Патенты с меткой «локального»

Номер патента: 1811384

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Буянов, Ванюшин, Загородний, Ивакаев, Моченов

МПК: A61B 17/36

Метки: биотканей, локального, охлаждения

...б, Криозонд соединен с рукояткой 7, Внутри криозонда имеется канал 8, общий с каналом 9,проходящим в рукоятке 7. В каналах 8 и 9проходят провода от нагревателя 4 и температурного датчика 5, Рукоятка 7 снабженаэлектрокнопкой 10 для включения нагревателя, В торце рукоятки размещен электроразьем. 11,Устройство работает следующим образом. Криозонд погружается в ванну, например с жидким азотом, и захолаживается до 35температуры его кипения (77 К). За счетзапаса холода в аккумуляторе 1 осуществляется процесс криовоздействия. Этот запасхолода О, Дж, составляет величинуао где М - .,масса аккумулятора холода, кг; С - теплоемкость материала, Дж/(кг К); 45 Т 1 - температура кипения криогента, К; Т 2-. температура окружающей среды, К; й 1, й 2 -...

Номер патента: 1815733

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бадер, Семенчук, Сыченко

МПК: B60M 3/02, H02J 3/12

Метки: локального, подстанции, тяговой, шинах

...и раоотает в операционной системе ренизовать на типовом микропроцессоре.ального времени, Генератор тактовых импередачу значений тока и напряжения на шинах тяговой нагрузки с датчиков 1 и 2. Датчик тока 2 представляет собой, например, компенсированный датчик тока на основе эффекта Холла 4). Датчик напряжения 1 может представлять собой модификацию указанного датчика тока 4), ток в котором задается калиброванным сопротивлением. Блок ввода информации может быть реализован функциональным модулем КТС ЛИУС КС 31.04 5) или по схеме, приведенной в 6, 7.Информация в двоичном коде о значениях тока и напряжения заносится в блок памяти 9. В блоке памяти 9 хранятся массивы значений тока и напряжения, По поступлению новых значений тока и напряжения,...

Номер патента: 1819914

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Бендерский, Ефимов, Кривенко, Курмаз

МПК: C25D 5/02

Метки: локального, металлических, нанесения, покрытий

...воздействия и не зависит .от толщины подложки. При этом происходит локальное повышение адгезии подложки, поэтому в состав электролита нет необходимости включать компоненты, повышающие адгезию всей поверхности.Выбор нижнего предела интенсив. ности обусловлен тем, что пластичес" кие деформации в подложке возникают лишь когда послерняя превысит106 Вт/см 2. При интенсивности10 Вт/см 2 начинается разрушение подложки вследствие кавитации в пристеночньх слоях жидкости и испарения материала подложки.Лля получения осадков с высокой контрастностью подложка должна иметь малую адгезию к осаждаемому покрытию.Для получения локального металл- содержащего покрытия следует использовать растворы солей, содержащих осаждаемый металл, причем...

Номер патента: 1822972

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Антюшин, Румянцева, Шалыгин, Штурбин

МПК: G01N 27/62

Метки: локального, полупроводников, сопротивления, удельного

...расположен в отверстии плоского конденсатора, при этом расстояние от острия электрода до рабочей поверхности базового электрода, на которую кладут исследуемый образец 7, составляет величину порядка 0,1 мм. Конденсатор б, показанный на рис. 1 пунктиром, представляет собой межэлектродную емкость резистора 4, которая, как будет видно из дальнейшего, играет важную роль в работе устройства.Работает устройство следующим образом,Конденсатор 2 выступает в роли накопительного конденсатора; при включении источника напряжения 1 он начинает заряжаться, высокое внутреннее сопротивление источника напряжения обеспечивает относительную медленность этого процесса. Одновременно растет и потенциал зондирующего электрода 5 по отношению к образцу 7,...

Номер патента: 1824456

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вейко, Кайданов, Ковачки, Шахно

МПК: C23C 14/04

Метки: лазерного, локального, нанесения, пленки

...также использование для реализации предлагаемого способа проекционной опт 1 еской системы для формирования топологии наносимых пленок проекционным или контурно-проекционным методом,При использовании предлагаемого способа после перенесения материала донорной пленки с донорной подложки на анцепторную подложку в конце импульса излучения уменьшается плотность потока лазерного излучения, достигающего пленки, вследствие рассеяния излучения на освободившейся от донорной пленки шероховатой поверхности донорной подложки, Результаты проведенных оптических измерений мощности излучения, проходящего через донорную подложку с шероховатой поверхностью(йд = 3 мкм), ц и мо;.1 ности излучения, проходящего через донорную подложку с полированной...

Номер патента: 1836450

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Ильин, Либман, Меньшиков, Пан, Соколов, Шумилин

МПК: C21D 9/08

Метки: длинномерных, локального, металлических, нагрева, печь, проходная, секционная, скоростного

...ее свободное истечение в атмосферу цеха. Это уменьшает расход газовоздушной смеси, э следовательно и удельный ее расход,Торцовые стенки выполняются подъемно-опускающимися для облегчения условий эксплуатации печи,По имеющимся у заявителя данным в известных решениях отсутствуют признаки,сходные с признаками, которые отличают от прототипа заявляемое техническое решение, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию изобретательский уровень,Положительный эффект от использования заявляемой конструкции печи будет получен за счет. проявления нового технического эффекта, заключающегося в том, что рабочие камеры секций нагрева выполнены в нижней части со сплошной футеровкой, между секциями нагрева расположены футерованные секции,...

Номер патента: 1837218

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Авдеев, Галахов, Дробков

МПК: G01N 27/02

Метки: датчик, кондуктометрический, локального, паросодержания

...минеральной набивк й 2. Внутри набивки размещены токоввод3 электродов 4, покрытые слоем 5 и литетрафторэтилена, Неизолированныег к нцы электродов 4 образуют измерительный участок датчика. ик работает следующим образом. ействием давления и температуры реды слой 5 переходит в пластичеояние. Пластичность слоя 5 комет различие в коэффициентах(54) КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ЛОКАЛЬНОГО ПАРОСОДЕРЖАНИЯ (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в энергетике для кон)роля парораспределения в элементах энергетических машин и аппаратов, содержащих двухфазные среды. Сущность изобретения: устройство содержит цилиндрический корпус, заполненный минеральной набивкой. Внутри нее расположены токовводы электродов,...

Номер патента: 1159442

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Трубицын

МПК: G11B 5/127

Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7

Номер патента: 1521135

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Миляева, Розанов, Спирин, Титова, Шадрин

МПК: C23F 1/02

Метки: времени, локального, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН, предусматривающий пробное травление нескольких пластин из данной партии в интервале времени от 1 до 2 последующее измерение ширины рабочей дорожки на пластинах, прошедших травление в течение одного и того же времени, сравнение измеренных величин с серединой поля допуска ширины рабочей дорожки и травление всей партии в течение отрезка времени в пределах от 1 до

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Либо, Пригода, Пухляков

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, локального, травления, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1774787

Опубликовано: 20.02.1996

Автор: Егоров

МПК: H01K 7/00

Метки: лампа, локального, нагрева, накаливания, освещения

1. ЛАМПА НАКАЛИВАНИЯ ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ОСВЕЩЕНИЯ И НАГРЕВА, состоящая из корпуса с прозрачной стенкой в направлении выхода излучения, внутри которого расположены рефлектор, отражающая поверхность которого имеет форму эллипсоида вращения, и установленное в одном его фокусе светящееся тело, отличающаяся тем, что, с целью повышения концентрации излучения, указанная прозрачная стенка представляет собой часть поверхности сферы, центр которой находится в другом фокусе, расположенном вне корпуса.2. Лампа накаливания по п.1, отличающаяся тем, что рефлектором является часть внутренней поверхности корпуса.

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...

Номер патента: 1805826

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Виноградов, Чубаров

МПК: H05K 3/18

Метки: диэлектрическую, локального, медью, металлизированную, олово-свинец, осаждения, подложку, сплава

...применим для процесса образования слоя метзллореэиста, в частности слоя сплава олово-свинец при производстве печатных плат, а также при изготовлении полупроводниковых приборов и микросборок.П р и м е р, Реализуют предлагаемыйспособ на подложках из фольгировзнного медью стеклотекстолитз СФ-35/1,5 ситалла и поликора с напыленным слоем меди толщиной 5 мкм.Предварительно нз свободные от формируемой электрической схемы места под ложки напаивался активатор - несколько (1-4) технологических "капель" активирую- щего металла произвольной формы и раэме 1805826 4ров, Затем подложка погружалась в ванну с рзствором следующего состава, г/л:Борфтористое олово 15 Борфтористый свинец 95 Борфтористая кислота 260Борнэя кислота 20 - 30 Вода До 1 л Ванна...

Номер патента: 1811274

Опубликовано: 20.12.1996

Авторы: Гепштейн, Искаков, Трушин

МПК: G01K 17/20

Метки: коэффициента, локального, теплоотдачи

...датчика температуре прилегающего к нему участка стенки и канала,На фиг. 1 показан один из вариантов устройства для осуществления предлагаемого способа; на фиг. 2 - изменение температуры во времени для калориметрического датчика (кривая 1) и стенки канала (кривая 2) на режимах разогрева (1), самопроизвольного охлаждения (11) и исследуемого режима течения (111).Устройство включает в себя канал 1, в стенке 2 которого установлен калориметрический датчик 3, с термопарой 4, подключенной к измерителю 5. В стенке 2 канала вблизи датчика 3 заделана термопара б. К термоэлектродам термопары 4 через переключатель 7 подключен источник тока 8. Способ определения локального коэффициента теплоотдачи, включающий пропускание рабочей среды через...

Номер патента: 1331369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Земсков, Игуменов, Чесноков

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: локального, нанесения, подложку, покрытия

1. Способ локального нанесения покрытия на подложку, включающий осаждение покрытия из парогазовой фазы металлоорганического соединения под действием лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия и производительности процесса, осаждение покрытия осуществляют при общем давлении, равном атмосферному, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей и мощностью в импульсе 107 109 Вт/см2, причем в процессе облучения проводят периодическое отклонение луча с частотой, меньшей частоты следования импульсов или некратной ей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлоорганических соединений используют летучие...

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1752133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/306

Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...

Номер патента: 1319692

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Злобин, Костышева, Кюрегян, Сорокин, Шуман

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, локального, образцов, подготовки, следов, элементов

Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после выделения преципитатов при температуре интенсивного распада твердого раствора (0,4 - 0,7) Tпл в течение времени от tмин до 10tмин,где ;D(T) и Vа - коэффициент диффузии и объем атома...

Номер патента: 1321212

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Акулинин, Валеев, Ягодкин

МПК: G01N 15/14

Метки: гидрозолей, локального, массы, потока, размеров, частиц

Способ локального измерения размеров и потока массы частиц гидрозолей, заключающийся в том, что формируют параллельный пучок монохроматического света, облучают им дисперсную среду и регистрируют под прямым углом к направлению пучка интенсивность рассеянного частицами излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерений, первичное излучение преобразуют в линейно-поляризованное, в рассеянном каждой частицей излучении выделяют два линейно-поляризованных компонента, плоскости поляризации которых взаимно перпендикулярны, и одна из последних проходит через оси источника и приемника излучения, регистрируют эти компоненты, а о размере и потоке массы частиц судят по...

Номер патента: 792806

Опубликовано: 20.06.2005

Авторы: Маркин, Новиков, Фомин

МПК: C03B 37/09

Метки: локального, нагрева, печь

1. Печь для локального нагрева, преимущественно, фоконов, включающая корпус и электронагревательный элемент в форме полого тела вращения с присоединенными к нему токоподводами, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции с улучшением установки соосности относительно волоконнооптической заготовки, электронагревательный элемент выполнен с цилиндрической внутренней поверхностью и с переменной толщиной стенки.2. Печь для локального нагрева по п.1, отличающаяся тем, что электронагревательный элемент выполнен в виде двух полых усеченных конусов, сочлененных меньшими основаниями. 3. Печь для локального нагрева по п.1, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения возможных...