Патенты с меткой «силовых»

Номер патента: 2001483

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Макаров, Образцов, Тележников, Фурсов, Шокина

МПК: H02G 1/14, H02G 15/08

Метки: изоляцией, кабелей, муфты, пластмассовой, силовых, соединительной

...цилиндрической частью этого узла и участками выхода термоусаживаемой трубки 4 из прес- сующего контейнера, Укаэанная выше величина зазора между внутренней поверхностью термоусаживаемой трубки 4 обеспечивает улучшение условий вулканизации материала подмотки по сравнению с известным способом. Наличие контакта между стенкой прессующего контейнера и поверхностью цилиндрической части узла муфты облегчает нагрев изоляционного материала. При охлаждении узла между поверхностью цилиндрической части узла муфты и стенкой прессующего контейнера образуется зазор с высоким тепловым сопротивлением. который исключает резкое охлаждение узла муфты и возможность обраования воздушных включений в изоляции,По окончании вулканизации материала подмотки и...

Номер патента: 1807709

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Гаркунова, Гончар, Лихтарович, Макиенко, Твердохлебов, Трубачева, Черенюк

МПК: C08K 13/02, C08L 23/34

Метки: гибких, кабелей, оболочек, резиновая, силовых, смесь

...вой смеси, например, для защитных оболонового ряда - представляет собой кристал- чек кабелей позволяет повысить лический продукт красного цвета с т,пл, 30 надежность эксплуатации последних. Кро С, получают взаимодействием 1,11 гди- ме того, расширяется ассортимент агентов ацетилферроцена с гидроксиламином. Син-вулканизации для хлорсульфированного катезирован по методике 4). учука. Та а 1 остав резиновых смесей на основе Хайпалона, мас.ч. Компоненты Прототип ШНХг 50ВИ 46 Предлагаемые апредельн оптимальныеХлорсульфировлиэтилен (ХайпАльтаксОксид магнияПарафинМел природныйСераТиурамМасло индустриСтеаринДибутилфталатКаолинТехуглеродТехуглерод П 1,1-Диоксимферроцена(ДД анный и алон) 100 1,0 10 0 100 гПоказатели максимальные опти- маль- ные...

Номер патента: 1809701

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, кремниевых, силовых

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,

Номер патента: 1489389

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Горохов, Панов, Садиков

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

1. Устройство для контроля параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с первой клеммой для подключения испытуемого прибора, вторая клемма для подключения испытуемого прибора через последовательно соединенные шунт и ограничительный резистор подключена к второму выводу вторичной обмотки трансформатора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора подключен к аноду формирующего тиристора, катод которого подключен к одному из выводов ограничительного резистора, к общей шине, и к одному из выводов первого резистора, второй вывод которого подключен к первому выводу второго резистора, второй вывод которого подключен к...

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1595274

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Абросимова, Асина, Ковешников, Сурма, Уверская, Чернякин

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20

Номер патента: 1187649

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Астафьев, Боронин, Изидинов, Курцин, Нанушьян, Панкратов, Полеес, Потапова, Симановская

МПК: H01L 21/56

Метки: защиты, поверхности, полупроводниковых, приборов, силовых

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов при одновременном сокращении времени термообработки, в компаунд вводят в качестве ингибитора вещество класса пиразолов, причем соотношение катализатора и ингибитора находится в пределах от 5 : 1 до 10 : 1, а общее количество катализатора и ингибитора составляет от 0,6 до 1,2 мас. % компаунда, и...

Номер патента: 1616429

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...

Номер патента: 1412456

Опубликовано: 10.09.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

1. Устройство для испытания силовых транзисторов по авт.св. N 1128203 (п. 1), отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено двумя сглаживающими индуктивностями и ведомым инвертором со средней точкой, которая подключена к выходу от средней точки источника питания, положительный и отрицательный полюса которого соединены с первыми выводами соответствующих сглаживающих индуктивностей, вторые выводы которых соединены с соответствующими полюсами ведомого инвертора.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что источник питания выполнен в виде трехфазного входного трансформатора с магнитопроводом, вторичные обмотки которого соединены в звезду и подключены к...

Номер патента: 1394925

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Беспалов, Головченко, Колпахчьян, Красновид, Мускатиньев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, блок пуска, один из выходов которого соединен с управляющим электродом коммутирующего тиристора, компаратор, выход которого соединен с управляющим электродом формирующего тиристора, катод которого соединен с общей шиной, клемма для подключения анода испытуемого прибора подключена к одному из выводов делителя напряжения, второй вывод которого подключен к общей шине и через шунт - к клемме для подключения катода испытуемого прибора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора через ограничитель тока подключен к второму выводу делителя напряжения, второй вывод вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 719247

Опубликовано: 20.03.2006

Авторы: Афонский, Костырев, Кривоногов, Малышев, Мартынов, Сорокин

МПК: G01M 19/00

Метки: агрегатов, испытаний, ресурсных, силовых, технологических

1. Способ ресурсных испытаний силовых и технологических агрегатов, имеющих лопастные крыльчатки, путем принудительного вращения крыльчатки, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени испытаний и повышения экономичности в результате увеличения числа оборотов, вращение крыльчатки осуществляют с помощью соплового обдува лопастей газовой струей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения ресурсных испытаний вентиляторов с электроприводом перед началом обдува отключают электропривод и обдув лопастей крыльчатки ведут со скоростью, превышающей окружную скорость крыльчатки вентилятора, при избыточном давлении струи 0,1÷0,6 кгс/см2.3. Способ...

Номер патента: 1839971

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Гузовский, Данилов, Николаев, Сергеев

МПК: G01N 3/04

Метки: испытательной, образцу, органов, передачи, силовых, усилия

Устройство для передачи нагрузки от силовых органов испытательной машины к образцу, включающее плиту и установленные на одной из сторон плиты параллельно друг другу опорные ролики, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено дополнительной плитой, двумя роликами, один из которых установлен между основной и дополнительной плитами так, что его ось перпендикулярна осям опорных роликов, а второй расположен на внешней поверхности дополнительной плиты параллельно основным роликам, и планками, установленными на концах роликов и предназначенных для взаимодействия с боковыми поверхностями плит.