Штыревая развязывающая структура

(5)5 Н 01 0 1 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ ЕТЕЛЪСТВ 2Я РАЗ ВЯЗЫ ВАЮЩАЯ урятского РагКег Ю чч, еп аптеппаз су ТесЬпо адиотехния элект оОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР(71) Институт естественных науфилиала СО АН СССР(56) 1 уоп,3. А. МОдеп з С. 1,ТЬе гебосбоп о 1 соцрИпд Ьесччоп аегозрасе чеЫсе, - Егед 01968, ч. 6, % 12, р, 13 - 23,Изобретение относится к рке и может быть использовано дл р магнитной развязки антенн,Известны устройства для уменьшения нежелательного излучения щелевых антенн в определенном направлении.Наиболее близким по технической сущности является устройство, содержащее ряд штырей, установленных вблизи взаимовлияющих щелевых антенн.Однако данное устройство выступает над поверхностью, содержащей апертуры антенн, что во многих случаях нежелательно (на самолетах, кораблях и т.д.).Цель изобретения - уменьшение аэродинамического сопротивления, вносимого штыревой развязывающей структурой,Поставленная цель достигается тем, что между антеннами размещается структура. представляющая собой "слой" тонких металлических штырей, установленных нормально к проводящей поверхности, Высота штырей (толщина "слоя") выбирается равной А /4, период установки одинаковый вдоль и поперек линии связи и равен Т, где ЯОН 1730698 А(57) Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано для развязки невыступающих антенн летательных аппаратов, Цель изобретения - уменьшение аэродинамического сопротивления - достигается размещением структуры в углублении, равном высоте штырей б = Л /4, где А - длина волны, а период двумерной системы штырей выбран равным ТА/2, 3 ил. Т -А/2, Штыри устанавливаются на части проводящей поверхности между антеннами, заглубленной на величину А/4, где А - рабочая длина волны.На фиг. 1 а, б показан вид и расположение развязывающей структуры 1 относительно антенн 2: на фиг. 2 - зависимость ослабления поля от высоты штырей; на фиг, 3 - зависимость ослабления поля от длины волны,Структура содержит тонкие штыри (диаметр штырей намного меньше рабочей длины волны), установленные на поверхности с одинаковым периодом как вдоль, так и поперек линии связи, Размеры структуры в поперечном к линии связи направлении должны быть выбраны изусловия превышения радиуса существенной зоны аспространения (т.е, величиной 0,5 п О, при и2, где О - расстояние между антеннами), В продольном направлении чем длинее структура, тем выше ее эффективность,На фиг. 2 приведена измеренная завиость ослабления поля между антеннами1730698 25 В = 109 от высоты штырей, где Р -РРмощность поля в присутствии структуры; Ро - уровень поля в приемной антенне без структуры. Отсюда видно, что при высоте штырей, близкой к Л/4 и ЗЛ/4, наблюдается глубокое ослабление связи.На фиг. 3 показана зависимость В, дБ от длины волны при высоте штырей, близкой к А/4. Из этого графика видно, что в диапазоне частот 40 структура вносит дополнительное ослабление величиной не меньше 18 дБ. Измерения проведены со структурой, у которой длина и ширина составляет 10 А, Л=З см, штырей - 0,05 Л,Устройство работает следующим образом.При облучении штыревой структуры в ней возбуждается прямая и отраженная от проводящей поверхности ТЕМ волны, Они взаимодействуют, с полем, существующим над штырями. При определенной высоте структуры интенсивность поля ТЕМ волн возрастает и происходит максимальная взаимная компенсация (срыв поверхностной волны), т,е. электромагнитная развязка, Поскольку в структуре имеет место взаимное 5 влияние штырей, то период установки ихжелательно выбирать близким к 1/4, При таком периоде волны, возникшем в результате переизлучения между штырями, частично компенсируют один другого, поэтому 10 искажение ТЕМ волн в структуре будет минимальным и ослабление более эффективным.Формула изобретения Штыревая развязывающая структура 15 для невыступающих антенн, содержащаядвумерную систему штырей на проводящем основании, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью уменьщения аэродинамического сопротивления, штыревая развязывающая 20 структура размещена в углублении, равномвысоте штырей б = А/4, где А - рабочая длина волны, а период размещения штырей в двумерной системе Т1/2,1730698 05 0,75 45 Н,Корол Редактор Э.Слиган Т М Мор Кор аказ 1516 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 1 Составит ехред