Патенты с меткой «пав»
Способ определения второй критической концентрации мицеллообразования ионогенных пав
Номер патента: 926577
Опубликовано: 07.05.1982
МПК: G01N 13/00, G01N 27/26
Метки: второй, ионогенных, концентрации, критической, мицеллообразования, пав
...(1)0где С - расстояние (м), на котороеперемещается окрашенная граница за время й (С),д " расстояние между электродаоми, м;0 - напряжение постоянного тока,В.По результатам расчета строится15кри ва я зав исимости зле кт рофорети чесхой подвижности от концентрации ПАВ,минимум на кривой ККМ.П р и м е р 1, В 0-образную трубку прибора Кена последовательно помещают растворы цетилпиридиний хлорида (ЦПХ) с концентрацией 0,010,22 .моль/л (рН 3, 5), добавляя краситель Судан Й (0,01 г); О = 200 В;д = 0,35 м, С помощью секундомераопределяют скорость движения окрашенной границы (м/с) и по формуле (1)рассчитывают значения электрофорети,ческой подвижности. Результаты измерений представлены на фиг. 1.ККМ ЦПХ соответствует минимуму на30кривой и...
Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах пав
Номер патента: 1056428
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Алексеев, Бондаренко, Веневцев, Дуковский, Злоказов, Крутов, Плужников, Токарев
МПК: H03H 9/30
Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, пав, поверхностных
...ксоседней. Последнее реализуется либоза счет относительного смещенияэлектрицески синфазных соседних секций на половину длины волны ПАВ внаправлении оси преобразователя, ли"бо за счет протирофазного электрического соединения соответствующихэлектродных штырей несмещенных соседних секций.Входной преобразователь характери"зуется наличием двух точек фокуса,расположенных на его осевой линиизеркально симметрично относительноцентра преобразователя. При этом вкаждом Фокусе собирается 4/Т частейвсей излученной преобразователемэнергии, а положение точек фокуса привозбуждении преобразователя на частоте синхронизма определяется отношением квадрата апертуры Ч 1 первой секции к учетверенному периоду встречноштыревого преобразователя. При...
Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах (пав)
Номер патента: 1077055
Опубликовано: 28.02.1984
Авторы: Бондаренко, Зебрин, Орлов, Речицкий
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, пав, поверхностных, полосовой, фильтр
...И ОТКРЬ АНИЕ ИЗОБР ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) ПОЛОСОВОИ ФИЛЬТР НА ПОВЕРХ.НОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащий пьезоэлектрическую Подложку,на поверхности которой размещен полосоэадающий и расположенные по обе окополосные встречноазователи., о т л итем, что, с целью ательности при сохрав полосозадающем ом преобразователем евых электродов, расбе стороны от линии, от центра широкопо-штыревых преобразоваы и выбираются из слеЕг 4 его стороны шир штыревые преобр чающий с я повышения иэбир нении габаритов встречно-штырев шаги Е и Ег штыр положенных по о равноудаленной лосных встречно д е : +е а Е = (Е- Е Р; : ЧЧд - скорость поверхческих волн;й - ширина полосы п1070055Рфиг: ЯСоставитель Н.Чистякова Редактор М.Янович Техред М.Кузьма Корректор...
Программируемый фазовращатель-аттенюатор на пав
Номер патента: 1089758
Опубликовано: 30.04.1984
Авторы: Алексеев, Бондаренко, Дуковский, Злоказов, Крутов
МПК: H03H 9/68
Метки: пав, программируемый, фазовращатель-аттенюатор
...Входные и выходной преобразователи 9-11 выполнены секцио нированными вдоль апертуры с числом секций М в каждом из входных преобра о эователей и 2 К в выходном преобразователе, при этом секции 13 входных преобразователей 9 и 10 имеют одинаковые апертуры Ф,в, а апертуры сек. ,ций 14 выходного преобразователя 11 15 выбраны из условия, что соотношение апертуры Жв ыК-ой секции выходного преобразователя к апертуре равно величине 1/2 , причем секции 13 входного преобразователя 9 и 20 10 соединены с соответствующими выходами блока 1, а секции 14 выходного преобразователя 11 соединены между собой параллельно.При указанных соотношениях акусти ческий тракт каждого из каналов фазовращателя-аттенюатора разделяется на М акустически параллельных...
Автоматическое устройство для подачи раствора пав в затрубное пространство газовой скважины
Номер патента: 1143830
Опубликовано: 07.03.1985
Авторы: Блинков, Наников, Судаков, Шевченко
МПК: E21B 43/00
Метки: автоматическое, газовой, затрубное, пав, подачи, пространство, раствора, скважины
...через сме.ситель и обратный клапан соединены сдозирующей емкостью, а через регулятор режима подачи ПАВ - с затрубнымпространством скважины, при этом одна из пневмолиний соединяет регулято 1:с резервной емкостью с сепаратором;а другая - затрубное пространство через понижающий регулятор с дозирующей емкостью.Такая компановка обеспечивает работу устройства в зависимости от перепада давлений в затрубье и в лифтовых трубах, т.е. подача ПАВ осуществляется при достижении определеннойразности уровней жидкости в затрубьеи в лифтовых трубах. При этом давление в эатрубье больше, а уровеньжидкости меньше, чем в лифтовых трубах,На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из резервной емкости 1, сепаратора 2 с...
Способ очистки сточных вод от катионных пав
Номер патента: 1186580
Опубликовано: 23.10.1985
Авторы: Костик, Пурич, Скрылев, Стрельцова
Метки: вод, катионных, пав, сточных
...ОТ КАТИОННЫХ ПАВ фл щ и и с я темшения степениорганического ретвердый парафин,рН 10-12.2. Сносщ и й с яный парафин вводя100 мг/л. ТКИ СТОЧНЫХ . отацией вприого органии ч а юцелью повыв качестве используют есс ведут приПодпи Тираж 883арственного комитета СССРзобретенйй и открытийва, Ж, Раушская наб., д. 4 о а ал ППП Патент", г.ужгород, ул.Проектная,Изобретение относится к очисткесточных вод и может быть использовано в химической, нефтеперерабатывающей промышленности,Цель изобретения - повышение степени очистки;сточных вод.П р и м е р 1. В камеру флотационной машины помещают 1 л раствора,содержащего 100 мг АНП- смеси первичных алифатических аминов с длинойцепи от 10 до 16 атомов углерода,добавляют 100 мг тонкодиспергированного...
Способ определения критической концентрации мицеллообразования ионогенных пав
Номер патента: 1260750
Опубликовано: 30.09.1986
Авторы: Контуш, Лопатенко, Малярова
МПК: G01N 13/00
Метки: ионогенных, концентрации, критической, мицеллообразования, пав
...в Осторону малых концентраций,На фиг. 1 изображена схема устройства, реализующего предлагаемыйспособ; на фиг. 2 - концентрационные зависимости величины заряда капель,В устройстве конец иглы 1 находится в поле электромагнита 2 и пеориодически касается поверхностираствора ПАВ в капилляре 3.Из вытягиваемой жидкой перемычки 4 образуется капля 5. Для измерения заряда капель их направляютв электрически изолированный сбор"ник 6, с которого измеряют ток на 25землю чувствительным электрометром 7,П р и м е р . Раствор додецил;сульфата натрия концентрации5 10 4 моль/л заливают в капилляр 3и добиваются образования монодис Оперсных капель, Поскольку все каплив цепочке капель одинаково заряжены,заряд одной капли определяют по формуле Зависимость...
Способ микробиологической очистки промышленных сточных вод от амфолитных пав
Номер патента: 1463761
Опубликовано: 07.03.1989
Авторы: Овчаров, Ставская, Таранова
МПК: C02F 3/04, C02F 3/34, C12N 1/20 ...
Метки: амфолитных, вод, микробиологической, пав, промышленных, сточных
...вьщелена плаэмида деградации рДХ 4.Строгий аэроб, оптимальная темпео0 ратура культивирования - 30 С,П р и м е р 1, Способ очисткисточных вод с помощью РэецйошопаэроЫа реализуется в биореакторе вусловиях проточного культивирования.Для заселения биореактора культуройдеструктором Р. рцЫа ТО выращивают на плотной синтетической средеследуна;его состава, г/л; ЫаНРО1,0; ЮННО 1,0", МдС 1 0,1; КС 1 0,5;МПБ 0,4, агар-агар 20,0, дистиллированная вода до 1 л. Полученную биомассу иммобилиэуют на керамическойэ агруз ке уст ановки, Р аз мер частицкерамической загрузки около 3 5 5 мм,ЬНа загрузку подают модельный стокследуацего состава: г/л; Ма НРООе 2 е ЫННОз Оэ 21 КС 1 0,1, АмПАВ 0,5.Через две недели показатели работыбиореактора стабилизируются и...
Автоматическое устройство для подачи раствора пав в затрубное пространство газовой скважины
Номер патента: 1481383
Опубликовано: 23.05.1989
МПК: E21B 43/00
Метки: автоматическое, газовой, затрубное, пав, подачи, пространство, раствора, скважины
...линии 24)5 давление во второй пневмолинии 25 было бы ниже, чем в затрубном пространстве 27, но выше, чем в выкидной линии 24, а после удаления жидкости из скважины давление во второй пневмолинии 25 становилось бы ниже давления в выкидной линии 24 или равным ему.Когда давление в выкидной линии 15 24 больше или равно давлению во второй пневмолинии 25 (произошел выброс жидкости из скважины), осуществляется заполнение дозирующей емкости 6 водой и ПАВ, которые самотеком 20 поступают из резервной емкости 1 и водосборника 3 через смеситель 4, с помощью которого задется требуемая концентрация раствора ПАВ.При заполнении дозирующей ем кости 6 в требуемом объеме поплавковый регулятор 7 уровня отсекает дальнейшее поступление раствора ПАВ.По мере...
Рекурсивный фильтр на поверхностных акустических волнах (пав)
Номер патента: 1762384
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Калашников, Назаренко
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, пав, поверхностных, рекурсивный, фильтр
...паразитный сигнал появляется на выходе генератора входного сигнала.Целью изобретения является уменьшение искажения формы выходных сигналов,Поставленная цель достигается тем, что в рекурсивном фильтре на ПАВ, содержащем три ВШП, размещенные на пьезоэлектрическом звукопроводе, соответствующие суммирующие шины которых соединены с 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 общим проводом, вторая суммирующая шина первого ВШП соединена с входом устройства, усилитель, фазовращатель, предусмотрены следующие отличия: вторая суммирующая шина второго ВШП соединена с входом усилителя, выход которого соединен с выходом устройства и с входом фазовращателя, выход фазовращателя соединен со второй суммирующей шиной третьего ВШП, первый и третий ВШП размещены в...
Фильтр на поверхностных акустических волнах (пав) с малыми вносимыми потерями
Номер патента: 1815795
Опубликовано: 15.05.1993
Авторы: Банков, Кац, Финкельштейн
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, вносимыми, волнах, малыми, пав, поверхностных, потерями, фильтр
...за счет взаимного расположения штырей в группах таким образом, чтобы центры симметрии групп активных штырей располагались эквидистантно, то расчет расположения групп пассивных штырей, обеспечивающий однонаправленный режим работы ВШП ВОС, может быть выполнен следующим образом,Смещение штырей относительно центра симметрии в активной группей(Ах+в - ), щ=1,2фазовый угол Ьу, соответствующий смещению Лх, равен КЬ х, гдето 2 к/3 о Если вес невзвешенной группы равен 1, то вес взвешенной смещением группы равен А=соз Лр, тогдаЬ х = агссозА (1)2 лСмещение центра пассивной группы относительно центра активной группы, обеспечивающее синфазное сложение излученных и отраженных волн в одном направлении и противофазное их сложение впротивоположном...
Пьезоэлектрический преобразователь поверхностных акустических волн (пав)
Номер патента: 1835591
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Груздев, Дегтярев, Усов
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волн, пав, поверхностных, пьезоэлектрический
...возбуждаемой волны, уменьшение ее переотражений электродами гребенок и уменьшение емкости при работе преобразователя предлагаемой конструкции достигается тем, что дае электродные гребеаки выполняются вдвинутыми друг в друга, длины электродов которых сделаны изменяющимися а соответствии с требуемым законом аподизации, контактные площадки делаются в аиде полосок неизменной ширины, 8 сао 5 10 15 20 25 30 35 40 бодные зоны между концами электродов гребенок введены сплошные металлизированные площадки, конфигурация которых обеспечивает равенство пути, проходимого ПАВ под (или над) металлизированными участками поверхности пьезоплаты на протяжении всей решетки и по любой траектории, перпендикулярной электродной гребенке, а зазоры между...
Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах (пав)
Номер патента: 1258281
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Алексеев, Ермолов, Злоказов, Проклов
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, пав, поверхностных, регулируемая
РЕГУЛИРУЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (ПАВ), содержащая звукопровод, выполненный из монокристалла редкоземельного молибдата в виде бидоменной пластины, плоскость доменной границы которой перпендикулярна большим граням звукопровода, размещенные на рабочей поверхности звукопровода входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП), акустические оси которых взаимно ортогональны и образуют с плоскостью доменной границы углы /4 и 3 /4 соответственно, управляющие электроды, размещенные на больших гранях звукопровода между входным и выходным ВШП, источник регулируемого...