Способ очистки от структурных примесей изделий из кварцевого стекла
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1780274
Автор: Папета
Формула
1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ОТ СТРУКТУРНЫХ ПРИМЕСЕЙ ИЗДЕЛИЙ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА путем термообработки в электрическом поле постоянного тока с величиной напряжения не ниже 0,5 кВ при 800 1300oС не менее 1 ч, охлаждения в поле электрического тока до 600oС и далее инерционного, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональной возможности за счет очистки кварцевого сырья и изделий сложной конфигурации, а также повышения качества изделий за счет исключения кристаллизации поверхности, обработку изделий ведут в токопроводящей среде положительного потенциала.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве токопроводящей среды используют кремний, карбид кремния и оксид циркония.
Описание
Известно, что при нахождении кварца или кварцевого стекла в постоянном электрическом поле напряженностью 10-1500 В/см в течение времени более 1 с при температуре 230оС и выше в материале происходит необратимое перераспределение ионов примесей-носителей заряда. В частности катионы металлов примесей перемещаются от поверхности, прилегающей к положительно заряженному электроду, к противоположной.
Известен и основанный на указанном явлении способ улучшения качества изделий из кварцевого стекла путем приложения к противоположным стенкам изделия разности потенциалов при температуре выше 700оС.
Общим в обоих указанных случаях является то, что внешнее электрическое поле прилагается к противоположным стенкам каждого изделия (ослабляется противоположным по направлению поляризационным напряжением) и является движущей силой, вызывающей направленную миграцию примесей к границе с меньшим потенциалом.
Существенным недостатком прототипа является необходимость оставлять и строго контролировать часть изделия за пределами электрических контактов с электродами. Это необходимо, чтобы избежать короткого замыкания между противоположно заряженными электродами. В результате эффективность очистки указанной части изделия снижается. Вторым недостатком прототипа является то обстоятельство, что применение разности потенциалов ограничивает конфигурацию очищаемых изделий простыми формами, т.е. проблематична очистка изделий, имеющих сквозные отверстия и сложную конфигурацию, а также кварцевых сырьевых материалов с произвольными размерами куска. Третьим недостатком указанного способа является резкое снижение индукционного периода кристаллизации кварцевого стекла изделия со стороны поверхности, прилегающей к отрицательно заряженному электроду, последнее ухудшает внешний вид и эксплуатационные характеристики получаемых изделий.
Целью предлагаемого способа очистки от структурных примесей изделий из кварцевого стекла является расширение функциональной возможности прототипа за счет очистки изделий сложной конфигурации и кварцевого сырья, а также повышение качества изделий за счет исключения кристаллизации поверхности, прилегающей к отрицательно заряженному электроду.
Указанные преимущества достигаются за счет того, что все поверхности очищаемых изделий или кусковых материалов соприкасаются с токопроводящей средой только положительного потенциала.
Процесс очистки интенсифицируется повышением температуры и наиболее эффективно протекает в интервале температур 800-1300оС. Применение более высоких температур не целесообразно ввиду начала оплавления сырьевого материала (что усложняет его дальнейшую переработку), или возможной пластической деформации изделия в процессе очистки. Минимальная величина положительного потенциала, подаваемого к токопроводящей среде, контактирующей с очищаемым изделием, должна равняться 0,5-1 кВ в зависимости от температуры изделия. При более низких значениях потенциала время очистки увеличивается, что экономически не выгодно. Верхний предел значений положительного потенциала ограничивается напряжением на пробой среды и диэлектрических материалов, используемых в качестве технологической оснастки при проведении процесса очистки. Необходимым условием для протекания предлагаемого способа очистки является наличие диэлектрического тока в токопроводящей среде, контактирующей с изделием. При этом величина тока в среде (в отличие от потенциала) не является фактором, непосредственно определяющим степень очистки изделия, и токи утечки через конструкционные элементы оснастки величиной 0,5-1

Типичные схемы реализации процесса приведены на фиг.1-3, где 1 контейнер из диэлектрического материала, 2 очищаемые изделия или материал, 3 токопроводящая среда.
Предпочтительные варианты параметров процесса и материалов оснастки иллюстрируют нижеприведенные примеры.
П р и м е р 1. Объем контейнера из кварцевого стекла или корундовой керамики разделен перегородкой из того же материала на две (лучше неравные) части, как показано на фиг.1. В большую часть контейнера помещаются и пересыпаются графитовым порошком изделия произвольной конфигурации из кварцевого стекла, подлежащие очистке. В меньшую часть контейнера засыпается такой же порошок, но без изделий. Контейнер помещается в печь (не показана). Через отверстия в футеровке печи в засыпку обеих частей контейнера помещаются графитовые электроды, изолированные от элементов печи. Печь с контейнером разогревается до 1100оС, к электродам прикладывается напряжение постоянного тока величиной 6 кВ так, чтоб анодом являлся электрод, помещенный в большую часть контейнера (с изделиями). В процессе 3-х часовой выдержки изделий в указанных условиях, по амперметру, включенному в цепь высокого напряжения, можно наблюдать спадание постоянного тока через диэлектрическую перегородку контейнера от нескольких десятков миллиампер практически до нуля.
Далее печь с изделиями охлаждается с произвольной скоростью, но напряжение постоянного тока отключается только после охлаждения контейнера до температуры не менее 600оС, что необходимо для исключения обратной диффузии примесей из засыпки в изделие. Очищенные изделия не имеют следов кристаллизации, поскольку ни одна из поверхностей в процессе обработки не соприкасалась с отрицательно заряженной средой.
П р и м е р 2. В контейнер из кварцевого стекла в форме тигля


Материал токопроводящей среды, образующейся вокруг изделия, практически эквипотенциальную положительную заряженную поверхность, не ограничивается графитовым порошком. В примерах 1-2 допустима его замена на порошок кремния, карбид кремния, диоксид циркония и другие, имеющие при температурах процесса очистки более высокую, чем кварц и кварцевое стекло, электропроводность.
П р и м е р 3. В печь трубчатого типа с муфелем из кварцевого стекла


Изменение содержания структурных примесей щелочных элементов в кварцевом сырье и стекле изделий, обработанных в соответствии с предлагаемым способом очистки, приведено в таблице.
Использование: получение высококачественных изделий из кварцевого стекла. Сущность изобретения: изделие из кварцевого стекла или кусковой кварц помещают в токопроводящую среду положительного потенциала. Термообработку ведут при 800 - 1300°С не менее 1 ч. Величина напряжения не ниже 0,5 kV. Охлаждают в поле электрического тока до 600°С и далее инерционного. Содержание примесей в зависимости от вида изделия Na+(0,05-1,8)



Рисунки
Заявка
4835934/33, 11.04.1990
Особое конструкторско-технологическое бюро при Заводе "Элвакс"
Папета А. Ф
МПК / Метки
МПК: C03C 23/00
Метки: кварцевого, примесей, стекла, структурных
Опубликовано: 30.04.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1780274-sposob-ochistki-ot-strukturnykh-primesejj-izdelijj-iz-kvarcevogo-stekla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки от структурных примесей изделий из кварцевого стекла</a>
Предыдущий патент: Способ получения карбамида
Следующий патент: Пластичная смазка
Случайный патент: Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его осуществления