поднятий жид кости, либо при опускании капилляра со ртутью, либо когда ртуть выкапы"1599745 ния и следящих устройств, что даетвозможность судить о динамике изменений в перестройке и движении молекул в поверхностных...

Номер патента: 1608495

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Беляев, Лурье, Потравнов

МПК: G01N 9/26

Метки: жидкостей, неньютоновских, плотномер, структурных

...плоскости, являющейс симметрии, двух датчиков ния, равноотстоящих от у плоскости, и трубопровод няющего верхнюю часть к выходным патрубком 6. Вх верстие трубопровода 9 р в центре эоны возникнове ционног о течения и смеще лении движения потокаПлотномер работает сл разом. олируемая среда по патрубкуает в полость 3, где растека3 160849 ется вверх и вниз. Пройдя равные пути, среда меняет направление движения на противоположное, попадая в полость 4, откуда вытекает по патрубку 6. Так как датчики 7 и 8 давле 5 ний расположены на равных расстояниях от выходного патрубка 6, а потоки в колонке одинаковы по форме и размерам, то гидравлическое сопротивление путей соответственно от верхнего 7 и нижнего 8 датчиков до выходного патрубка 6 одинаково,...

Номер патента: 1617357

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Кондратов, Кошкарова, Топорова, Черняева

МПК: G01N 30/08

Метки: зернистых, параметров, структурных

...материалов.Цельго изобретения является увеличение числа определяемых адсорбционных параме; ров,На фиг.1 изображена изотерма адсорбции -метилнафталина нд конструкционном графите при различных температурах; на фиг,2 - график зависимости количества адсорбированного вещества А с от удельного удерживаемого объема Чп для 1-метилнафгалина (1) и бензола (2); на фиг.3 - распределение числа активных центров в конструкцион нам (3), спектральном (4), нес;ых материалов методом газовой хроматографии, и может использоваться в физико-химических лабораториях для оценки структуры и адсорбционных свойств латериалов, Пропускают через слой исследуемого материала смеси несорбирующегося и сорбирующегося компонентов, относя щихся к классу ароматических...

Номер патента: 1635260

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Красиков, Ткаченко

МПК: H03M 13/00

Метки: исправления, кодах, ошибок, структурных

...20Блок 2 обнаружения ошибок реализуется в соответствии с логикой исгравления ошибок используемого структурного кода.формирователи 3, 4 импульса могут 25 быть выполнены в виде одновибраторов. Формирователи 4 имеют инверсный вход.В каналах со случайными параметрами возможны медленные отклонения синхронизирующих последовательностей 30 импульсов приемных устройств от оптимальных режимов. Для слежения за оптимальными критериями синхронизации необходимо знать не только факт появления ошибкир но и направление ее смещения (влево или вправо).Для определения одиночных ошибок смещения (двойных ошибок по Хэммингу) блок 2 обнаружения ошибок совместно с регистром 1 должен исправ лять ошибки как минимум дво гатой перейдет из разряда 1.(+) вразряд 1.1,...

Номер патента: 1644391

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Красиков, Любицкий, Минаев, Ткаченко

МПК: H03M 13/00, H03M 13/12

Метки: кодов, коррекции, структурных

...единичный потенциал и производится режим коррекции по амплитуде. Для этого в счетчики 1 заносится на-чальный пороговый уровень (т,е. из всех счетчиков 1 вычитается одноФи то же число, соответствующее порогу по амплитуде), Затем происходит увеличение или уменьшение содержимого всех счетчиков 1 до тех пор, пока узел 4 контроля не выдает информациюо минимальном количестве ошибок, которая снимается с выходов 13,Пороговый выход счетчика 1 находится в единичном состоянии,.еслив счетчике 1 записана комбинация, соответствующая уровню: принятому выше порога (исходного), в противном случае пороговый выход - в нулевом состоянии. После коррекции ошибки, т.е.после достижения минимального количества ошибок, о чем свидетельствуетинформация с...

Номер патента: 1650699

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Забаровский, Загорская, Киселев

МПК: C12N 15/63

Метки: библиотек, вектор, генов, днк, замещения, конструирования, структурных, фаговый

...липких концов и конструирование библиотек без применения метилаз, К кДНК 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 пришиваются линкерь; за 1 (или Х 1 а 1) без предварительной обработки метилазай. Г 1 аскольку рестриктаза зз 1 щепит эукариатическую ДНК редко (один участок узнавания на 50 т.п,н.) и преимущественно в регуляторных областях, которые не представлены в кДНК, то последующий гидролиз кДНК рестриктазой за 1 не приведет к существенному изменению размеров кДНК. После инактивации фермента проводят в соответствующей инкубационной среде частичную достройку липких концов ДНК фрагментом Кленова (или ревертазой) в присутствии г СТР и 0 ТТР. ДНК 15 К 15 гидрализуют рестриктазами Есой 1 и Вап 1 1 и затем проводят частичную достройку липких концов...

Номер патента: 1651179

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бобоев, Митрофанова, Николаева, Филатов, Ярцев

МПК: G01N 25/38

Метки: изменений, оценки, степени, структурных, углепластика

...научных исследованиях и при производстве изделий иэ углепластиков, Цель изобретения - упрощение и повышение информативности способа, Группу эталонных образцов из углепластика подвергают термодеструкции до заранее заданных уровней термического разложения а, определяемых в процентах по массе. Для каждого уровня а определяют прочность ои образцов на изгиб и строят зависимость гъ ( а ), Определяют прочность на изгиб для исследуемого образца и с помощью полученной зависимости судят о степени его структурных изменений относительно эталонных образцов,равной скорости нагрева, и определяют прочность образцов на изгиб Гти . После этого строят зависимость прочности на изгиб от коэффициентов а для эталонных образцов.Для образца с тем же...

Номер патента: 1679290

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Сердюк, Чувин, Чувина

МПК: G01N 15/08

Метки: параметров, пористых, структурных

...подключен к входу реле 51 реверса, соединенному с мотор-редуктором 38, связанному с микропереключателем 52, соединенному с кнопкой 48 "Стоп" и пусковым реле 50. Устройство работает следующим образом.Образец 19 становится в рабочий измеритель 4 давления на установочный диск 21, который под действием веса образца давит на нижний тензодатчик 27, сигнал от него поступает в многоканальный преобразователь 5, регистрирующий блок 8,откладывается в памяти ЭВМ и служит для определения веса образца, что необходимо для определения величины пористости. В корпус 20 вставляется стакан 22 с поршнем и штоком 23 и с помощью винта 25 допускается, проворачивается, пружина 24 поджимает поршень 23 к образцу 19, 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 55 Включается...

Номер патента: 1682928

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Дворкин, Лихтман

МПК: G01N 33/38

Метки: бетонной, изменений, смеси, структурных

...сосуд 1 объемом 2000 см с дном 2 из газопроницаемой и водонепроницаемой оболочки, например из брезента, измерительную трубку 3, соединенную посредством гибкой трубки 4 с воронкой 5 и дном 2 цилиндрического сосуда,Цилиндрический сосуд заполняют с избытком в один прием испытуемой смесью; излишек смеси срезают. Затем со скоростью 600-1200 Па/мин подают воздух одно.,Ж ) 1682928 А 1 быть использовано при контроле самоуплотнения литой бетонной смеси, используемой для густоармированных и тонкостенных сборных и монолитных конструкций. Цель изобретения - контроль самоуплотнения литой бетонной смеси и повышение точности контроля. Самоуплотнение литой бетонной смеси определяют по максимальному давлению воздуха, подаваемому по всему объему...

Номер патента: 1690702

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Губина-Вакулик, Сорокина, Яковцова

МПК: A61B 5/00

Метки: абсолютного, единиц, иммунной, объема, органов, основных, систем, структурных, эндокринной

...- среднее количество точек, попадающих на большую структуру при большомувеличении,Рг - среднее количество точек, попадающих на малую структуру при большом уве-.личении микроскопа,Ч 0 - объем органаи определяют абсолютный объем тимических телец в мозговом веществе долеквилочковой железы.В поджелудочной железе с помощьюсетки Г. Г. Автандилова определяют количество точек, попадающих на панкреатический островок при малом и большомувеличениях микроскопа; количество точек, попадающих на В-клетки при большом увеличении микроскопа. Вычисляют средние значения этих показателей., Затем по указанной формуле с учетом общего количества точек в сетке и объема хвостового отделаподжелудочной железы определяют абсолютный объем В-клеток в островках...

Номер патента: 1693471

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Ревякин

МПК: G01N 15/14

Метки: дисперсных, параметров, потоков, регистрации, структурных

...8)РСНОГО ПОТОКВ, 1 а ВЫХОДЕ ИНТВГРатв)ра 7 формируется огибающий сигнал, кото"рцй поступает на вход блока 6 измерений 1 Одлительностей,Веок 5 формированиЯ и.).,вегитльнь ,"импульсов работает следу)ощим образом.усиленный сйГнэл фотоприемника 4,поступающий на вход бгока 6, гереобразуется блсками 1 О и 11, на Выходе которых формируются сигьаль макси ального иминимаьнОГО уровней. указанные сиГналыуеоступают на перВЫЙ и Второйвходы формиоеателя 12 Опорного нэпряженияна 2 ОВыходе которого формируется сигнал, проГ)орционзльный разности между максимальным и минк)уальнцм уровнями)ОТСЯ Ц)ги ИЗМЕР 1)8 ЛЬ;.)ЫХ ИМПелЬССВ,Б)о 8 измерений,ил)у.тел)вчестей рабе ОТВЕТ Сл:д)Ющивв) ОбрееСигнал с Выхода и -)теграто)э 7 поступг 8) НЗ 1)ХОд ВторОГО...

Номер патента: 1700565

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Елманов

МПК: G06F 17/18

Метки: анализа, распределений, сигналов, структурных

...такте работы 12 Й) на выходе блоков 14 и 15 сформируются соответственно кодыЯ - и - 1 О - и - 1величин исоответст 20 Я - ы - 1венно. Код величины с выхода блока 14 поступает на первые входы блока 18 и коммутатора 27, На выходе блока 18 форми - Я -и -1 25 руются код величины , который затем поступает на вход блока 26, на выходе которого (согласно выражению (4, формируется код величины 30 Ь - 1 =. Я -1 Я -и -1 М ЙКод величины Ьс выхода блока 26 поступает на первый вход блока 29 сравнения и вход регистра 33, на выходе которого сформировано значение Ь-г, поступившее на вход регистра 33 тактом ранее. Значение величины Ь-г с выхода регистра 33 поступает на второй выход детектора 2 перепадов. Выход знакового разряда с выхода блока 18...

Номер патента: 1748662

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Акимов, Курик, Лихарев, Майборода, Перов, Самохин, Тарасенко

МПК: G01N 22/00, H03B 28/00, H05C 3/00 ...

Метки: коррекции, структурных, характеристик

...конденсатора 10 первичной генератор соз. дает в зонах Я, Я и Б право- илилевовинтовое торсионное полеВ качествепервичного генератора5,торсионного; поля может использовать-;,ся конструкция (фиг.7 в), состоящая изчастично вакуумированного сосуда 32,содержащего пары металлов (например ртути, натрия), который помещен в ци".линдрический магнит 34.При подаче на электроды 33 напряжения выше потенциала зажигания в сосуде 32 возникает ток, и ионы паровметалла движутся в магнитном поле поспирали. Движение ионов металлов может быть различным для магнитов с ра-диальной и торцевой намагниченностью.Иагнит 34 может иметь различнуюгеометрическую форму и параметры, нодолжен обеспечивать спиральное движение ионов в сосуде 32.Вместо постоянного...

Номер патента: 1762152

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Осинцев, Соломаха, Черноок, Шелепов

МПК: G01N 1/04, G01N 21/85

Метки: минерализации, образец, панта, степени, структурных, тканей

...помещали в корпус устройства, предназначенного для замера фототока, возбужденного световым потоком, отраженным от эталонной поверхности образца (покрытой пастой) и от исследуемой поверхности образца (не покрытого пастой). За коэффициент относительности световых потоков принимали отношение фототока от исследуемой поверхности образца к фототоку, возбужденному световым потоком, отраженным от эталонной поверхности по формулеобК= - ,1 этгде К - коэффициент относительности световых потоков;об - фототок, возбуждаемый световым потоком, отраженным от поверхности образца, не покрытой пастой;Ьт - фототок, возбуждаемый световым потоком, отраженным от поверхности образца, покрытой пастой,Градуировочный график (см. чертеж) в дальнейшем...

Номер патента: 1765398

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Стариков

МПК: E21C 39/00

Метки: горных, материалами, моделирования, ослаблений, пород, структурных, эквивалентными

...После этого засыпается ровным слоем эквивалентного материала и укатывается.Используя теорию прочности Кулона; основанную на предположении, что сопротивляемость породы сдвигу по рассматриваемой площадке равна сумме сцепления и величины, пропорциональной нормальному напряжению на этой площадке, запишемС =:Т; - щГО,где:Т: - абсолютная величина предельного напряжения сдвига;сдам - коэффициент внутреннего трения (Р - угол внутреннего трения);0 - нормальное напряжение,Испытания по определению сцепления искусственных материалов (бумаги, лавсана, целлулоида) с эквивалентным материалом проведены в матрицах. Так как коэффициент сцепления определяется на единицу площади, замеряют площадь матриц, Полученную нагрузку сдвига относят к площади...

Номер патента: 1790645

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Медянцев, Чепенко

МПК: E02D 31/08

Метки: деформаций, земной, ослаблений, поверхности, подработке, прогноза, структурных

...при подработке структурных ослаблений, включающем закладку грунтовыхреперов, расположенных с обеих сторон отвыхода нарушения на земную поверхность,ориентированных вкрест простирания нарушения, и нивелирование этих реперов, по 30результатам которого судят о характере деформаций, дополнительно осуществляютчастотное нивелирование реперов, по результатам которого определяют ускоренияоседания лежачего и висячего крыльев нарушения, а характер процесса сдвиженияна выходе структурного ослабления определяют по отношению ускорений оседания лежачего и висячего крыльев нарушения,причем при40 ал, а - соответственно ускорения оседания лежачего и висячего крыльев нарушения;В - критерий анизотропии процесса сдвижения,считают, что процесс...

Номер патента: 1780274

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Папета

МПК: C03C 23/00

Метки: кварцевого, примесей, стекла, структурных

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ОТ СТРУКТУРНЫХ ПРИМЕСЕЙ ИЗДЕЛИЙ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА путем термообработки в электрическом поле постоянного тока с величиной напряжения не ниже 0,5 кВ при 800 1300oС не менее 1 ч, охлаждения в поле электрического тока до 600oС и далее инерционного, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональной возможности за счет очистки кварцевого сырья и изделий сложной конфигурации, а также повышения качества изделий за счет исключения кристаллизации поверхности, обработку изделий ведут в токопроводящей среде положительного потенциала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве токопроводящей среды используют кремний, карбид кремния и оксид циркония.

Номер патента: 1490957

Опубликовано: 10.04.1998

Авторы: Боронин, Ворожейкин, Зарипова, Наумов, Петров, Тугушева, Якушева

МПК: C02F 3/34, C12N 1/20

Метки: rhodococcus, активного, бактерий, вод, ила, используемый, нефтехимического, производства, процессе, свойств, седиментационных, сточных, структурных, улучшения, штамм

Штамм бактерий Rhodococcus sp ВКМ Ас-1232Д, используемый для улучшения структурных и седиментационных свойств активного ила в процессе очистки сточных вод нефтехимического производства.