Интегральный полупроводниковый преобразователь давления

(21) 49024 (22) 19.01 (46) 30.07 (71) Всесо и проект .физическ ных сквдж (72) А,А,Ш нов акир идетельство ССС01 1 904, 1988,идетельство ССС019/04, 1987.(56) Авторское сМ 1527525, кл.Авторское сМ 1582035,кл. О Работа и ся следующи емого давл последний в редает генз разуют его в имеется три ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОспАтент сссР) ОПИСАНИЕ И РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС 49/109193, Бюл, М 28юэный научно-исследовательскийно-конструкторский институт геоих исследований геологораэведоч,В,Китманов и Г.В,Цыга.(54) ИНТЕГРАЛЬНЫИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ (57) Использование:измерение нестационарных давлений. Цель - расширение диаИзобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в нестационарных условиях измеряемой среды.Целью изобретения является расширение диапазона измерения.Интегральный полупроводниковый преобразователь давления содержит упругий элемент в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами, соединенными в измерительный мост. В пластине выполнено и каналов подвода давления путем образования со стороны, противоположной расположению тензорезисторов, и углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов. Преобразователь давления снабжен дополнительными тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измеритель 1830420 А пазона измерения. Сущность изобретения: упругий элемент выполнен в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тенэореэисторами Х, соединенными в измерительные мосты, В пластине выполнено и каналов подвода давления путем образования со стороны, противоположной расположению тензорезисторов; и углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов. Преобразователь давления снабжен дополнительными тензореэисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в Области границ углублений. 1 ил. ные мосты, количество которых составляет п, причем все тенэорезисторы сформиро ваны на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений,На чертеже изображен интегральный полупроводниковый преобразователь давления.Устоойство содержит упругий элемент 1, тензорезисторы 2, углубления 3.Тензорезисторы и углубления создаются на полупроводниковой пластине методом микроэлектронной технологии. реобразователя осуществляетм образом, При подаче измеряния Р на упругий элемент 1 оспринимает зто давление и пеорезисторам 2, которые преобэлектрический сигнал, Так как канала подвода давления по1830470 оставитель Г. Дмитрюковх ед М,Маргентал Редактор М, Кузнецова Те р Корректор П. Ге Заказ 2519 Тираж Подписное , 8 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 сути. как бы давление измеряется тремя датчиками с различной чувствительностью. Наибольшая чувствительность у датчика; углубление которого находится ближе к поверхности упругого элемента со сформированными тенэорезисторами. Наименьшая чувствительность у датчика, углубление которого находится дальше от поверхности упругого элемента со сформированными тензорезисторами, Тензореэисторы, сформированные на границах углублений, объединены в отдельные мосты (полумосты). При и =2 имеется три отдельных измерительных моста (полумостэ).Толщина упругого элемента наибольшей чувствительности рассчитана на измерение предельного значения давления.Повышение точности и диапазона измерения в конечном итоге позволит повысить достоверность определения подсчетных параметров,Формула изсбретения Интегральный полупроводниковый преобразователь давления, содержащий упругий элемент в виде полупроводниковой 5 пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами, соединенными в измерительный мост, в которой выполнено и каналов пбдвода давления путем образования со стороны, противоположнаи распо ложению тензорезисторов, и углублений наразличном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона измерения, он снабжен дополнительными 15 тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в 20 области границ углублений.