Высокочастотный объемный интегральный модуль и способ его изготовления

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 764195 19) 51)5 Н 05 К 7/02 БРЕСТВУ риборостроего обьедине 56) Авторское свиде М 1598238, кл. Н 05 04.01.87.Авторское саиде Кг 1679664, кл. Н 05 льство СССРК 7/02, Н 05 К 1/14 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТ 1(57) Изобретение относится к высокочастотной интегральной технике и может быть использовано в многоканальной радиосвязи, системах управления, промышленном телевидении и радиоизмерительной технике, Цель изобретения - повышение надежности путем улучшения электрических и тепловых характеристик и упрощение конструкции. Модуль имеет корпус 1 прямоугольной формы из пеноматериала, и несущую оправку 2, закрепленную в корпусе на основании-радиаторе 3. На оправку 2 намотана композиционная лента 4 с пленочными полосковыми элементами 5 и навесными компонентами 6 и 7. В стенке 8 оправки 2 выполнены отверстия 9 под установку навесных компонентов с относительно большой мощностью тепловы- Р1764195 5с топологическим полем 21 (контур) на уча 10 спрямпенные участки попосоаых плат СПП); с деления. Отверстия 10 выполнены в композиционной ленте под установку навесных компонентов 7 с относительно малой мощностью тепловыделения. Высокочастотный внешний соединитель 11 установлен на осИзобретение относится к высокочастотной интегральной технике и может быть использовано в многоканальной связи, системах управления, промышленном телевидении и радиоизмерительной технике.Цель изобретения - повышение надежности модуля путем улучшения электрических и тепловых характеристик и упрощения конструкции.На фиг,1 показана конструкция высокочастотного объемного интегрального модуля (ВОИМ); на фиг,2,3 - схема спиральной намотки композиционной ленты на несущую оправку; на фиг.4 - узелна фиг.3; на фиг,5 - ВОИМ, реализующий приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки (ППМ АФАР); на фиг.6 - компоновка такого ВОИМ в апертуре АФАР.ВОИМ содержит корпус прямоугольной формы 1 из пеноматериала, несущую оправку 2, закрепленную в корпусе на основании- радиаторе 3. На несущую оправку 2 намотана композиционная лента 4 с пленочными полосовыми элементами ППЭ 5 и навесными компонентами (Н К) 6,7, В стенке 8 несущей оправки 2 выполнены отверстия 9 под установку Н К с относительно большой мощностью тепловыделения. Отверстия 10 выполнены в композиционной ленте подустановку НК 7 с относительно малой мощностью тепловыделения. Высокочастотный внешний соединитель 11 установлен на основании-радиаторе 3, а его центральный проводник 12 с помощью коаксиального микрокабеля 13 подсоединен к ППЭ 14 схемы модуля, Низкочастотные металлостеклянные соединители для подачи напряжений питания и низкочастотных напряжений устанавливают аналогично на основании-радиаторе 3 (на фиг.1 условно не показаны),На фиг,2-4 приведена схема спиральной намотки композиционной ленты 4 на несущую оправку 2 (15-еще не намотанный участок ленты 4). В ленте 4 выполнены соосные отверстия 16 под установку НК 7. Приняты следующие обозначения: пл 15 20 25 30 35 40 45 новании-радиаторе 3, а его центральный проводник 12 спомощью коаксиального микрокабеля 13 подсоединен к пленочным полосковым элементам 14 схемы модуля. 2 с, п. и 7 3.и. ф-л ы, 6 ил. кр - участки скругления ПП; 17 - границы кадров рисунка топологии на ПП; 18 - перекрываемые йрипоследовательном экспонировании соединительные ППЭ 19; 20, - ПП стке пл и краевыми участками 22; 23 - функциональные узлы (ФУ) типа "кольцевой мост", сформированные на спрямленных участках ПП; 24 - экранный слой металлизации(ЭСМ); 25- липкий поверхностный слой; 26 - лента-носитель. Соосные отверстия 16 в ПП 20 и ленте-носителе 26, их взаимное соответствие в намотанной композиционной ленте, а также соответствие ППЭ в соседних витках, образующих объемные распределенные переходы (ОРП) для межуровневой коммутацйи, рассчитываются при разработке топологии схемы модуля.На фиг,5 показан модуль, реализующий ППМ АФАР, содержащий известные элементы 1,2,3,11,24. В данной конструкции применены щелевые широкополосные излучатели Вивальди, конструктивно-технологически совместимые с конструкцией модуля; излучатели выполнены в внешних витках ПП 27 в виде плавно расширяющегося участка 28 щелевой линии, образованной в ЭСМ 29 с конечным участком 30 постоянной ширины щели. Излучатель запитывается на регулярном участке 31 щелевой линии через диэлектрик ПП 27 от микрополосковой линии 32.На фиг,6 показана компоновка такого модуля в апертуре АФАР; 33 - корпус АФАР; 34 - ППМ АФАР, 35 - излучатель Вивальди; 36 - заполненные пеноматериалом свободные места АФАР; 37- основание АФАР с системой принудительного охлаждения:,Способ изготовления ВОИМ осуществляется следующим образом,На обеих сторонах ПП 20 (фиг.2-4) из гибкого теплостойкого выскочастотного тонколистового материала, например полиимидной ленты, изготавливают, согласно топологическому рисунку, по тонкопленочной технологии ППЭ и ЭСМ; Особенностью способа является получение ленточной ППнепрерывным по длине ленты топологиче35 40 45 композиционной ленте НК 6 через отвер 55 ским полем, поэтому выполйяют последовательное фотоэкспонирование кадров рисунка топологии с перекрытием 18 ППЭ 19 и ЭСМ на обратной стороне ПП на границах кадров 17 с последующим травлением по всей длине ленточной ПП 20. Затем ПП 20 со сформированными ППЭ 19,23 соединяют своим ЭСМ с липким слоем 25 гибкой теплостойкой, высокочастотной ленты-носителя 26, например, из полиимида, в которой предварительно выполняют отверстия, соосные отверстиям ПП, под установку НК 7 на внешней стороне ПП. НК 7 подпаивают к ППЭ, сформированным на стороне ПП 20, соединяемой с липким слоем ленты-носителя 26, причем на участках, свободных от ЭСМ 24. При этом передача высокочастотного сигнала со стороны ПП 20 с ППЭ (ФУ) 5 выполняется с использованием ОРП. Для последующих наматываемых слоев композиционной ленты 4 соосные отверстия под установку внешних НК 7 выполняются уже в композиционной ленте 15 до ее намотки на несущую оправку 2.Липкий слой 25 выполняет функцию фиксации ПП 20 на ленте-носителе 26 перед намоткой полученной композиционной ленты 15 с целью совмещения ППЭ и отверстий под НК при намотке композиционной ленты, поэтому от материала слоя 25 не требуется качества полимеризации и длительного сохранения клеящих свойств,В изготовленной композиционной ленте выполняют отверстия 16 под установку НК 6 (слева на фиг.1). Затем композиционную ленту 15 наматывают на несущую оправку 2 с контролем требуемого усилия натяжения и взаимного расположения ППЭ в соседних витках, что контролируется по точному совпадению соосных отверстий 16 Присоединение НК 6 со стороны несущей оправки осуществляется после окончания намотки композиционной ленты на несущую оправку следующим образом. Перед намоткой композиционной ленты на контактирующие с НК участки ППЭ, равно как и навыводах подсоединяемых НК, наносят слоинизкотемпературного припоя.В намотанной на несущую оправку 2 стия 9 в стенке 8 устанавливают на контактирующих участках ППЭ и локальным разогревом, например разогревом НК или стенки 8 в зоне отверстия 9, выполняют соединение НК с ППЭ.Присоединение Н К 7 на внешней поверхности ПП осуществляется пайкой в процессе спиральной намотки композиционной ленты на несущую оправку. При намотке и-го витка к его ППЭ присоединяются НК 5 10 15 20 25 30 этого витка, а все последующие витки с номерами (и+ 1), (и+ 2), . уже имеют отверстия 10 под ранее присоединенные НК и т.д.Внешние соединители 11 устанавливают в отверстия основания-радиатора, а их центральные проводники пайкой присоединяют к ППЭ 14 схемы модуля через отверстия в стенке 8 несущей оправки с помощью микрокабелей 13 (или просто проводников для низкочастотных соединителей).Корпусирование модуля осуществляют заливкой пеноматериала в требуемой по заданным посадочным местам в изделии форме; заливают боковые стенки и верхние и нижние торцы намотанной структуры 4 (см, фиг.5).Пример конкретной реализации ВОИМ и способа его изготовления поясняется фигурами 1-6, иллюстрируют реализацию ВОИМ и способ его изготовления независимо от конкретной схемы (электрической принципиальной), реализуемой в модуле. Различие состоит лишь в номенклатуре НК и топологическом рисунке на фиг.2, а также во введении в конструкцию специфических ФУ - типа излучателей на фиг,5.Пример конкретной реализации ВОИМ приведен на фиг.5,6, где показан ППМ АФАР, содержащий полтора-два десятка ФУ типа излучателей, ферритовых вентилей и циркуляторов, умножителей частоты и т,п, В данном ППМ использованы широкополосные щелевые излучатели Вивальди, наиболее эффективно адаптируемые к конструкции модуля и не увеличивающие габаритные размеры ВОИМ, а также адаптируемые к технологии изготовления по описанному выше способу. На фиг,6 приведена компоновка данного модуля в АФАР.Лента-носитель 26 и ПП 20 соответственно с толщинами 6080 мкм и 40 мкм изготовлены из полиимидной пленки марки "Картоп - Н", заменитель-пленка марки ПМ по ТУ 6-19 - 102 - 78 основные характеристики:щд=0,0030,008 прис=20 С на частоте 1 ГГц; г = 3,13,8, рабочая температура до 220 С). В качестве пеноматериала для корпуса 1 используется пористый фторопласт или пенополиуретан марки ППУ, Несущая оправка и основание-радиатор изготовлены из алюминиевого сплава марки АМгпо ГОСТ 21631-76 с покрытием Хим. Н 69. Внешние коммутационные устройства - стандартные миниатюризованные.Способ изготовления и сборки конкретного ВОИМ осуществляется следующим образом. Из полиимида названных выше марок и толщин изготавливают ленточную ПП 20 с предварительным учетом изменения продольных линейных размеров при намотке композиционной ленты 15 на несущую оправку 2 в соответствии с рассчитанной топологией. Далее с использованием специальной технологической оснастки и типового технологического оборудования на поверхностях ПП 20 изготавливают ППЭ (фиг.2),Обезжиривание ПП производят на установке химической обработки ЩЦМ 3,240.212 из комплекса оборудования линии химической обработки "Лада". После сушки на воздухе ПП отжигают в печи "Тезис" при (300 + 10) С в течение 2 ч в среде аргона. ПП металлизируют с обеих сторон а вакуумной установке ВУА; напыляют композиционную структуру хром-медь-хром, Формирование топологического рисунка на ПП выполняют методом фотолитографии. Используют негативный фоторезист маркиФНс. Для создания непрерывного топо- логического рисунка по всей длине ленточной ПП производят (с испбль 3 ованием специальной оснастки) последовательное фотоэкспонирование кадров - стандартныхдля типового оборудования - рисунка топологии с перекрытием 18 ППЭ 19 и Э СМ на границах кадров 17 (фиг,2). Фоторезист перед экспонированием сушат в термошкафу, Экспонирование фоторезиста по кадрамвыполняют через гибкие шаблоны на установкедвустороннего совмещения и экспонирования ЭМ65 А. При этом гибкие фотошаблоны предварительно и по кадрам совмещают под микроскопом и склеивают впакет. После проявления фоторезиста на ленточной ПП в уайт-спирте и травления рисунка на установке химической обработки ЩЦМ 3,240.212 снимают маску (на установке ЩЦМ 3,240,221) и выполняют сушку.Последующие слои, если они имеются (резистивный и т. п,), наносят в той же последовател ь н ости.Последующие процессы изготовления композиционной ленты 15 с контролем совмещения ППЭ в соседних витках, последовательность изготовления отверстий под установку Н К,"а также последовательность и способы присоединения НК к ППЭ соответствуют выше описанным. Припайкавнешних соединителей к основанию-радиатору, покрытому хим. никелем, выполняется припоем ПОСпо окружности сочленения, Для пайки выводов НК методомлокальногоразогрева предварительнонанесенных слоев припоя используют низкотемпературный припой марок ПСР-З-Ин, ПОСКЗО 18 с тем йературамй кристаллиза- ции 141 С и 145 С соответственно,В качестве материала липкого слоя 25испбльзована композиция из низко-и высо 51015 20 30 35 45 50 55 комолекулярных полиизобутиленов по ТУ38-105257-80 и ГОСТ 13303-67,ВОИМ работает следующим образом, Взависимости от функционального назначения модуля высокочастотный сигнал поступает на вход схемы, реализованной вВОИМ, или снимается с выхода схемы черезсоединитель 11. При этом низкочастотныесигналы и напряжения питания подаютсячерез проходные металлостеклянные сое-.динители.В объемной структуре, образованнойпространственно скомпонованными ППЭ иНК, послойно разделенными в витках намотки диэлектрическими слоями ПП, выполняется обработка высокочастотногосигнала: усиление, образование, генерирование, фильтрация и т.п. Обработка сигналов и передача их с уровня на уровень (свитка на виток) является комбинированной:в основном в "скрученной" плоскости непрерывного топологического поля, а такжес помощью ОРП. Обработанный высокочастотный сигнал выводится из ВОИМ черезсоединитель 11 или излучается в открытоепространство (см; фиг,5) с помощью интегральных излучателей,По сравнению с существующими конструкциями модулей ОВИМ позволяет реализовать схемы с большим числом ФУ (в 3 - 4раза), значительно улучшить электрическиехарактеристики, реализовать нормальныетепловые режимы повышенной (до 8- -10 Вт) мощности, снизить трудоемкость сборочных операций в 4 - 5 раз, а в итоге значительно повысить надежность модуля в работе иего технологичность.Формула изобретения1. Высокочастотный объемный интегральный модуль, содержащий корпус прямоугольной формы с основанием-радиатором,несущую оправку, закрепленную в корпусе наего основании-радиаторе, полосковые платыс отверстиями и с экранными слоями металлизации, выполненные в виде диэлектрических слоев на основе гибкого теплостойкоговысокочастотного тон колистового материала в виде витков ленты, расположенных спирально относительно центральной несущейоправки между наружной поверхностью несущей оправки и внутренней поверхностьюкорпуса с пленочными полосковыми элементами, включающими в себя нерегулярности, образующие функциональные узлысхемы модуля, и регулярные линии передачи, элементы межуровневой коммутации,внешние соединители и навесные компоненты, электрически присоединенные к пленочным полосковым элементам, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышениянадежности путем улучшения электрических и тепловых характеристик и упрощения конструкции, он снабжен композиционной лентой-носителем с липким поверхностным слоем, на одной из ее сторон полосковые 5 платы соединены своими экранными слоями металлизации с липким поверхностным слоем ленты-носителя, причем лента-носитель расположена между несущей оправкой и полосковой платой, оправка выполнена 10 в виде растянутого по большой геометрической оси эллиптического цилиндра со спрямлен н ы ми вдол ь указанной выше геометрической оси сторонами, а в ленте-носителе выполнены отверстия, соответствующие 15 отверстиям полосковых плат, при этом элементы межуровневой коммутации выполнены на основе объемных распределенных переходов.2, Модуль по п 1, отл и ч а ю щи йс я 20 тем, что навесные компоненты установлены в отверстиях полосковых плат, на внешней поверхности полосковых плат.3. Модуль по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что навесные компоненты установлены 25 на внешней поверхности несущей оправки.4. Модуль по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что навесные компоненты установлены в отверстиях полосковых плат, на внешней поверхности полосковых плат и на внешней 30 поверхности несущей оправки..5. Модуль по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в качестве материала диэлектрических слоев и композиционной ленты-носителя использован полиимид, а в качестве 35 материала корпуса - пеноматериал.6. Модуль по п,5, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в качестве пеноматериала использован пористый фторопласт.7. Способ изготолвения высокочастот ного объемного интегрального модуля,включающий изготовление корпуса прямоугольной формы с основанием-радиатором, изготовление полосковых плат методом фотолитографии с отверстиями на основе диэлектрических слоев с пленочными полосковыми элементами на их поверхностях и с экранными слоями металлизации, установку навесных компонентов на полосковые платы, изготовление несущей оправки и закрепление ее внутри корпуса в центральной части его основания-радиатора, спиральную намотку полосковых плат вокруг несущей оправки с образованием общих сквозных отверстий диэлектрических слоев, формирование корпуса заливкой пеноматериалом и подключение внешних соединителей, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологичности, изготовление полосковых плат методом фотолитографии осуществляют с последовательным экспонированием кадров рисунка с перекрытием полосовых элементов на границах кадров, перед спиральной намоткой полосковые платы своими экранными слоями металлизации соединяют с липким слоем ленты-носителя, в которой предварительно изготавливают отверстия, соосные с отверстиями полосковых плат.8. Способ по п.7, о т л.и ч а ю щ и й с я тем, что установку навесных компонентов осуществляют пайкой в процессе спиральной намоки полосковых плат на несущую правку.9, Способ по пп. 7 и 8, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что перед спиральной намоткой полосковых плат осуществляют нанесение слоев низкотемпературного припоя на контактирующие участки пленочных полосковых элементов, а присоединение навесных компонентов осуществляют пайкой локальным разогревом навесных компонентов,ктор Г. Бельская Т Корректор О, Густи Заказ 3465 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5