C22F 3/02 — кристаллизацией с применением ультразвука, электрических или магнитных силовых полей

Номер патента: 73931

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Фогель

МПК: B22D 27/02, C21D 1/78, C22F 3/02, H01F 1/04 ...

Метки: магнитов, постоянных

...Предлагается способ изготовления постоянных магнитов путем заливки жидкого сплава в специальную опоку или изложницу со вставленными в нее полюсными наконечниками иамагничивающего устройства.Залитый в такую изложшщу сплав остывает в магнитном поле. После охлаждения магниты подвергаются отпуску при температуре 600 С. Интенсивное охлаждение обеспечивается наличием специальных холодильников, прилегающих к отливке.Применение предлагаемого способа дает экономию энергии на нагрев магнитов, исключает необходимость в специальных нагревательных печах и позволяет получать высокие магнитные свойства путем регулироПредмет изобретения 1. Способ изготовления постоянных магнитов с обработкой сплава в постоянном магнитном поле, о- тл а югци Й си тем,...

Номер патента: 79932

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Фундатор

МПК: B22D 27/02, C22F 3/02

Метки: литых, магнитов

...сплава,ля рмь Известные сплавы, применяемые д:ся отливки постоянных магнитОв, ооладают высокой объемной усадко 171, в связи с чем, при остываппи отлитых магецггов, в ццх появляются боление усадочные раковины, снижающие их магнитные свойства.Кроме внутренних и паруекных раковин оо)ипОе влиеиисе ца качест- ВО МЯГЦИТОВ ОКЯЗЫВЯЕТ ТсаК)110 РЯСПОЛОЕКЕННЕ Ц)ИСТЯЛ.ОВ 1 О ОТНОИЕЕЕН 1 Ю и есап)яплени 0 мс 1 П 1 неОго потока, ГЕОскол ку лсс)б)01 11 спдкий металл, за - литый в форму, крпсталлцзуется перпендикулярно и стс икам формы, направление к)истасс:Ов и литых магнитах ) очти никогда ие совпадает с направлением магнитного потока,Предлагаемый сиосос) изготовления;ситых масчситов заключается в том, что, и целях регулирования направ;Свин...

Номер патента: 136562

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Широколобов

МПК: C22F 3/02

Метки: баббитов, током, электрическим

...0 ОО- мотку 4 и вторичную 5, которые отделены друг от друга изоляционной трубкой 6. Первичная обмотка 4 вклюеца з сеть через гсрцодпескц прерьватель 7, па 1)аллел,но кот 01)ом; подклоен конденсатор 8.Высоковольтное напряжение, снимаемое со вторичной об;,откц 5, подводится к обмотке 9 разрядника 2, Обмотка 9 размещена на дерсвянной катушке 10 с железньх сердеником 11, которыЙ с помощьО втулки 12 соединен с латунной никелированной трубкой 13. Все части разрядника смонтированы в эбонитовом корпусе 14.При работе разрядника электрические зарядь стекаот с коца трубки 13 на поверхность обрабатываемого металла. Ооработке подвергается расплавленный бабоит сразу же после заливки его в форму. Прц этом конец трубки 13 устанавливается на...

Номер патента: 161477

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: B22D 27/08, C22F 3/02

Метки: 161477

...вр е охлаждаемыеплана.Предлагается излучателю ультразвуковых колебаний сообщать возвратно-поступательное движение, чтобы при движении из расплава его размеры восстанавливались в резуль. тате наморахкивания на него материала расплава, т. е. непосредственно в процессе ультразвуковой обработки.1-1 а чертеже представленаультразвуковых колебаний впредлагаемому способу.Ультразвуковой водоохлаждаемый излучатель 1, изготовленный из материала расплава 2, опускают в плавильную ванну 3 до соприкосновения с расплавленным металлом. После израсходования излучателя на 2 - 4 л(91 его медленно поднимают, в результате чего материал расплава намораживается на излучатель и размеры его восстанавливаются до Упшинский и М, Н, Трефило Предмет...

Номер патента: 180871

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Маслан, Степанов

МПК: B06B 1/10, C22B 9/02, C22F 3/02 ...

Метки: волноводная, расплавов

Номер патента: 208265

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Крикун, Лысенко, Резвицкий, Скубицкий

МПК: C22B 9/02, C22F 3/02

Метки: расплавовметаллов, ультразвуковой

...введением ультразвука в расплав используется для обработки металлов с температурой выше точки начала кристаллизации,Особенностью описываемого способа является то, что в процессе обработки электромагнитное переменное поле создают периодически, причем длительность периодов включения и величину интервалов между ними рассчитывают в зависимости от условия поддержания температуры расплава ниже точки начала кристаллизации, Это дает возможность повысить эффективность обработки,По описываемому способу индуктор и контейнер, содержащий расплав, помещают в постоянное магнитное поле, создаваемое электромагнитом, таким образом, чтобы направление поля было перпендикулярно к направлению индуктируемого тока на поверхности расплава....

Номер патента: 310949

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Тулепог

МПК: C22F 3/02

Метки: контейнер, термомлгнитноя

...что, цчццы ц паправлсполучения трсбусосц соленоидов усвключсппые в цезаь,ля термома 9-83 ог ис сования велпотока для свойств, по опроводы, и 1 сск ю цс 2 Изобретение относится к области ц;,сопция оборудования для термомагпцтпой ооработки,Известсц контейнер для обработки кольцевых магнитопроводов в поперечном поле. 05 пако в таком контейцере магнитное поле создает в обрабатываемых деталях магцтцыйпоток только псрпендикулярно плоскости магпитопроводов.Целью изобретения является регулирование величины ц направления магнитного потока для получения требуемых хагпцтпыхсвойств.Для этого,по осц соленоидов устапавют токопроводы, включсцные в нсзавцсэлектрическую цепь.11 а чертеже представлен предлагасмьйконтейнер, общий вид.Контейнер состоит из...

Номер патента: 357265

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Коновалов, Копытов, Туаев

МПК: C22F 3/02

Метки: литб1х, магнитов, термомагнитной

...отливках сквозных трещин, к снижению процента выхода годного и росту расхода дефицитных металлов: кобальта, ниобия, титана, никеля, меди,Цель изобретения - повышение магнитных характеристик трубчатых магнитов,Предлагаемый способ отличается от известного тем, что отливку постоянного магнита нагретую до 1220 - 1300 С, охлаждают в магнитном поле высокой напряженности (не менее 200 ка/,я, 2500 эрст,), создаваемом полюс- ными наконечниками электромагнита, до 900" С со скоростью 3,5 - 4,5 С/еек путем установления во внутрсшпою полость отливки теплоемкой вставки из латуни и меди, а затем со скоростью 0,2 - 0,3 С/сек - 650 С при помощи закрытия отливки с внешней стороны листовыч асбестом и той же теплосмкой вставки с последующим двухступенчатым...

Номер патента: 540941

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Абрамов, Дмитриев, Жиряков, Зайцев, Клюев, Куделькин, Миленин, Обруч

МПК: C22F 3/02

Метки: кристаллизирующихся, слитков

...конструктивные особенности обеспечивают минимум потерь энергии упругих колебаний в местах крепления его к пассивным элементам конструкции устройства и максимум прохождения колебаний через поддон в слиток. Вместе с тем поддон герметизпрует вакуумное плавильное пространство печи и систему водяного охлаждения всего устройства для создания упругих колебаний, заключенного в демпфирующий бак охлаждения.Это устройство, обеспечивая эффективную передачу энергии колебаний в кристаллизующийся металл, исключает необходимость использования затравок-излучателей,На чертеже показано устройство для обработки кристаллизующихся слитков.Устройство состоит из поддона-излучателя 1, установленного на волновод 2 и закрепленного на промежуточной крышке 3...

Номер патента: 569651

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Бащенко, Дмитриев, Зайцев, Куделькин, Лактионов, Миленин

МПК: C22F 3/02

Метки: кристаллизующихся, слитков

...в виде плоского диска с фланцем.Однако данное устройство и 2Ф лючающихся э больших габаустройства, 1 связанных с размещения в нем волйоводносительно больших потерях колебаний в волновбйной й,в себе контакт торец он-излучатвль; большой незлучения колебаний подао, выполненным в виде плас тения - уменьшение потери колебаний, исключение авто чой системы и уменьшениеение условий передачи упи повышение качества слиъ излучающего торца к длине волны в материале излучателя - в пределах 0,05-0,15, Укаэанные соотношения получены из анализа работы системы в диапазоне частот 7,8-22 к 1 цНа чертеже показано предлагаемое устройство. Оно состоит иэ пощона-излучателя 1, соединенного с магнитострикционнымй пречобраэоввтелями 2 и закрепленного на проме:...

Номер патента: 607446

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Балалаев

МПК: C22F 3/02

Метки: деформирования, металлов, устройстводля

...систему регулирования процесса деформярования.Способ деформярования ультразвуком был опробован на пластичных моно- и поликристаллическях материалах армко-железе, никеле, монокристаллах молибдена электронно-лучевой плавки, конструкционных сталях 20, 35, 45, ЗОХГСА, 17 ГС, нержавеющих сталях 1 Х 18 Н 9 Т, 1 Х 13, Х 16 Нб, жаропрочных сплавах ЭИ 437, ЭИб 96 М,Результаты испытаний представленыНа чертеже изображена схема ультразвукового устройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит охлаждающуюкамеру 1, которая установлена безжесткой акустической связи с ультра 5звуковой системой и заполнена охлаждающей средой (водой, маслом, жидкимазотом и т,п.), четырехполюсникэлектромеханического возбуждения резонатора, образованный...

Номер патента: 956611

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Деленковский, Прохоренко, Силенко, Стойчева

МПК: C22F 3/02

Метки: ввода, колебаний, расплавы, ультразвуковых

...реализующее способ, включает магнитострикцибнный преобразователь и волновод с полостью для охлаждения жидкости, В цепь питания магнитострикционного преобразователя параллельно включен частотомер, к которому последовательно подсоединены задающий электронный блок, усилитель, регулятор мощности и электродвигатель постоянного тока, приводящий в действие насос для подачи охлаждающей жидкости э полость волновода.Для точного измерения резонансной частоты колебательной системы в цепь питания магнитострикционного преобразователя параллельно включен частотомер. Система из задающего электронного блока, усилителя, регулятора мощности и электродвигателя постоянного тока, приводящего в д йЭксперименты показывают, что при излучении ультразвука в...

Номер патента: 1046327

Опубликовано: 07.10.1983

Автор: Лубяницкий

МПК: C22F 3/02

Метки: акустической, кристаллизующихся, расплавов

...и капиллярные трубки с выборками различных видов, на фиг.З устройство при выполнении акустического контакта с торцовой поверхностью полости волновода, примыкающей к его рабочему излучающему торцу. В водоохлаждаемом корпусе 1 (фиг.1) размещен акустический преобразователь 2 с обмоткой 3 питания,подключенной к источнику питания акустического преобразователя УЗГ (не показан) Преобразователь 2 припаян к акустическому волноводу, состоящему из двух полых элементов 4 и 5. В замкну. той полости б волновода установлен пакет 7 капиллярных трубок 8, выполненных иэ звукопроводного материала и присоединенных с акустическим контактомк торцовой поверхности 9 по лости волновода, ближайшей к акустическому преобразователю 2 и расположенной вблизи...

Номер патента: 1052561

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Лубяницкий

МПК: C22F 3/02

Метки: акустической, кристаллизирующихся, расплавов

...охладителя, акустический преобразова"тель и соединенный с ним поддон или стенка-излучатель снабжены автономными камерами охлаждения, причем охлаждение в камере поддона или стенкиизлучателя выполнено оросительным ввиде размещенных внуТри камеры инаправленных на поддон или стенкуизлучатель спрейеров, подсоединенныхк системе принудительной подачи охладителя.Сливной патрубок камеры охлаждения акустического преобразователя соединен с напорным патрубком камеры охлаждения поддона или стенки- излучателя.Поскольку в устройстве на тыльной стороне поддона охлаждающая жидкость находится в тонком слое, сопротивление его мало и, следователь-, но, количество излучаемой в жидкостьакустической энергии резко снижается, а излучаемой в расплав -...

Номер патента: 1068534

Опубликовано: 23.01.1984

Автор: Лубяницкий

МПК: C22F 3/02

Метки: акустической, кристаллизующихся, расплавов

...его пузырька-ми.Акустическое сопротивление такойразрыхленной пузырьками воздуха жидкости значительно ниже, чем обычной.Поэтому нагрузка на акустическийпреобразователь и тыльную сторонуподдона (стенки) - излучателя со сто- .роны охлаждающей жидкости мала и,следовательно, количество излучаемойв жидкость акустической энергии резко снижается, а излучаемой в расплаввозрастает. При этом повышается и.эффективность обработки расплава.При соединении поддона (стенки)излучателя емкости для кристаллизации с акустическим преобразователемпосредством волноводной системы акустический преобразователь и связанныйс ним поддон (стенка)-излучатель емкости для кристаллизации могут бытьснабжены индивидуальными корпусамиохлаждения. При этом сливной...

Номер патента: 1698311

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Лубяницкий

МПК: C22F 3/02

Метки: акустической, расплавов

...1, упло 14 яющ 1 Р Й нох( 1;,1 икас 01 кри"сталлизатара) 2, поддон 3. зазор 4 междуподдонам л снабженным накладкой 5 Па.лым волнаводом 6, полость, волновода,пакет В капилл,1 р(з, жидкил тепОРОс 1 лтегь9, уплотнение 1 О, представляьощее соаайакустич 8 скую развязк паам 1 адки1, корпус 12 Охлах(дения подДОна и Валнавада,разбоызГлват 8 ли 3, ":г НБные труОапр 0110"Ды 14 каапУс 1 Охлажд 8 нил акустлеск(пр 80 оразавателей 4 Ь, напорные грубоп 00 Воды 1 "7 т;АР,;1(ам ггпр 1 Я ак 1 лдлцдскис:(1 лебаний, опоры 19, источник питания ультразвуковой генератор (УЗГ) акустической колебательной системы состоит из преобразователей 16, трансформатора 18 акустических колебаний и волновода 6 с на кладкой 5. Стрелками показано направлеНИ 6 ДВИЖЕНИЯ...

Номер патента: 1763515

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Дегтярев, Иванов, Пуленец

МПК: B22D 27/20, C22F 3/02

Метки: кристаллизации, направленной, расплава

...образованию дендритных свя зеи при остывании (охлаждении) монолита.Для возбуждения таких колебаний выбираем акустический сигнал, модулированный по амплитуде со следующими частотами; 20 25 где Г 1 - модуляционная частота;А - несущая частота;Ср - скорость продольной волны в материале;Л 1 - длина волны, соизмеримая с геометрическими размерами материала; 30Л 2 - длина волны, соизмеримая с геометрическими размерами зерен расплава.Таким образом, расплав будет подвергаться вибрационному воздействию, причем сигнал несущей частоты будет 35 локализовать в расплаве частицы (зерна или фрагменты зерен), а сигнал модулирующей частоты будет препятствовать образованию дендритных связей в районе границ расплава при формировании монолита, 40В...