Патенты с меткой «диод»

Номер патента: 1237055

Опубликовано: 27.02.1995

Автор: Коренев

МПК: H05H 1/00

Метки: диод, изоляцией, магнитной, плазменный

ПЛАЗМЕННЫЙ ДИОД С МАГНИТНОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, содержащий коаксиально расположенные анод, катод с магнитодиэлектрической прокладкой, разделенные высоковольтным изолятором, и соленоид, установленный коаксиально электродам, отличающийся тем, что, с целью увеличения тока пучка электронов, в него введены два кольцевых электрода, установленных с двух сторон на магнитодиэлектрической прокладке, при этом один из электродов выполнен из углеродноволокнистого материала и соединен с торцом катода, а толщина h и диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрической прокладки связаны с радиусом катода R0 и радиусом анода Rr соотношением

Номер патента: 1428141

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...

Номер патента: 605491

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Гусельников, Крысов, Тагер

МПК: H01L 29/86

Метки: диод, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД, содержащий пластину, выполненную из нескольких пар слоев различных полупроводниковых материалов, причем в каждой паре один слой имеет меньшую величину отношения дрейфовой скорости насыщения подвижных носителей заряда к диэлектрической проницаемости, чем другой, и два контактных участка, по крайней мере, один из которых является барьерным, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности умножения частоты, число упомянутых пар слоев равно кратности умножения частоты, а барьерный участок содержит слой сильнолегированного полупроводника.

Номер патента: 1139307

Опубликовано: 27.06.1995

Автор: Коренев

МПК: H01J 1/30, H05H 1/00

Метки: вакуумный, высоковольтный, диод

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ВАКУУМНЫЙ ДИОД, содержащий герметичную металлическую камеру цилиндрической формы с осесимметрично размещенными в ней анодом, катодом и кольцевым поджигающим электродом, закрепленным коаксиально относительно катода на вставке, выполненной в виде полого цилиндра, посаженного на катод, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности импульса тока пучка электронов, вставка выполнена из ферромагнитного материала, а размеры камеры катода и вставки выбраны из выражениягде Uд напряжение на диоде, В;R1 радиус катода, см;h радиальный размер вставки, см;R0 внутренний радиус камеры, см;

Номер патента: 1240259

Опубликовано: 27.06.1995

Автор: Коренев

МПК: H01J 1/30

Метки: взрывоэмиссионный, диод

ВЗРЫВОЭМИССИОННЫЙ ДИОД, содержащий вакуумную камеру с размещенными в ней анодом, многоострийным катодом, выполненным в виде металлической подложки, закрепленной в проходном изоляторе, и металлической пластины с остриями, закрепленной на обращенной к аноду поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения тока пучка электронов, в подложке со стороны, обращенной к аноду, выполнена полость, заполненная газовыделяющим веществом, а пластина с остриями выполнена в виде проницаемой для газа перегородки из прессованного металлического порошка, при этом диаметр отверстий в перегородке и расстояние между катодом и анодом выбраны из выраженияD ...

Номер патента: 1558263

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...

Номер патента: 1501819

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Коренев

МПК: H01J 1/30

Метки: взрывоэмиссионным, диод, катодом

ДИОД СО ВЗРЫВОЭМИССИОННЫМ КАТОДОМ, включающий вакуумную камеру, проходной высоковольтный изолятор, катод, содержащий графитовую вставку и мелкоструктурную сетку, сетчатый анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения ресурса работы диода, мелкоструктурная сетка катода и сетчатый анод выполнены из углеродных волокон, при этом размер ячейки углеродной сетки на катоде h связан с диаметром нити углеродного волокна d условием

Номер патента: 1438511

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Коренев

МПК: H01J 1/30, H05H 5/00

Метки: взрывоэмиссионный, диод

1. ВЗРЫВОЭМИССИОННЫЙ ДИОД, состоящий из вакуумной камеры, высоковольтного проходного изолятора, катодной ножки со взрывоэмиссионным катодом и анода, при этом взрывоэмиссионный катод содержит металлическую подложку и многоострийный инициатор катодной плазмы, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности диода за счет увеличения эффективной площади поперечного однородного электронного пучка, в катоде между металлической подложкой и многоострийным инициатором катодной плазмы введена плоская диэлектрическая вставка, металлизированная с двух сторон, причем на стороне, обращенной в сторону анода, металлизация выполнена в виде раздельных контактных площадок к каждому острийному инициатору катодной плазмы, а расстояние между анодом и катодом...

Номер патента: 1559993

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/93

Метки: диод, полупроводниковый, туннельно-пролетный

ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД с резонансно-туннельной инжекцией носителей заряда, содержащий со стороны эмиттерного контакта двухбарьерную квантовую гетероструктуру с двумя барьерными слоями широкозонного полупроводника толщиной b1, b2 и расположенным между ними слоем узкозонного полупроводника толщиной а, образующим квантовую потенциальную яму с дискретным спектром поперечных составляющих энергии и импульса электронов, а также пролетный участок толщиной W, выполненной из узкозонного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения отрицательного сопротивления, КПД и полезной мощности диода в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн, толщины полупроводниковых слоев а, b1 и...

Номер патента: 1575858

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Белоусов, Гусельников, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 39/22

Метки: диод, сверхпроводниковый, туннельный

СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, содержащий два электрода, эмиттер и коллектор из сверхпроводника, разделенных полупроводниковой прослойкой, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной рабочей частоты и мощности, полупроводниковая прослойка выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по крайней мере из двух полупроводниковых материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, причем слой узкозонного материала расположен между слоями широкозонных материалов и образует потенциальную яму для основных носителей заряда, содержащую по крайней мере один квантовый уровень.

Номер патента: 1544088

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Кошелев, Сухушин

МПК: H01J 1/30, H05H 5/00

Метки: диод, изоляцией, магнитной

1. ДИОД С МАГНИТНОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, содержащий коаксиально расположенные катод со взрывной эмиссией, анод и импульсный соленоид, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности электронного пучка по азимуту и упрощения конструкции, катод выполнен в виде полого цилиндра из материала с высокой проводимостью.2. Диод по п.1, отличающийся тем, что катод выполнен в виде полого цилиндра из ферромагнитного материала.

Номер патента: 1037809

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.

Номер патента: 858490

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Костенко, Расторгуев

МПК: H01L 23/52

Метки: диод, полупроводниковый

1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах.2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1289337

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/20

Метки: диод, низкотемпературный

Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины свободного пробега электронов, причем плоскость границы зерна целиком расположена в области перешейка.

Номер патента: 565593

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Долгополов, Клементьев, Матюгин

МПК: H01L 23/52

Метки: диод, точечный

Точечный диод, например, типа металл-окисел-металл, содержащий корпус с выводом для подачи сигнала в линию передач и контактное устройство, состоящее из двух электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности, один из электродов выполнен в виде клина, а другой представляет собой ряд металлических упругих проводов, концы которых с одной стороны соединены с выводом, а с другой - через изоляционный элемент с корпусом диода.

Номер патента: 1261528

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 29/861

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; - концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием...

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...

Номер патента: 258325

Опубликовано: 20.02.2006

Авторы: Воронин, Плюхин, Федосеев

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

Тепловой диод, содержащий корпус с установленными в нем теплопроводами, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур и увеличения соотношения прохождения теплового сигнала при прямом и обратном включении, торцовая поверхность одного из теплопроводов выполнена по форме шаровой поверхности, усеченной со стороны другого теплопровода на расстоянии, большем радиуса от задней стенки этой шаровой поверхности.