Способ локального лазерного нанесения пленки

)5 С 23 С 14 ЕНИЯ ИДЕТЕЛЬСТ АВТОРСКОМ лазерной оыть использростроениилении оптич ется повыш нки эа счет и ее толщины и.р исполненияего осущестфиг 2 - профме поверхности - фотографиии, полученных ба-прототипа соба (фиг,Зб).оляющего осусоб, содержит ЛТИ( Д му, формирующую иэ исистем ереы 2,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР(71) Ленинградский институт точной механики и оптики(56) Р.Вог 99 гаа 1.аэег - Ьавеб РассегпСепегатоп. Яепсопдиссогпсегпасопа 1,Мау 1988, р,120,Вейко В,П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л,: Машиностроение, 1986,с.148.(54) СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ЛАЗЕРНОГОНАНЕСЕНИЯ ПЛЕНКИ Изобретение относится к работке материалов и может б вано в точном прибо микроэлектронике, в изготов ских и электронных элементо Целью изобретения явля ние качества наносимой пле вышения равномерности улучшения структуры и адгеэ На фиг.1 приведен при схемы устройства, позволяю вить предлагаемый способ; на илограмма шероховатой донорной подложки; на фиг,З нанесенных участков пленк при использовании спосо(фиг.За) и предлагаемого спо Схема устройства, позе ществить предлагаемый спо импульсный лазер 1 на ИАГ 1,06 мкм), оптическую систе щую лазерный пучок, состоя менной телескопической(57) Использование: лазерная обработка материалов. Сущность изобретения: пучок излучения лазера фокусируется на поверхности донорной пленки. Импульс лазерного излучения нагревает, расплавляет и частично или полностью испаряет донор-ную пленку в облученной области, Пары и расплав осаждаются на поверхности акцепторной подложки, после чего уменьшают плотность потока лазерного излучения до значений, исключающих испарение пленки с акцепторной подложки. 3 ил. полупрозрачного зеркала 3, объектива 4, прозрачную донорную подложку 5 с донорной пленкой 6, акцепторную подложку 7, поверхность которой расположена вплотную к свободной поверхности донорной пленки, вакуумную камеру с прозрачными стенками 8, заключающую в себе донорную подложку с донорной пленкой и акцепторную подложку, и закрепленную на координатном столике 9 с шаговым двигателем, перемещающимся в двух взаимно перпендикулярных направлениях, а также визуальный канал, включающий лампу подсветки 10, призму 11 и окуляр 12,Работа устройства состоит в следующем, Пучок излучения лазера 1 сужается или расширяется переменной телескопической системой 2 до требуемого размера, отражается от полупрозрачного зеркала 3 и фокусируется объективом 4 на поверхности донорной пленки 6. Импульс лазерного излучения нагревает, расплавляет и частично или полностью испаряет донорную пленку воблученной области, Пары и расплав осаждаются на поверхности акцепторной подложки 7, Формирование топологии наносимой на поверхность акцепторной подложки пленки производится путем перемещения координатного столика 9, С помощью визуального канала производится наблюдение результатов локального лазерного нанесения пленки,Возможно также использование для реализации предлагаемого способа проекционной опт 1 еской системы для формирования топологии наносимых пленок проекционным или контурно-проекционным методом,При использовании предлагаемого способа после перенесения материала донорной пленки с донорной подложки на анцепторную подложку в конце импульса излучения уменьшается плотность потока лазерного излучения, достигающего пленки, вследствие рассеяния излучения на освободившейся от донорной пленки шероховатой поверхности донорной подложки, Результаты проведенных оптических измерений мощности излучения, проходящего через донорную подложку с шероховатой поверхностью(йд = 3 мкм), ц и мо;.1 ности излучения, проходящего через донорную подложку с полированной поверхностью, оо показали, что коэффициент ослабления мощности излучения за счет рассеяния на шероховатой поверхности а = О/оо - 0,57 Такого ослабления излучения достаточно для исключения реиспарения пленки с акцепторной подложки, т,к, локальное лазерное нанесение пленок осуществляется в режимах облучения, близких к пороговым режимам испарения пленок (Вейко В.П, Лазерная обработка пленочных элементов, Л,; Машиностроение, 1986, с,149). Ослабленное рассеянием на шероховатой поверхности донорной подложки лазерное излучение, нагревая нанесенную на акцепторную подложку пленку, приводит к ее отжигу и к улучшению адгезии пленки к акцепторной подложке. Проведенные измерения показали улучшение адгеэии нанесенной пленки к акцепторной подложке при использовании предлагаемого способа. 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 В приведенном примере длина волны лазерного излучения составляла 1,06 мкм. Соответственно этому использовались донорные подложки с высотой неровностей профиля шероховатой поверхности й = 3 мкм.На фиг,2 приведена профилограмма шероховатой поверхности донорной подложки. Масштаб профилограммы по вертикали составляет 1:30000, по горизонтали - 1;175. Материал подложки - стекло К.На фиг,З приведены фотографии нанесенных участков пленки РЬЯ, полученных при использовании способа-прототипа (фиг.За) и предлагаемого способа (фиг,Зб) при мощности лазерного излучения 0,8 Вт, длительности импульса 1 мкс, диаметре облученной области донорной пленки 80 мкм и скорости перемещения координатного столика 1 мм/с,При использовании предлагаемого способа качество наносимой пленки повышается вследствие повышения равномерности ее толщины, улучшения структуры и адгезии. Таким образом, поставленная цель достигнута.Формула изобретения Способ локального лазерного нанесения пленки, включающий перенесение материала донорной плеНки, нанесенной на прозрачную для лазерного излучения донорную подложку, с поверхности донорной подложки на акцепторную подложку путем нагревания донорной пленки лазерным излучением через донорную подложку, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества наносимой пленки за счет повышения равномерности ее толщины, улучшения структуры и адгезии, после перенесения материала донорной пленки с донорной подложки на а кцепторную подложку уменьшают плотность потока лазерного излучения до значений, исключающих испарение пленки с акцепторной подложки, путем выполнения поверхности донорной подложки, контактирующей с донорной пленкой, шероховатой с высотой неровностей профиля поверхности йЛ, где Л - длина волны лазерного излучения, 1 8244561824456 1 -- ( эктор Заказ 2217 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Состав Техред ль Е, ШахноМоргентал Корректор М. Шарош