Патенты с меткой «наращивания»

Номер патента: 1134119

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Джон, Дэвид, Ричард

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, наращивания

...который бомбардируется ионами углерода 1 в предлагаемом способе содер3 11341 жит образование промежуточных петель в кристалле ионами, которые в него проникают, посредством чего дополнительные промежуточные атомы, созданные таким образом, осаждаются в промежуточных петлях. Бомбардирование вводит один дополнительный промежуточный атом в кристалл для каждого иона, падающего на кристалл. Дополнительные промежуточные атомы пред О ,почтительно осаждаются в промежуточных петлях и не компенсируются ростом незанятых петель. Концентрация и размер промежуточных петель, однако, увеличиваются в процессе бомбардирования и наружные размеры кристалла, таким образом, увеличиваются, т.е. повыша тся скорость роста алмаза и чистота поверхности.Для...

Номер патента: 1201307

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Кушков, Трегуб

МПК: C13G 1/06

Метки: вакуум-аппарате, кристаллов, наращивания, процессом

...способ автоматического управления процессом наращива.ния кристаллов в .вакуум-аппаратепредусматривает регулирование нересыщения межкристапьного раствора путем его измерения, сравнения с заданным значением и воздействия на подкачку сиропа или патоки, отбор пробы из аппарата в циркуляционный контур, ее охлаждение на постоянную величину и определение появления кристаллической.муки на выходе контура.При этом заданное значение пересыщения межкристального раствора устанавливают в зависимости от пересыценияраствора и содержания кристаллической муки в пробе.На чертеже показана система управления, реализукицая данный способ.Система состоит иэ вакуум-аппара"та 1, датчика 2, измеряющего пересыщение регулятора 3,...

Номер патента: 1240822

Опубликовано: 30.06.1986

Автор: Мешков

МПК: E02B 7/06

Метки: наращивания, хвостохранилища

...хвостов обогатительных фабрик.,Целью изобретения является снижение сроков возведения за счет ускорения консолидации отвальных. пород при 1 Оувеличении емкости хвостохранилищаили гидроотвала.На фиг. 1 изображено хвостохранилище, наращиваемое предлагаемым способом, план; на фиг. 2 - разрез А-Ана фиг. 1.В имеющемся хвостохранилище, образованном первичной. дамбой 1, емкость2. заполнена неконсолидированными породами. За предечами границы 3 призмы обрушения ранее намытых отвальныхнеконсолидированных пород намывают11основание, выполненное в виде дре-нажной" призмы 4, на котором возводятновую дамбу обвалования 5, за счет 25которой получают дополнительную ем)кость 6 хвостохранилища. Отвод водыосуществляют с помощью дренажных устройств 7,Способ...

Номер патента: 1244106

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Наумова, Оршанская, Перелыгина, Староверова, Шацкая, Шевцова, Шлезингер, Шлома

МПК: C02F 3/02

Метки: активного, ила, наращивания

...чем 0,028 мас,% концентрация приводит к изменению микроскопических характеристик активного ила, а проведение процесса при увеличении конечной концентрации добавки смеси более 0,15 мас.% приводит к ухудшению структуры ила: объемный иловый индекс увеличивается до 180 мл/г, что делает невозможным его применение в ходе биологической очистки, конечная концентрация смеси, меньшая чем 0,12 мас.%, уменьшает скорость прироста биомассы и период наращивания ила увеличивается ЗО на 4-6 сут.П р и м е р 1, В колбу Эрленмейера или мерный цилиндр объемом 2 л с 1000 мл разбавленной в 10-20 раз сточной (или условно-чистой) воды 35 предприятия, содержащей соль фосфор - ной кислоты (5 мг/л в расчете на Р О) и затравку активного ила. . " 0,5 г/л,...

Номер патента: 1244279

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Вейс, Гиршович, Пузырьков, Тулупов, Щекочихин

МПК: E21B 19/14

Метки: буровой, манипулятор, наращивания, секций, установки, шнековых

...16 шестерня 15 (направление вращения последней на 4 фиг. 4 показано стрелками) взаимодействует с зубьями рейки 5 и перемещает каретку влево или вправо. При этом направляющие 2 каретки движутся в направляющих ползунах 12. В случае подачи шнековых секций 4 для наращивания бурово го става (фиг. 3 и 4) включается привод поперечного перемещения и каретка 1 перемещается влево, При заходе скоса 8 каретки на ответный скос упора 7 стойки 1 О отклоняются назад (на фиг. 3 одна из стоек показана тонкими линиями) на угол у и каретка вместе с люлькой 11 параллельно первоначальному положению поднимается на величину С (фиг. 3). Таким образом шнековые секции 4 устанавливаются соосно буровому ставу и выходным валам вращателя 18.Поворот стоек 10 (т.е....

Номер патента: 1281662

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Исмаилов, Керимов, Олишивец

МПК: E21B 19/00

Метки: бурильной, горизонтального, колонны, наращивания, узел

...опорным гнездом в виде паза 6. Механизм передачи крутящего момента выполнен в виде клиновой пары, включающей клинья7 и 8, жестко закрепленные соответст- ,.венно на трубных звеньях 2 и 3. Поворотные втулки 5 снабжены подпружиненными ручками 9, которые фиксиру-ются в замкнутом положении с помощьюпосадочньж гнезд, выполненных в опорах 10, жестко закрепленных в корпусе 11,Узел горизонтального наращивания бурильной колонны работает следующим образом.35Процесс бурения с использованием узла горизонтального наращивания осуществляется в замкнутом положении 2втулок 5. При этом клиновая пара 7 и 8 находится в рабочем положении, паз 6 вкладышей находится в верхнем положении, а сами втулки зафиксированы и их поворот возможен только при снятии...

Номер патента: 1476047

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Колесниченко, Савченков

МПК: E02B 7/00

Метки: наращивания, плотины

...со сторонынижнего бьефа с учетом допустимых тградиентов фильтрационного потока восновании плотины.На второй стадии (фиг. 2) сооружается верхняя часть наращиваемой 35плотины 6 с обеспечением сплошности существующего противофильтрационного элемента 2 и его наращиваемойчасти. 7.40В качестве примера применения изобретения могут служить плотина 1 очереДи и верховая перемычка плотины Рогунской ГЭС, в основании которой проходит тектонический разлом с вме щающим его зону пластом соли.В случае принятия схемы создания водохранилища первой очереди ГЭС на верховой перемычке и напор на нее должен быть увеличен в 2 раза против допустимого по условию неразмываемости соли в ее основании. Развитие ширины ядра перемычки и, соответственно, размеров всей...

Номер патента: 1745579

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Болотников, Емец, Жаковский, Лебедь, Машура, Медведовская, Мороз, Полуэктов, Хоменко, Шатунов

МПК: B60P 7/00

Метки: наращивания, полувагона, стен

...дополнительные труд- полувагона на 90 устройство привоности и снижаюнижающих технику безопас- дится в рабочее положение, Г-образныености, хвостовики 5 и 6 косынок 3 и 4 не поз 11 ель изобретения - упрощение конст- воляют устройству перемещаться вдольРукции устройства. борта полувагона во время движения иУказанная цель достигается тем, остановки, так как упираются в стойкучто устройство содержит рычаг, выпол полувагона.ненныи с упором вупором в центральной части По сравнению с известным предлагав плоскости, перпендикулярной оси ры- емое устройство для наращивания стенчага, для вза одаииодействия с горизон- полувагона при перевозке скатываютальной стороной борта, при этом ме- щихся грузов имеет преимущества, коханизм креплпления рычага...

Номер патента: 1765452

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Болбат, Грядущий, Костенко, Крупка, Кузнецов, Любарский, Сухоруков

МПК: E21F 1/00

Метки: всасывающем, выработок, гибкого, наращивания, непрерывного, проветривания, способе, трубопровода, тупиковых

...элемент установленный на оси и содержащий отводы, на которых размещены аккумулируемые звенья гибкого трубопровода, установленный с возможностью вращения вокруг оси и поочередного сообщения одного из отводов с переходником, дополнительноаккумулирующий элемент выполнен в виде вала со спицами, на концах которых консольно и параллельно трубопроводу закреплены отводы, при этом вал со спицами установлен с возможностью вращения.На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг, 2 - сечение А - А на фиг, 1; на фиг, 3 - устройство с переходником, снабженным серповидной плитой, общий вид; на фиг, 4 - сечение Б - Б на фиг, 3,Устройство для непрерывного наращивания гибкого трубопровода при всасывающем способе проветривания тупиковых выработок...

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1632228

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Есин, Зуева, Калашников, Князева, Модева, Олейник, Семчиков, Таранец, Треушников, Шульпин

МПК: G03F 7/32

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

...е р 17, Определение средневязкостной молекулярной массы сополимера ММД с МДК и БМД с МДК,Средневяэкостную молекулярную массу Мд сополимеров, синтезированных по(ч) =К 45 50 55 примерам 1-16, определяют вискозиметрическим методом после предварительного метилирования.Метилирование сополимеров проводят по стандартной методике.Для определения характеристической вязкости используют вискозиметр Убеллоде, помещенный в термостатирующую баню 30 С. Последовательно определяют время истечения растворов исследуемого сополимера в ацетоне (концентрации растворов: 10; 5; 2,5; 1,25; 0,6 г/л) и время истечения чистого ацетона.Рассчитывают удельные вязкости ( т/уд) растворов сополимера указанных концентраций сополиЧера (Со) по формулет тотогде 1, то - время...

Номер патента: 1342279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Александрова, Гусарская, Есин, Калашников, Олейник, Померанцева, Таранец, Треушников

МПК: G03F 7/025

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА МАТРИЦЫ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО НАРАЩИВАНИЯ, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата формулыдиметакрилаттриэтиленгликоль, изобутиловый эфир бензоина и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности при толщине фотополимерного слоя 150 - 500 мкм, композиция содержит сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата общей формулы 1, где m = 600, n = 450, мол. мас. 90000 - 100000, и дополнительно содержит ингибитор радикальной полимеризации, выбранной из ряда хлоранил, бензохинон 2,2,6,6-тетраметил-4-оксопиперидин при следующем соотношении компонентов, мас. % :Сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.