Патенты с меткой «структурных»

Номер патента: 744288

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Макарова

МПК: G01N 21/02

Метки: изменений, материалах, прозрачных, структурных

...столика микроскопа типа МИМ,ОсВси 12 Я лампой иа 1(аливаиия В 200 В (с 3иримспением рассеивающего фопа у лампы) разлишые участки выпуклой или вогпутой поверхности линзы.Пример 3, Получение плоского и обьемиого изображения структурных элемситов поверхпости.Освстительиое устройство перемещается1 обязятельио применяется рассеивающийфои) отиосительпо предмета в лк)бом иаиравлсиии параллельно вертикальиои оси 45столика от центра его иа разнос расстояние(максималВ 1 Ос расстояние 170 - 180 мм) взависимости от поверхности полимера 1)кслатсльио под углом 51 гибкос креплениеможет устапавливать осветительное приспособлеиие). Верхний предел вертикальногоположения 50 - 60 мм. При помещении источника света под углом 90 иад центромпредметного...

Номер патента: 773265

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Каменецкий, Конев, Онищенко

МПК: E21C 39/00

Метки: моделей, создания, структурных

...искусственном материале 1, а также блочный способ создания структурных моделей, который предусматривает составление моделей из совокупности блоков различных форм и размеров 21.Недостатки данных способов состоят в том, что невозможно достоверно смоделировать контактные условия на нарушенностях и создать модели с большим числом нарушений,Наиболее близким к изобретению является способ создания структурных моделей, преимущественно горных массивов с геологическими нарушениями, включающий изготовление исходного образца и последующее поочеоедное расчленение и скрепление его по плоскостям моделируемых систем нарушенностей 3.Недостатками этого способа являются невозможность создания системы плоскостей ослабления, направленной под различными...

Номер патента: 873082

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Балашов, Моисеев, Розиноер, Шеин, Шутилин

МПК: G01N 25/02

Метки: материалах, переходов, структурных, температур

...1, разрез А-А) имеет электрическиевыводы 4 для подвода напряжения питания., Узел 5 служит для пьезоэлектрическогораскачивания и фиксирования затухания механических колебаний образца. Измерительная система из узлов 1-5 помещена в термокриокамеру б. С помощью электронного блока 7 через узел 5 осуществляется раскачка образца 1, основы 2, и замеряются механические потери в них.При работе через основу 2 пропускают электрический ток н одновременно с помощью блока 7 и узла 5 возбуждают механические колебания в образ- о це 1 и соединенной с ним основой 2. Затем убирают раскачивающеЕ напряжение и образец 1 с основой 2 соверШают затухающие колебания, которые Фиксируются узлом 5 и блоком 7. Ме ханические потери в колеблющейся системе 1-2...

Номер патента: 935778

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Волынский, Грачев, Кошолкин, Новак, Шараевский, Ясько

МПК: G01N 27/42

Метки: металлического, пористого, структурных, характеристик, электрода

...концентрация электролита, приготовленного в виде раствора хлорида калия, сульфата калия, нитрата калия или аналогичных солей натрия в исследуемом интервале 0,1-10 н,растворов не влияет на величину емкости двойного электрического слояПри этом возможные искажения (диф- . фузионный потенциал) устраняются применением электрода сравнения в том же растворе электролита. Поэтому для измерений могут применяться как разбавленные (0,1 н.), так и концентрированные (10 н.) растворы электролита. Выбранный интервал амплитуд поляризующих импульсов прямоугольной формы определяется с одной стороны разрешаоцей способностью аппаратуры, применяемой нами при измерениях, а с другой стороны электрохимическими особенностями электрода, которые заключаются в...

Номер патента: 991236

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Ханмамедов

МПК: G01N 3/00

Метки: глинистых, испытании, пород, прочность, связей, структурных

...чем вода (Е =81). Это условие характеризует породы коагуляционной структуры, связность которых обусловлена неустойчивыми связями вандерваальсовского молекулярного) взаимодействияНа чертеже изображен график зависимости прочности от диэлектрической проницаемости среды.Способ осуществляется следующим образом.Несколько образцов породы нагружают, например, при сдвиге в средах с различной диэлектрической проницаемостью (воздух, керосин, глицерин, пресная вода и т.д.) и определяют их прочность в этих средах. Затем по формуле 1 ) рассчитывают коэффициент К и в зависимости от его величины оценивают тип структурных связей породы. П р и м е р . Были проведены испытания двух видов образцов глинистых пород. Образцы первого вида получали...

Номер патента: 993958

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Берлин, Бувин, Рабинович, Усачева, Юрина

МПК: A61N 5/00

Метки: изменений, коже, структурных, человека

...(для исследо. вания эпидермиса и 6 см (для исследования кожи на всю ее толщину). Определение проводили на ладонной поверх ности кисти. Для.этого волноводный излучатель подводили к ладонной поверхности кисти вплотную, затем подавали СВЧ энергию длиной 0,6 см и измеряли орошениемощности отраженной волны 2 к показателю й . В среднем эта величина составляла для 8 испытуемых женщин в возрасте 48-66 лет 6,20,5 дБ.Затем на ладонную поверхность кистиподавали СВЧ энергию с длиной волны 39 Иэ таблицы видно, что оценка изме 45 хений показателя Я является эффективным контролем структурных нарушений в коже. Так, в группе, где эти нарушения не выражены; показатель М изменяется в среднем иа 0,8 дБ а вовторойгруппе больных, где отмечены существенные...

Номер патента: 1037297

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Гуров, Русских, Юрков

МПК: G06K 11/00

Метки: географических, карт, кодированных, линий, рельефа, структурных, считывания

...регист"рации информации, первый и второйвходы которого соединены с выходамисоответственно первого и второго блоков сравнения сигналов, третий входподключен к выходу оптико-механичес"кого развертывающего блока, а четвертый вход соединен с выходом блокауправления и третьими входами первого и нторого блоков сравнения сигналон, введены блок фиксации равныхзначений высоты горизонтали, первыйвход которого подключен к выходу первсго блока сравнения сигналов и пеовому входу блока регистрации информации,а второй нход соединен с выходомвторого блока сравнения сигналов ивторым входом блока регистрации инфор.мации,а третий вход подключен к четвертому входу блока регистрации инФормации,к третьим входам первого ивторого блоков сравнения сигналов и.к...

Номер патента: 1048441

Опубликовано: 15.10.1983

Автор: Черных

МПК: G01V 9/00

Метки: глубинного, ископаемых, картирования, обнаружения, объектов, полезных, скрытых, структурного, структурных, целевых

...под глубокое бурение при нефтегазопоисковых работах, в частности, не подменяя обязательной сейсморазведки, локализуют последнюю непосред-, ственно на целевые объекты, сокращая объемы пустых проф:Фей и т.д.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу глубинного структурного картирования, обнаружения и измерения скрытых структурных целевых объектов и полезных ископаемых, включающему глубинно геологицеско картирование деформированных комплексов, измеряют вдоль различных направлений в естественных координа" тах деформографические характеристикикривизны, по меньшей мере, однойбазовой структурной поверхности:радиусы и центры кривизны, выпуклостьнаправления монотонных уменьшенийзначений радиусов и скорость их 5изменений - и в...

Номер патента: 1086376

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Дубовик, Непомнящий, Поколенко, Райхел

МПК: G01N 23/225

Метки: дефектов, структурных

...структуру материала и цефекты; форму и размеры кристаллических частиц и включений, пиквапионных областей, ступеней роста и пр,с высоким разрешением2, 3 .Данный способ не позвопяет контропировать структурные деФекты типа трещин, так как участки угольно-платиновой 50реплики, заполняющие трещины, поврежца1 отся при отцепении реппики от поверхкости объекта.Цепь изобретения - повышение качества контроля структурных цефектов 55типа трещин.Поставленная цепь цостигается тем,что согласно способу контроля структурных цефектов, включающему операциинанесения тонкой металлической ппенкина контролируемую поверхность, отцепения ее с помощью желатины и изучения в электронном микроскопе просвечивающего типа, металлическую пленкунаносят путем...

Номер патента: 1090870

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Дуда, Понасенко, Хямяляйнен

МПК: E21C 39/00

Метки: моделей, создания, структурных

...структурных моделей для определения свойств горных пород.Известен способ создания структурных моделей, включающий изготовление монолитного образца, его разрушение и Фиксацию отдельных частей 1Недостатками этого способа являются малая точность, большая трудоемкость и невозможность моделирования пустотности нарушенного горного массива.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достига мому результату является способ создания структурных моделей, включающий изготовление в Форме образца с заданной системой трещин 2Недостатком известного способа 2 п является трудоемкость изготовления модели.Цель изобретения - снижение трудоемкости изготовления модели.Укаэанная цель достигается тем, 25 что согласно способу создания...

Номер патента: 1103126

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Александров, Афанасьев, Головин, Имамов, Миренский, Степанов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных, тонких, характеристик

...пучком рентгеновского излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и изме-, ряют интенсивность дифрагированного излучения, по которому судят о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикулярно плоскос. ти дифракции и интенсивность дифрагированного излучения в плоскости дифракции измеряют при неподвижном крис. талле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучения с поверхностью кристалла.Кроме того, для различных углов выхода к поверхности кристалла измеряют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падения. На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа,Схема...

Номер патента: 1104411

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Дибров, Мустафин, Селезень

МПК: G01N 29/00

Метки: бетона, изменений, структурных

...два электрода и измеряют разность потенциалов между ними, по которой определяют искомые параметры, в одном из электродов нормально его поверхности возбуждают механические колебания звуковой или ультразвуковой частоты, измеряют величину возникающей при этом между электродами переменной составляющей электрического потенциала, по изменению которой определяют структурные изменения бетона.Сущность изобретения основана на явлении, заключающемся в том, что при возбуждении механических колебаний звуковой или ультразвуковой частоты в гетерогенных системах, к которым относится и бетон, возникает переменный электроки 04411 35 40 45 5 10 15 20 25 30 нетический потенциал, обусловленный относительным перемещением твердой и жидкой фаз.На фиг. 1...

Номер патента: 1133519

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Афанасьев, Бугров, Имамов, Маслов, Пашаев, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, структурных, характеристик

...глубиной выхода электронов 0,2-0,3 мкм, с точностью до4 -10 5, характерной для вторичныхпроцессов,На фиг.1 представлено устройствОдля осуществления предлагаемогоспособа; на фиг.2 - схема; поясняющая эксперимент.Устройство содержит источник 1рентгеновскогоизлучения, кристаллмонохромагор 2, исследуемый, кристалл3, гониометр 4, счетчики 5 и 6 рентгеновского излучения, детектор 7электронов ВЭУ, ось гониометра 8.Способ реализуется следующимобразом. Рентгеновское излучение из источника 1 падает на кристалл-монохроматор 2, находящийся в положении, удовлетворяющем условию дифракции в геометрии Брэгга. Монохроматиэированное и коллимированное излучениефпадает под малым углом 1-5 на исследуемый кристалл 3, сориентированный в положение,...

Номер патента: 1133522

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Брик, Бухбиндер, Ищенко

МПК: G01N 24/10

Метки: исследования, парамагнитных, параметров, свойств, структурных

...сиг. нала поглощения подводимой СВЧ-мощности.В качестве примера осуществления способа можно привести исследование образцов кварца, содержащих центры АР-О, изготовленные в виде прямоугольников 4 х 8 мм при толщине 1 - 2 мм. Для введения поля. в об. разец на последний наносят слои графита, связанные с двумя электрическими контактами. Для этой же цели можно использовать вмонтированный в СВЧ-резонатор 2 конден. сатор, образованный двумя прозрачными для СВЧ-колебаний пластинками (из слюды), на которые нанесены графитовые электроды. Применяемые СВЧ.колебания относятся к типу Нец . Длительность полупериода вводи. мого в образец переменного электрического поля должна быть больше времени дипольной релаксации "1, что необходимо для обеспечения...

Номер патента: 1106250

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Никольский, Скуратова, Толкачев, Филиппов

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, переходов, структурных

...цель достигаетсяблагодаря тому, что в способеанализа структурных переходов вполимерах путем внедения в поли -мер люминесцирунщей добавки,вакуумировация, замораживания, облучения при цизких температурах ионизирукщим излучением, разогрева с постоянной скоростью и регистрации термолюминесцецции образца, в качестве люминесцирующей добавки в полимер вводят 0,01-0,2 мас,ь триарилпираэолицов, а именно 1-фецил-(О-метоксифецил) - 3-18-афтоилен - 1 ,2 -бецзимидаэолил -пиразолин 6или 1, 3, 5-трифенилииразолин.Введение этих веществ в промьппленные полимеры, широко используемыедля получения композиций (полиэтилен,цолипропилен) н укаэанных вьппе количествах приводю к резкому (5-50 раз)увеличению интенсивности свечения...

Номер патента: 1188228

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Герасимов, Евгенов

МПК: D21F 7/06

Метки: бумажного, полотна, свойств, структурных

...входами корреляторов 8 и 9,выходы которых 8 и 9 соединены с соответствующими входами индикатора 13, .ЗоУстройство для контроля структурных свойств бумажного полотна работает следующим образом.Световой поток от источника равномерного освещения 1 видимого диапа зона спектра, выполненного, например,в виде нескольких люминесцентных ламп,закрытых матовым стеклом, направляютна бумажноеполотно. Проходя черезнего, поток попадает в виде изображе ния структуры бумаги на телевизионную камеру б. С выхода телевизионнойкамеры 6 получаем видеосигнал, пропорциональный прошедшему через бумажное полотно световому потоку, Этот 45сигнал после логарифмирования в лога.рифматоре 5 поступает на первый входблока 4 вычитания, Сигнал, пропорциональный...

Номер патента: 1218330

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Курносов, Манин

МПК: G01N 33/38

Метки: дисперсной, изменений, системе, структурных

...развития капиллярно-пористой структу ры в твердеющей системе.Способ реализуют следующим образом.В свежеприготовленную бетонную смесь погружают газовый датчик давления с газопроницаемой водонепроницаемой оболочкой, например из брезента, и измеряют в нем давление,Для определения газоудерживающей способности смеси сразу после погружения датчика в смесь в него начинают циклически с равномерной скоростью подавать воздух.Скорость подачи воздуха устанавливается порядка 10-15 мм вод.ст,/мин, а цикличность 1-5 мин, Измерение давления в датчике показывает, что оно сначала увеличивается, а затем рез. - . ко падает, так как происходит про рыв газа через смесь. Максимальная величина достигнутого давления характеризует газоудерживающую...

Номер патента: 1218331

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Колосов, Курносов, Манин

МПК: G01N 33/38

Метки: дисперсных, изменений, системах, структурных

...схематически представ.лено устройство для определенияструктурных изменений в дисперсныхсистемах.Устройство состоит из датчика 1давления, имеющего газопроницаемуюводонепроницаемую оболочку, которая беспрепятственно пропускаетвоздух, удлинителя 2, связывающегодатчик с Ч-образным манометром 3и посредством трубопровода 4 и крана 5 с сильфоном 6, соединенным снасосом 7. На верхней части сильфонаустановленс возможностью перемещенияпо стойкам 8 переменный груз 9,связанный с преобразователем 10 перемещения в электрический сигнал, выполненный в виде реостата,На манометре 3 укреплен преобразователь 11 давления в электрический сигнал. Выходы преобразователей 10 и 11 связаны с регистрирующимприспособлением в виде самописца 12.Удлинитель 2...

Номер патента: 1226179

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Апситис, Новиков, Черемисин

МПК: G01N 15/08

Метки: пористых, структурных, характеристик

...известной статистической моделипористой среды определяется видфункции распределения пор по диаметрам и длинам и рассчитываются параметры этой функции, При этом в качестве пропитывающей суспензии ис-пользуют магнитную суспензию (феррожидкость) с возможно более широ 45ким спектром взвешенных частиц подиаметрам 30-1500 1,0 " и. Зная изменение магнитного момента по длине образца при односторонней направленной пропитке его ферро жидкостью и при известной функции распределения частиц по диаметрам .в самой жидкости можно судить о распределении пор по размерам и длинам. Односторонняя пропитка образцов 55 осуществляется в установке, где цилиндрический образец подвергается боковому обжиму, а феррожидкость гвакуумируется и подается в образец при и...

Номер патента: 1257482

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких

...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...

Номер патента: 1265580

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Венгринович, Леготин

МПК: G01N 27/83

Метки: геометрических, зон, локально-упрочненных, неразрушающего, параметров, поверхностных, слоев, структурных, ферромагнитных

...11перемагничивают изделие 4.Первоначально в процессе перемагничиванйя производят измерение интенсивности шума Ч в обмоткеменьшего 51диаметра, установленной на изделие вупрочненной зоне 5 шириной 1 Глубину информативного слоя Ь, данногопреобразователя и интенсивность шума7, при измерении на неупрочненном 10образце определяют предварительноперед контролем. Зная , по формуле(5) вычисляют приближенно глубинуупрочненного слоя Ь. Затем измеряютсигнал 7 , в обмотке 2, диаметр кото рой заведомо превышает ширину зоныупрочнения 2 . Зная Ь и Ч , по формуле (4) вычисляют приближенно ширину упрочненной зоны. Измерение интенсивности шума в обмотках 1 и 2 в 20данном примере производится с помо-.,щью последовательно соединенных ключа6,...

Номер патента: 1278432

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Горбунов, Савальский

МПК: E04B 7/10, E04G 21/26

Метки: домкратов, конструкций, механизм, подъема, работы, синхронизации, структурных

...гайки 23 выолпеГа с вертикальными канавками 24, равномерно распределенными по окружности. Рабочий орган в виде ролика 25 Выключателя 26 Взямг) 5 есВует с канавкамигайки 23.Устройстве )яботает слслующим образом.Ня фундамеГгы устанавливаются опорные колонны 27 нез Кцгтого контура с Отвепстиями 21, рясцсложснныхи с Опрсде гц)цнм шагом. Непосрелсгвенно ца строк- тельной площадке на спсиаьных опорах собирается структурная конструкция 2 с покры- ",О тием, причем расстояние От поверхцостплон;адки до цижцегс пояса струк)урной конструкции должно бы гь лостаточ;ым лля последующей установки домкратов ца ко- ЛОННЫ. ДсгКра)Ы уетацЯВЛИВавтСя ца КО- гц)ццы таким образом, чтобы Верхние муфты 29 структурной конс рукции 2 опирались ца верхние...

Номер патента: 1312167

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Каменецкий, Онищенко, Селин, Тихомиров

МПК: B28D 1/04, E21C 39/00

Метки: моделей, создания, структурных

...(пропилы 1-1 и 1 ЧЧ заполнены скрепляющим материалом, а пропилы 11-11 и 111-111 - сильно увлажненным инертным материалом).Способ осуществляется следующим образом.Изготавливают исходный образец 1 из искусственного материала, например, путем заливки этого материапа в специальную Форму, По затвердевшей модели производят разметку системы трещин или пликативного нарушения. Затем крепят образец крепежными элементами 2 таким образом, чтобы он после распиливания не рассыпался, другиии словами отдельно крепят каждую часть в будущем распиленного образца, Производят распиливание образца по размеченным криволинейным поверхностям и по плоскостям гибким рабочим органом камнерезного устройства. Обворачивают образец клейкой лентой и полученные...

Номер патента: 1337734

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Евсеев, Кирюшин, Ревякин, Чупин

МПК: G01N 15/14

Метки: дисперсных, параметров, потоков, регистрации, структурных

...4 блок 6формирует прямоугольные импульсы равной амплитуды, длительности которыхсоответствуют длительностям световыхимпульсов от неоднородностей дисперсного потока (фиг. 5), На выходе интегратора 7 формируются изображенныйна диаграмме фиг. 6 огибающий сигнал,который поступает на вход блока 8измерения длительностей. Цифровыеданные о длительностях временныхинтервалов, соответствующих перемещению вблизи торцов световодов 2 и 3участков среды в жидкой и газовыхфазах, передаются для последующегостатистического анализа в микропроцессор 9.Блок 6 формирования измерительныхимпульсов работает следующим образом.Усиленный сигнал фотоприемника 1,поступающий на вход блока 6, преобразуется блоками 10 и 11, на выходе которых формируются сигналы...

Номер патента: 1370567

Опубликовано: 30.01.1988

Автор: Мишина

МПК: G01N 33/38

Метки: дисперсных, изменений, структурных, твердеющих

...ние точности и информативности способа.На чертеже изображена зависимость характеристики ползучести материала ( ) от времени твердения (о).Способ осуществляют следующим образом.Исследуемый материал в процессе твердения периодически деформируется путем погружения в него под нагрузкой конического индентора с постоянной скоростью в режиме полэучести.В процессе погружения индентора практически на любой стадии (в момент времени 1) замеряются упругая и пластическая составляющие полной деформации материала и вычисляются их относительные величины Г и С соответственно, по которым вычисляется характеристика ползучести материалаЕЯСтроится зависимость характеристики ползучести материалаот вре - мени твердения (Г), по экстремальным точкам которой...

Номер патента: 1377728

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Ажермачев, Булавинцев, Митрофанов, Синцов

МПК: G01B 7/16, G01N 19/08, G01N 33/38 ...

Метки: конструкциях, нарушений, структурных

...стенки оболочки.На фиг. изображена композиционная ,конструкция,разрез; на фиг.2 - схема размещения датчика. Способ осуществляют следующим образом.Во внешней оболочке 1 конструкции выполняют отверстия 2. В каждое отверстие устанавливают электропроводящий датчик 3 так, чтобы поверхность контакта оболочки и бетона пересекала датчик. Затем оболочку заполняют бетоном 4, продавливая его сквозь отверстия 2 до образования на внешней поверхности оболочки грибообразной шляпки 5. Далее бетон выдерживают до отвердевания.В процессе нагружения конструкции может происходить разрыв адгезионных связей между оболочкой и бетоном, что приведет к, нарушению монолитности со единения, Между оболочкой 1 и бетоном 4 образуется трещина 6. По мере...

Номер патента: 1225358

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Бондарец, Зеленов, Лейкин, Мингазин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, неоднородностей, площади, распределения, структурных

...6, а дифраги"," рованный пучок попадает во входное окно детектора 7. Регистрируемый де- тектором сигнал преобразуется и уси-, ливается в интенсиметре 8 и поступает в блок .сравнения системы 9 управления. В блоке сравнения зарегистрированный сигнал 1, сравнивается с дву" мя заданными пороговыми величинами 1, и 1 , где 1, соответствует интенсивности дифракции от структурно совершенного участка монокристалла, а 1 - интенсивности дифракции от участка .монокристалла с заданной плотностью дефектов структуры. В зависимости от соотношения уровня сигнала 1 и пороговых значений 1, и 1 сис-. тема управления вырабатывает команду,задающую режим работы пишущего органа двухкоординатного записывающего узла 10.Исследуемый монокристалл горизонтально...

Номер патента: 1413493

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Багдасарьян, Безирганян, Мартиросян

МПК: G01N 23/20

Метки: изменений, полимерах, растянутых, структурных, тонких

...2 изображена рентгенооптическая схема предлагаемого способа.На чертежах обозначены М, А - зеркальный и анализирующий блоки. Р - образец - растянутая пленка полимера, Х - пучок рентгеновских лучей, Р - экран или фотопленка, 0 - ось растяжения.Способ осуществляют следующим образом.Рентгеновский пучок, падая на первый кристаллический блок под углом Брэгга, расщепляется на два пучка - проходящий и дифрагированный, которые дифрагируют во втором блоке М и складываются у входной поверхности блока А, образуя интерференционную картину - муаровые узоры на экране т". Помещение на пути одного из дифрагированных пучок растянутой пленки приводит к смещению муаровых полос. Измерив смещение, находят о - декремент показателя преломления рентгеновых...

Номер патента: 1434339

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Горенко, Синьчугов, Сорокина, Черненко

МПК: G01N 25/02

Метки: изменений, исследования, компонентов, превращениях, структурных, фазовых, характеристик

...С,Б еловодченкоРедактор М,Петрова ТехредА.Кравчук Корректор О, Кравцова Заказ 5549/46 Тираж 847 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к областифизико-химического анализа,Цель изобретения - повышение точности и уменьшение трудоемкости оп 5ределения структурных характеристик,Способ осуществляют следующим образом,Отвержденный образец из смеси огнеупорного зернистого наполнителя исвязующего подвергают нагреву и определяют зависимость изменения теплороводности от температуры, По графику температурной зависимости тепло,проводности определяют температуры15точек...

Номер патента: 1469458

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Булаев, Горбатых, Дудик, Кабыш

МПК: G01N 33/38

Метки: изменений, смесей, структурных, твердеющих

...контроляурных изменений при тверденииЦель изобретения - повышение увствительности контроля, В процесе твердения испытуемой смеси регистт температуру. Определяют ееение в единицу времени, регистируют величину суммарного счета кустической эмиссии в процессе внедения. Определяют ее значение в текумомент времени и в момент времеующий за максимальным измеемпературы. Находят безраэ-. ерный коэффициент по соотношениючин, по которому судят о приема сигналов ак Конический инденто тоянной скоростью бину и регистрирую ного счета акустич процессе внедрения чение величины суакустической эмис ни, следующии за максимальным изменением температуры.Нахоцят безразмерный коэффициентпо отношению величины суммарногосчета акустической эмиссии в выбранный...