H03H 9/25 — конструктивные особенности резонаторов с использованием поверхностных акустических волн

Номер патента: 930587

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Василина, Левчук, Смеркло

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...преобразователи.Диэлектрическое. основание 2 выполнено из клея, например, типа ЗЛос наполнителем иэ соответствующегопорошка.Может быть применен клей следую"щего состава, вес.ч,:Смола эпоксиднодиановая неотверженная ЭД100Смола низкомолекулярная полиамиднаямарки Л60 20Еварц молотыйпылевидный маркиКП 1,или порошокдругого материала) 160Фильтр работает следующим обраэомвПоверхностная акустическая волнавозбуждается при помощи входноговстречно-штыревого преобразователя3 на поверхности пластины 1 и при"нимается выходным встречно-штыревымпреобразователем 4. Одновременно споверхностной волной возбуждаютсяобьемные акустические волны, которые уходят вглубь звукопровода, от 35ражаются от его обратной стороны ипринимаются выходным...

Номер патента: 957415

Опубликовано: 07.09.1982

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, узкополосный, фильтр

...на входной преобразователь 2 электрического сигнала в виде короткого 6 -импульса Формируются и распространяются в обе стороны амплитудно-модулированные прямой и обратный акустические радиоимпульсы с длительностью в половину требуемого импульсного отклика Т Фильтра и с пространственной весовой обработкой, соответствующей закону перекрытия электродов. Достигая через время начальной задержки 7 выходного преобразователя Й, прямой акустический радиоимпульс наводит на его зажимах электрическое напряжение, пропорциональное степени перекрытия электрода входного преобразователя, начиная с области наименьших перекрытий, и через интервал времени, равный длительности Т/2 акустического радиоимпульса, на преобразователе ч прием заканчивается и...

Номер патента: 999137

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Гуревич, Сандлер

МПК: H03H 9/25

Метки: акустической, волны, поверхностной, резонатора, частотой

...13.Недостатком способа является ма лый диапазон перестройки резонатора.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ управления частотой резонатора поверхностной акустической волны, заключающийся в изменении условий прохождения поверхностной акустической волны в реэонаторной полости 2),Недостатком известного способа является низкий диапазон управления частотой резонатора вследствие мало.го относительного изменения скорос-. ти, обусловленного экранниэацией пьезоэффекта, 30 Цель изобретения - увеличениедиапазона управления.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу управлениячастотой резонатора. поверхностнойакустической волны, заключающемусяв изменении условий прохождения поверхностной...

Номер патента: 1099101

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Бондарев, Жовнир, Кожарский, Костюченко, Мещерский

МПК: G01B 17/00, G01B 21/22, H03H 9/25 ...

Метки: непрерывного, перемещений, угловых

...которых соединены скольцами 9 и 10 соответственно, аповерхность решетки образует с поверхностью звукопровода зазор о",величина которого соизмерима с длинойповерхностной акустической волны Период встречно-штыревой решетки равен длине дуги 7 , определяемой из соотношенияьг а /К где Р р - средний радиус встречноштыревой решетки, равныйсреднему радиусу звукопровода Вв , т,е. Рр: Р 5М - чис 1 о периодов (пар,электродов) в решетке.Оптимальное взаимодействие приемника с поверхностной акустической 10 волной обеспечивается при равенстве периода 7 длине поверхностной акустической волны, 3 , т.е. Т = 1 . Длина поверхностной акустической волны определяется соотношением: 3Ч(1 , 15 где Ч - скорость поверхностной акустической волны, зависящая от...

Номер патента: 1104363

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Колешко, Мешков

МПК: G01B 17/00, H03H 9/25

Метки: акустический, блок

...и не имеют азимутальной компоненты, Результирующее распределение энергиИ имеет круговую симметрию и уменьшается приблизительно экспоненциально с изменением радиуса внутренней поверхности канала 8. Дисперсионная связь для основной поверхностной моды,2110 =Я,Ь 9+ б.з ) з 1104 распространяющейся вдоль внутренней поверхности волновода 5 ПАВ, выражается уравнениемо(щг3 о(Рг) 2 Р, Р где Р = (Р -3)пъ = (Р -1"т) г - радиус сквозного канала 8, Д,- соответственно, постоянные распространения поверхностной моды, 1 О объемной продольной моды и объемной поперечной моды, 3 - модифицированная функция Бесселя порядка д,С помощью ВШП 3, расположенного на торцовой поверхности фланца 7, аналогично ВШП 2 происходит прием ПАВ. В цепи обратной связи введен...

Номер патента: 1131025

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Биргер, Дашенков, Лайков, Синица

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...с ними, протяженность каждой из областей сплошной металлизации с окнами составляет 25-307 протяженности неаподизованного ,преобразователя, а числоэлектродов последнего выбрано из соотноше- ния 4161/где 1 - центральная частота полосыОпропускания фильтра;31 - частотный интервал междупервыми нулями АЧХ Фильтра.На чертеже изображен Фильтр на ПАВ, пример выполнения.Фильтр на ПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 и расположенные на его поверхности ВШП 2 и 3, подключенные, соответственно, к источнику высокочастотного сигнала и нагрузке 5. Неаподизованный преобразователь 2 состоит из двух электродных структур, образованных штыревыми электродами 6 и 7, соединенными, соответственно, к контактным шинам 8 и 9. На поверхности...

Номер патента: 1721791

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, двухвходовый, поверхностных, резонаторный, фильтр

...резонатора,Лгде Ьф, = Ьо+ 2 Ьр, и Ьр - "глубина проникновения" ПАВ в отражательные струтуры,Резонаторный фильтр работает следующим образом.Собственные частоты резонатора Ьп)удовлетворяют обычному дисперсионномууравнению2 7 г 1 п)2 .о - 2 Р(1 п =2 ЛГП. (1)Чгде и) - целое;р Щ - фаза коэффициента отражения "зеркал".В дальнейшем будем считать, что.одна из собственных частот, удовлетворяющая уравнению (1), совпадает с центральной частотой полосы эффективного отражения, В этом случае расстояние между "зеркалами" 1 о выражаем из (1): гп Н Я Чо 2 та о Вводя глубину проникновения акустической волны в отражатель 4 3 пр = -(о) 1 Н диэ 4 д д 1 с помощью уравнения (1) легко показать, что набор собственных частот можно представить в видебп о+ гп...

Номер патента: 1737704

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Жаров, Малолыченко

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, аттенюатор, волнах, поверхностных

...от них тонкопленочные резистивные нагреватели.На чертеже представлена конструкция аттенюатора на ПАВ.Аттенюатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, входной 2 и выходные 3 и 4 преобразователи ПАВ и многополосковый ответвитель 5, средняя часть 6 каждого электрода которого (или их части) выполнена из ЧО 2, электропровод- ность которого изменяется скачком при температуре фазового перехода.Контактные площадки 7 служат для подключения внешних источников постоянного электрического тока, которым может быть изменена при необходимости температура и сопротивление полоски 6,В области средней части 6 электродов МПО, выполненных из ЧО 2, расположены электрически изолированные от них посредством диэлектрической пленки 8 тонкопленочные...

Номер патента: 1795536

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторный, фильтр

...ке и может быть использовано в радиоэлектронных узкополосных частотноселектирующих системах с повышенной частотной избирательностью, Цель изобретения - повышение избирательности. На рабочей гра пьезоэлектрического звукопровода устано лены входной и выходной встречно-штыр вые преобразователи, а также отражатели. Входной преобразователь выполнен секционированным, а выходной преобразователь имеет длину, равную периоду секций входного преобразователя. Приведена зависимость общей длины входного преобразователя от его периода, 2 ил. расположен в центре резонатора, а центр среднего электрода другого преобразовате- Я ля сдвинут от центра резонатора на - ф ,4 гдеэф - эффективная длина реэо 9)ансной ъ полости, . 4Недостатком данного устройства при...

Номер патента: 1316533

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов, Овсищер, Шепшелей

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, пьезоэлектрическое

...и струк"турных дефектов 4, Структурные дефекты 4 обеспечинают напранленноерассеяние, частичное поглощение инаправление ОАВ, преимущественно наторцовые поверхности звукопровода 1,которые могут быть покрыты акустопоглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление ОАВ,Часть ОАВ, рассеянных структурнымиэлементами 4 и прошедщих в направлении выходного преобразователя 3,претерпевают многократные отраженияот зоны структурных дефектов 5., поверхностей эвукопровода 1 и эффектив.ное их поглощение акустопоглотителем.Структурные дефекты 4, 5 могутобразовывать локальные структуры,.расположенные относительно преобразователей НАВ 2, 3 так,. что обеспечивается направленное рассеяние(отражение) ОАВ и распространениеОАВ преимущественно в...

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...