Электролюминесцентная структура

СОЮЗ СОВЕТСНИХОСШЛДЕЕПЕХРЕСПУБЛИК ОЕ (1 А 33 2 1594 Н 1БИ Р ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н ПАТЕН оло 01318, во ССС с СТРУКТУ к электровета истройстЦель изобгичности свечени тродного ере из другой аяструк ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Ой Лохья АБ (Г 1)(72) Свен Гуннар Линдфор(54) ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ (57) Изобретение относится люминесцентным источникам с может быть использовано в у вах визуальной индикации. ретения - повышение техноло с сохранением равномерности при выполнении второго элек слоя состоящим по крайней м двух изолированных одна от частей,Электролюминесцентн тура содержит подложку, снабжен ую прозрачным первым электродным сл ем, на котором последовательно расп жены первый диэлектрический слой (А 10) толщиной 200-250 нм, люминесцентный слой 2 пБ:Мп толщиной 300 нм и второй диэлектрический слой,(А 1 О), аналогичный первому слою диэлектрика. На поверхности второго диэлектрического слоя расположен тонкий (5- 1 00 нм) сплошной слой резистивного материала из ТО , Тп 03, ВпО, 1 п ВпО или углеродной пленки, Поверх слоя резистивного материала ра - положены по крайней мере два отдельР ных электрода второго электродного . в слоя, выполненные из пасты, содержащей графитовые частицы, по технологии толстых пленок. Такая конструкция исключает трудоемкую стадию литографии при изготовлении фигурных элек- Я тродов второго электродного слоя. Все остальные слои структуры изготовлены по методу эпитаксии атомными слоями, 3 з,п, ф лы 1 ил1327810 Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано в устройствах визуальной индикации,Целью изобретения является повышение технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя состоящим по крайней мере иэ двух изолированных 10 одна от другой частей.На чертеже изображена электролюминесцентная структура, поперечное сечение.Структура содержит подложку 1, 15например, из стекла с нанесенным нанее первым электродным слоем 2 из индий-оловянного окисла (1 пБпО) ввиде пленки толщиной 40-50 нм, Вструктуре, предназначенной для работы на переменном токе, на поверхностипервого электродного слоя 2 расположен дополнительный слой 3, представляющий собой пленку изолятора из А 11 ОЭтолщиной 200-250 нм, На дополнительном слое 3 расположен люминесцентныйслой 4 на основе 2 пБ:Мп в виде пленки, толщина которой примерно равна300 нм, Поверх люминесцентного слоя4 расположен второй дополнительныйслой 5, аналогичный слою 3, На слое5 расположен слой резистивного материала 6 толщиной 5-100 нм, Слой 6может быть выполнен в виде пленки изТ 10 у ) 1 ПО р БП 02) индий-ОлОВяннОГО 35окисла (1 пБп О ) или из углероднойпленки, На поверхности слоя реэистивного материала 6 расположены электроды 7 и 8 второго электродного слоя,состоящие из связующего материала и 40электропроводных частиц и имеющиетолщину 40-50 мкм,В структуре, предназначенной дляработы на постоянном токе, дополнительный слой 3 выполнен в виде пленки иэ Т 10 толщиной примерно 100 нм,а второй дополнительный слой 5 - изтитано-танталового окисла с толщинойпленки 200-500 нм,а рым электродная слоями в непосредственном контакте с последним, о т - 45 л и ч а ю щ а я с я тем, что, сцелью повышения технологичности ссохранением равномерности свеченияпри выполнении второго электродногослоя, состоящего по крайней мере иэ б 0 двух изолированных одна ст другойчастей, дополнительный слой резистив-ного материала выполнен сплошным столщиной, лежащей в пределах 5-100 нм,и находится в контакте с упомянутыми 55 частями второго электрсдного слоя,2; Электролюминесцентная структура по п,1, о т л и ч а ю щ а я с ятем, что слой резистивного материалавыполнен из Т 10, 1 п 10, или Бп 01,Все сплошные слои (2-6) изготов-лены по технологии эпитаксии атомными слоями.Форма и расположение индицируемых знаков задается формой и расположением частей 7 и 8 второго электродного слоя, изготавливаемого по технологии толстых пленок из пасты, содержащей графитовые частицы,Изготбвленне слоя резистивного ма-териала 6 сплошным повышает технологичность электролюминесцентной структуры, так какфпри этом отсутствуеттрудоемкая стадия литографии, Выбормаксимальной толщины слоя 6 равной00 нм обусловлен необходимостью исключения токов между частями 7 и 8второго электродного слоя, расстояние между которыми может составлять50-100 мкм. Минимальная толщина слоя6 (5 нм) выбирается из условия получения достаточной величины сопротивления между очечными контактами второго электродного слоя и соответствующими участками люминесцейтно-го слоя 4 для выравнивания плотностей тока через эти участки, чтообеспечивает равномерность их свечения,Сопротивление лоя 6 также ограничивает ток в случае электролюминесцентной структуры постоянного тока,Формула изобретения 1, Электролюминесцентная структура, содержащая подложку, первый электродный слой, нанесенный на подложку,второй электродный слой, расположенный на расстоянии от первого электродного слоя и состоящий из связующего и проводящих частиц, люминесцентный слой, расположенный между первым и вторым электродными слоями, покрайней мере один дополнительный слойдля ограничения тока и/или химичес-кой защиты, расположенный между электродным и люминесцентными слоями,слой резистивного материала, распо-,ложенный между лючинесцентным и втоз 132 78103. Электролюминесцентная структу-,ра по п.1, о т л и ч а ю .щ а я с ятем, что слой резистивного материалавыполнен из индий-оловянного окисла1 пЯпуО . с г Составитель В. Прибытко Веселовская Техред Л.Сердюкова Корректор А.Зимокосов актор Подписи к арс зоб а,Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная 3396/59ЫНИИПИ Госупо делам113035, Мос 4. Электролюминесцентная структура по п.1, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что слой резистивного ма-.5териалавыполнен из углеродной пленки. Тираж 801енного комитета СССРтений и открытий