Патенты с меткой «наращивания»

Номер патента: 348486

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Мильштейн, Шифрин

МПК: B66C 23/16

Метки: башни, крана, наращивания, объемными, секциями

...циями.Известны устройства емными секциями баш монтажную стойку, смо поворотную раму для секции в монтажный п бедку, канат которой з поворотной рамы. Монтируемая секция 11 крепится к поворотной раме хомутами 12, Отводные блоки 8 поворотной рамы связаны с цсй посредствм 0 шарниров 18 и размещены так, что общийцентр тяжести рамы вместе с каретками б рас положен ца консольной аст, к которой крепится монтируемая секция.Монтаж методом наращивания башни кра ца производится следующим образом.Верхняя часть 14 крана с помощью лебедки 4 поднимается по стойке 1 ц фиксируется в ее верхней части так, что образуется проем высотой, равной высоте монтируемой секц 1 ш 0 (см. фиг. 3),Рама 3 с помощью лебедки 4 поворачивается в горизонтальное положегп 1. С...

Номер патента: 453273

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Голиков, Калининградский, Хоз, Чемисов

МПК: B23H 9/00

Метки: заготовок, наращивания, сложнопрофильных, упрочнения

...3. На шток 4, жестко прикрепленный к оправке 1, посажен с электроизолирующей втулкой 5 носитель 6 ферромагнитного порошка, выполненный в виде зубчатого колеса с внутренним зацеплением, причем в носителе 6 профиль каждой впадины увеличен, а высота зубьев уменьшена по сравнению с темп же параметрами шестерни 3 на общую длину двух - пяти зерен ферромагнитного порошка. Носитель 6 оснащен жестко прикрепленным к нему толкателем 7, взаимодействующим с кулачком 8, вращаемым, например, от привода станка. Бункер 9 ферромагнитного порошка соединен с патрубком 10, соединенным с источником охлаждающей жидкости и выходящим в кольцевую выточку в средней части носителя б, выходящую за пределы дна впадин. Носитель 6 подключен к положительному, а...

Номер патента: 474572

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Нефедова, Хамаев

МПК: C23C 3/02

Метки: гальванического, медного, наращивания, покрытия, электролит

...ватостью, увеличивающейся с ростом сред за период плотности тока. Поэтому оса в дальнейшем подвергают химическому по рованцю для повышения чистоты повер сти. Поднять плотность рабочего тока вь 2 Л/дма не удается, так как резко увел в а ется кристаллическая шероховатость КРЫТ 151.Целью изобретения является у скорости осаждения покрытия и качества покрытия.Для этого в электролит введен окислит например бихромат калия, при следую соотношении исходных компонентов, г/л:Сернокислая медь 150 в 2 Серная кислота (плотность 1,87) 50 - 70Бихромат калия 10 - 20,Процесс электроосажденцяпульсном токе, в частностипромышленной частоты с длитпульса и паузы 10 мсек.5 Изобретение может быть пвано примером.Электрохцмцческое осаждендцтся в электролите,...

Номер патента: 503633

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Бураков, Вавилов, Лисин, Микотин, Снежной

МПК: B22D 19/02

Метки: наращивания, ребер, способа, теплообменных, труб

...расширяющееся сечение, а вдоль прорезей с обеих сторон в формообразуюшем элементе выполнены внутренние полости 8 для подачи охлаждающего агента, , расположенные в близи торцев прорезей, и объединенные в коллекторы подачи 9 и выхода 10 охлаждающего агента, (предпочтительно-жидкости), С помощью механизмов (на фиг, 1 и 2 не показанньх) производят вращение заготовки и одновременное перемещение ее под острым углом "с( к поверхности расплава в направлении захода спирали ребер заготовки в прорези формообразующего элемента (по фиг, 1 и "2 - слева направо ) и подают охпаждаюший агент в коллектор 9 и во внутренний канал трубы 5.При одновременном вращении и перемещении ребра 7 вверх и слева - направо торец его под действием сип поверхностного...

Номер патента: 503699

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Абрамов, Чемисов

МПК: B23P 1/18

Метки: заготовок, наращивания, плоских, поверхностей, токопроводящих, упрочнения

...тока в зоне обработ ки зернами порошка, последний расплавляется и при совместном действии магнит ного поля тока и поля постоянных магнитов равномерно распределяется го обрабатываемой поверхности и внедряется в нее с образованием прочно сцепленного с обСоставитель Т. ЮнгРедактор .В, йибобес Техред М, Ликович Корректор С, Еолдижар 3 64 Тираж 11ЦНИИПИ Государственного кпо делам изо113035, Москва, Ж8Подписноемитета Совета Министров ССС бретений и открытийРаушская наб.,д. 4/5 илиад ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1011 подключают к источнику электрического тока клеммами 8. Формула изобретения б1. Устройство дпя упрочнения и наращивания плоских поверхностей токопроводяших заготовок, подключенных к одному из полюсов источника тока,...

Номер патента: 523022

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Амстиславский, Харитонов

МПК: B66B 9/187

Метки: методом, монтажа, наращивания, подъемника

...возможность перемещаться вдоль рамы на опорных роликах 13 и удерживаемая от опрокидывания обратными роликами 14. Стойка снабжена крюками 15 для закрепления на ней секции направляющих 2. Вторым узлом устройства является монтажный оголовок, состоящий из кронштейна 16, устанавливаемого на подлежащей монтажу секции, и полиспаста, неподвижные блоки 17 которых установлены на кронштейне 16, а подвижные 18 подвешены к ним с помощью каната 19.Для соединения подвижных блоков 18 с обоймами 6 трособлочной головки полиспасты снабжены серьгами 20, для присоединения коушей свободных концов канатов 19 к кабине служат пальцы, входящие в стойки 21, предусмотренные на кабине 1. Направляющие 2 посредством кронштейнов 22 скреплены с закладными элементами...

Номер патента: 523982

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Андреев, Мартышин, Рубинштейн

МПК: E21B 19/00

Метки: бурового, наращивания, разборки, става, штанг

...подачи имеет три фиксированных чбположения осевого перемещения и три фиксированных положения поворота, Крайнее верхнее и крайнеенижнее положения осевого перемещения фиксируютсясоответственно упором поршня в дно и крышкугидроцилиндра 15. Промежуточное положение, фиксируемое на уровне проточек штанги, находящейся в стеллаже, на участке от крайнего левогоположения поворота до положения на оси бурения,фиксируется плоскостью захвата 17 и упором 26.Крайнее левое положение поворота фиксируется 45упором поршня в крышку гидроцилиндра 25, акрайнее правое положение - упором захватов дляштанг в ограничители на стеллаже. На оси бурения,в крайнем верхнем положении, поворот механизмаподачи фиксируется упорами 27 и 28. Упоры 26 - 5028...

Номер патента: 538639

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь

МПК: H01L 21/20

Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального

...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...

Номер патента: 609864

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Гончар, Дрямов

МПК: E21B 19/00

Метки: буровой, дистанционного, машине, наращивания, штанг

...парами верхних боковых 5 и нижних боковых 6 звеньев, выполненных в виде шарнирных четырехзвенников, а также центральных звеньев 7, которые являются общими для смежных ячеек-захватов. Центральные звенья 7 выполнены в виде прямоугольного четырехшарнирного элемента 8, в котором оси 9 шарниров расположены на диагоналях прямоугольника на равном расстоянии от центра элемента 8,Верхние 5 и нижние 6 боковые звенья соединены между собой боковыми шарнирами 10, которые выполнены в виде осей 11 с надетыми втулками 12.Каждая ячейка охватывает раздельно штангу 13 и своими боковыми шарнирами 10 взаимодействует с ограничителями 14. Верхняя ячейка-захват через груз 15 соединена с гибким элементом 16 привода. Съем штанг производится врашателем 17...

Номер патента: 617588

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Вареха, Ким, Ненахов, Нюгай, Сагатов, Судариков

МПК: E21B 19/14, E21C 27/22

Метки: буровых, наращивания, шнеков

...при складировании шнеков и снимаются при наращивании послсднГГх.Устройство работает следующим образом.Зарядка шнеков в накопитель между 5 опорными балками 3 и верхней направляющей балкой 4 осуществляется с помощью тали или вручную. Все устройство крепится к буровой машине ц вместе с цей передвигается вдоль штрека, Нижний и верхний 10 ярусы шнеков имеют разностороцГпою навивку лопастей. Питатель 1 устанавливается в правое крайнее положение, т. с. шток домкрата 10 должен находиться во втянутом положении. Шток домкрата 12 стопор ного устройства 11 тактке должен цаходцтГ- ся во втянутом положении. Секции 9 рггулируются по высоте так, чтобы оси шнеков, лежащие на питатслс 1, находились ца о,Г- ном уровне с осями шпинделей буровой машины. При...

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...

Номер патента: 631317

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Ананьев, Примак, Руднев, Шулев

МПК: B24B 31/10

Метки: заготовок, наращивания, токопроводящих, упрочнения, электрод-инструмент

...соленоида 2 с возможностью вращения в нем и несет на себевращающийся вместе с нею инструмент 3,выполненный из двух конических шестерен2 а 4 и 5, соединенных плоскими торцовымиповерхностями большого диаметра, междукоторыми равномерно по окружности размещены с возможностью вращения кольца6 из немагнитопроводного диэлектрика,631317 фиг. г Каждое кольцо выступает относительно рабочей поверхности на величину, равную величине рабочего зазора, который выбирается в пределах суммарной длины 3-5 зеренферромагнитного порошка, 5Оправка 1 скользящим контактом подключена к одному полюсу, а обрабатываемая заготовкак другому полюсу источника электрическот о тока.Электрод-инструмент подводится к об 1 Орабатываемой поверхности заготовки...

Номер патента: 645990

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Калашников, Олейник, Тимин, Треушников, Шульпин

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матрица, наращивания, плоских

...1, слой 2 Фоторезиста, 5прилегающий к металлическому основанию, основной защитный слой 3, элементы 4 гальнанопластически осажденного изделия, дополнительный промежуточный слой 5 из триакрилатг 1 ентаэрит- )0рита,Введение дополнительного слоя изтриакрилатпентаэритрита позволилоукрепить между собой слои нз сухогопленочного Фоторезиста, составл:ощего осовной ваши оный сло:, и негативных Фоторезистов (ФН, ФП),непосредственно нанесенных ца металлическое основание.Повышение адгези между слосцизащитного копировального рельеФа матрицы обусловлено тс.м, что при использовании в качестне дополнительного промежуточного слоя триакри.цатпентаэритрита обеспечивается термо 5динамическая сонместимость его как сматериалом основного зашитного...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 608376

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Воронин, Дроздов, Коробов, Маслов, Нечаев

МПК: H01L 21/20

Метки: наращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...направлении расстояние между соседними окнами остается неизменным и составляет величину 10 мкм. Таким образом доля плошадей участков, не покрытых защитной пленкой, изменяется от 26 О/о для края, где расстояние между двумя ближайшими окнами составляет 10 мкм, до 15 О/, у противоположного края,Предложенное устройство твердого источника было применено для получения эпитаксиального слоя арсенида галлия с релье фом поверхности в виде клина.Подготовленный источник и подложку закрепляют на держателях так, чтобы поверхность источника с окнами была обращена к подложке из арсенида галлия и их поверхности были плоско-параллельны и отстояли друг от друга на расстоянии 500 мкм. Держатели с источником и подложкой помешают в реактор и нагревают...

Номер патента: 693546

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Атабаев, Баймуратов, Беленький, Вайсберг, Дятлов

МПК: H05B 7/14

Метки: кожуха, механизмом, наращивания, перепуска, самоспекающегося, секций, электрода

...14, Механизмперепуска закреплен на несущей травер- Осе 15 гидроподъемника 16, установленного на перекрытии цеха 17. Работает устройство следующим образом.15При эксплуатации подвижные опоры 2 находятся в нижнем положении,а прижимные щеки 4 в отжатом положении, т.е. не контактируют,с кожухомэлектрода 5; отжатое состояние щекобеспечивают пружины 7 механизма перемещения б, которые давят на шток8 и отжимают щеки от кожуха.При необходимости наращивания новой секции кожуха электрода эта секцияпомощью цехового крана подается таким образом, чтобы она легла нижнимторцом на торец верхней привареннойсекции. Затем с помощью подвижныхопор 2 поднимают короб 1 с отжатымищеками 4 до тех пор, пока последние 30не будут расположены...

Номер патента: 726680

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Бошняков, Гольдштейн, Комарницкий, Печеник, Рогальский, Соколов, Сулим

МПК: H05B 7/14

Метки: наращивания, электродов

...устройстве 3 нижнего электрода установлен нижний корпус 9, в котором смонтирован механизм зажима 10 нижнего электрода.Нижний корпус 9 кинематически связан с приводом подъема и опускания 11 каретки 12 через серьги 13, рычаги 14, блоки 15.Работа устройства в режиме свинчивания электродов осуществляется следующим образом.Нижний электрод в каретке 12 при помощи привода подъема и опускания 11 устанавливается таким образом, чтобы его верхний образец выступал над нижним корпусом 9. После этого механизмом зажима 1 О нижний электрод зажимается. Далее мостовым краном перемещают верхний электрод и вставляют его в механизм зажима 7, опуская до соприкосновения с ниппелем электрода. После этого включаются механизмы зажима 7 и вращения 8 верхнего...

Номер патента: 339134

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Дерягин, Спицын

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, граней, наращивания

...практически неразвивается, Это,: позволяет наращивать с большой скоростью нестабильные кристаллы весом около килограмма., нпи СВ; окоп опыта 3 ч.Грань алма С 34 и СВГ н под микроскоп криствппическ нароста, Велич Сущность предлагаемого способа состоит в том, что соединения углерода С 34, СВг возгоняются при 110-120 С из ампулы и, проходя через термостатированную (продуванием воздуха 1 25 С)о трубку, попадает в виде потока молекул на грань кристалла алмаза, помещенного на нагреватель иэ танталовой ленты.Кристаллы представлятот собой плоскопаралпедьную пластину с размером 2,5 " за, обращенная к потокуаблюдаемая при увеличенииом к 1000, обнаруживаетое строение полученного ина образовавшихся полупрозрачных кристалликов в отдельных...

Номер патента: 748078

Опубликовано: 15.07.1980

Автор: Журавлев

МПК: F16L 55/18

Метки: наращивания, наружной, трубы

...узел выполнен в виде5 сттоек с жестко закрепленной на них,.неподвижной траверсой и с шарнирнозакрепленной подвижной траверсой,а инструмент установлен на фланце свозможностью погружения в,трубу, амежду концами неподвижной траверсы40 дополнительно установлен ручной привод.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР45 М 516868, кл, Р 16 Б 55/18, 1974,2, Авторское свидетельство. СССРР 488043, кл. Р 1 б 1 41/04, 1973,К торцу фланца 8, обращенному в сторону, противоположную фланцу 7, присоединен соосно упомянутым флан,цам патрубок 11, выполняющий функцию бугельного узла для штока 12 с заглушкой 13 на конце. Вместо заглушки может быть установлен другой инструмент, например,фреэа,...

Номер патента: 750102

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Билан, Бондаренко, Коваленко, Митасов

МПК: E21F 1/04

Метки: вентиляционных, наращивания, става, труб

...колена в вентиляцион-,20 ную трубу, разрез,Предлагаемый способ наращивания става вентиляционных труб обеспечивает по сравнению с существующими способами упрощение процесса, так как отсутствуют операции по отсоединению и присоединению жесткого колена, соединению отдельных звеньев, исключение пЬдвески става на канатах, уменьшение грузоподъемности лебедок, сокращение времени на оборудование ствола вентиляционным ставом, непрерывную подачу воздуха при наращивании и опускании става в ствол, уменьшение аэродинамического сопротивления става.Способ наращивания става вентиляционных труб осуществляется спедующим образом. С бобин 1, установленных на осис25 лебедок, сматывают ленты 2 и направляют через отводный ролик 3 нв кольцевой концуктор...

Номер патента: 750762

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Кадемик

МПК: H05B 7/14

Метки: наращивания, электродов

...к полумуфте кулачковой 50 пружинными устройствами 52 через фланец 53, навинченный на полумуфту кулачковую 50 1 о и застопоренный винтом 54.Опорная стойка 4 имеет паз, образованный неподвижным упором 55 и подвижным упором 56 углового Г-образного рычага 57, прикрепленного через шарнир 58 к опорной стойке 4.Траверса 1 через блок 59 уравновешена контргрузами 60, вес которых больше веса порожней траверсы, но несколько меньше веса траверсы с закрепленным в ней верхним электродом. Г-образный рычаг 57 взаимодей- эо ствует с конечным выключателем 61, прижимая траверсу 1 к неподвижному упору 55 рычажно-грузового устройства 62, снабженного контргрузиком 63 и контргрузом 64, которые могут передвигаться по рычагу 65. Опорная 25 стойка 4...

Номер патента: 767269

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Каменцев, Мойжес, Небытов, Неллин

МПК: E01D 15/12, E01D 19/14, E01D 21/00 ...

Метки: блоков, высоте, наращивания, опоры, сборной

...стойки, причем один конец каждого тягового троса закреплен на верхнем участке смонтированной части опоры, а другой - навит на барабан соответствующей лебедки.3. . 76На фиг 1 показанподъем очередного блока опоры при работе тельфе-, рами. на Фиг. 2 - установка очередного блока опоры с перемещением тельферов, по рельсовому пути; на Фиг, 3 - устройство, положение Пбсле установки очередного блока оПоры тельферами; на фиг. 4 - то же, поло жение в процессе подъема ригеля,Устройство для наращиванияпо высоте сборной из блоков 1 сборно- разборной опоры 2 временного моста . содержит соединенный со смонтиро- ванной частью опоры двухкбнсольный ригель 3 с рельсовым путем 4 и установленными на каждой консоли 5 ригеля 3 и перемещающимися по рель-...

Номер патента: 791640

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Ванифатьева, Дерковский, Сергиенко, Филиппов

МПК: C02F 3/34

Метки: биологических, микроорганизмов, наращивания, очистных, пуска, сооружений

...увеличилась.П р и м е р 1. Резервуар для наращивания микрофлоры емкостью 2000 м. 4)заполняют сточной водой производствасинтетических жирозаменителей с концентрацией органических соединений4000 мгО/л по ХПК (химическое потребление кислорода), имеющей добавки биогенных солей азота и фосфорапри соотношении БПК 5.й:Р=100:1,5:0,7,Одновременно вносят бактериальныемутанты в количестве 0,0001 об.,Жидкость в резервуаре подвергают непрерывной аэрации воздухом в количестве 2000 м/ч в контактных условиях, Наблюдения вели как. за образованием хлопка активного ила, так иза изменением химического составасреды.После нескольких часов аэрациисреда стала мутной. При микроскопировании было обнаружено большое количество отдельных клеток, Черезсутки...

Номер патента: 831714

Опубликовано: 23.05.1981

Автор: Шифрин

МПК: B66C 23/34

Метки: башникрана, наращивания

...обоймы относительно башни3 83 7 ная обойма 5 снабжена направляющей рамой 8.Внутри направляющей рамы 8 перемещается тележка 9, которая снабжена балками 10, . охватывающими монтируемую секцию 4, на которой выполнены гнездадля взаимодействия с упорами 11 балок 10. Сама направляющая рама 8 соединена с наружной обоймой 6 шарнирным четырехзвенным механизмом 12. Шарнирный четырехэвенный механизм образован двумя неподвижными шарнирами 13 и 14, а также двумя подвижными шарнирами 15 и 16, соединеннйми попарно тягами 17 и 18.Шарниры 13 и 14 соединены с наружной обоймой 6, а шарниры 15 и 16 - с направляющей рамой 8. Приэтом тяга17 выполнена постоянной длины, а тяга18 - переменной длины в виде талрепа (фиг. 5). К шарниру 15 тяга 17 присоединен...

Номер патента: 948599

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Джанелидзе, Корнилов, Малянов, Миронов

МПК: B23P 1/10

Метки: гальванического, металла, наращивания, хонингования

...сборки-разборки подвески значительно удлиняют процессгальванического наращивания толстыхслоев покрытий.Целью настоящего изобретения является повышение производительностипри гальваническом наращивании толстых слоев металла на внутренние цилиндрические поверхности,Для достижения поставленной целив данном устройстве шток выполнен полым для размещения внутри него анода, контактирующего со щеткой, установленной на внутренней поверхностиштока, а в верхней части штока расположены окна для охлаждающей жидкости.На фиг. 1 представлен общий вид хонинговальной головки в процессе работы; на фиг. 2 - разрез А-А на фнг. 1.Хонинговальная головка содержит корпус 1, в окнах которого расположе ны конусные колодки 2 с абразивными брусками 3. Колодки 2...

Номер патента: 1043243

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Кирик, Минькив, Моргун, Чих

МПК: E02B 7/06

Метки: наращивания, хвостохранилища

...на отвальных породах и намыв последующего яруса.При этом способе ограждающий первый ярус устраивают из фильтрующего грунта, верховой откос которого покрывают водонепроницаемым экраном с последующим нарушением целостности экрана перед намывом второго яруса 2.Недостатками данного технического решения являются: возможность фильтрации рассола растворимых солей в месте контакта между наращенным ярусом и существующей дамбой; недостаточная устойчивость наращивания яруса из-за нарушения контакта с существующей дамбой и выносом растворимых солей из под тела нара- щенного яруса. Целью изобретения является повышение устойчивости сооружения.Укаэанная цель достигается тем, что сначала углубляют отвальные породы, располагают основание последующей...

Номер патента: 1046468

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Вареха, Ким, Нюгай, Судариков, Фераниди, Яо

МПК: E21B 19/14

Метки: наращивания, складирования, шнеков

...вид сбоку при шнеках, поднятых над головнойсекцией накопителя; а на фиг. 4то же, вид сбоку при шнеках, расположенных над буро-шнековой установкой. 55Устройство включает секции платформы накопителя 1, служащие дляперемещения в них цепи с желобами 2и расположенными на них шнеками 3,колеса 4 для перемещения всего устройства по почве горной выработки,раму питателя 5 с направляющими би четырьмя гидродомкратами 7 подьема, гидродомкрат 8 подвижной платформа 9 с перегородкой 10, два при-. 65 жима 11 с гидродомкратами 12. Перемещение подвижной платформы питателя перпендикулярно оси накопителя осуществляется гидродомкратом 13, Гидродвигатель 14 осуществляет пере мещение желобов со шнеками по секциям платформы накопителя, которая с помощью сцепки...

Номер патента: 1079679

Опубликовано: 15.03.1984

Авторы: Берман, Заболоцкий, Пахарь, Светковский, Шкода

МПК: C22B 9/18

Метки: наращивания, электродов

...вращения. Вертикальное перемещение наращиваемых электродов приводит к необходимости применения приводов большой мощности, что приводит к перерасходу электроэнергии и повышению себестоимости изготовления электродов. Целью изобретения является обеспечение улучшения удобства н работе и упрощение конструкции.Поставленная цель достигается тем, что в установке для наращивания электродов, содержащей раму с направляющими, приводные каретки, стаканы под электроды и механизмы зажима и вращения электродов, рама расположена на горизонтально, а стаканы снабжены подвижными механизмами и шарнирно установлены в противоположно размещенных каретках, расположенных с воэможностью перемещения на горизонтальных направляющих, между 65 которыми...

Номер патента: 1100282

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Глуздовский, Двинятин, Малин, Садова

МПК: C08J 3/18

Метки: вязкости, наращивания, пластизоля, поливинилхлоридного, процессом

...интервалы обуславливается закономерностями нарастания вязкости пластизоля на основе ПВХсмолы, которые характеризуются на третьем интервале резким возрастанием 0 вязкости примерно в 2-2,5 раза, а на четвертом интервале медленным ростом примерно на 14157. Указанное деление на временные интервалы подтверждается минимальными ошибками35 уравнений регрессии (0,03-0,60 Па с), полученных при статистической обработке экспериментальных данных.П р и м е р . Проводят управление наращиванием вязкости по предлагае мому способу. Для чего используют смесь эмульсионной .ПВХ-смолы марки"Волговинип ЕП" 100 вес.ч, пласти-фикатор ДБФ 53 вес.ч, и пластификатор ДАФ 789 31 вес,ч,Предварительно для получений уравнений регрессии проводят серию опытов со смесями...