Патенты с меткой «диод»
Дефлекторный вихревой диод
Номер патента: 1000619
Опубликовано: 28.02.1983
Авторы: Попов, Федотов, Шульгин
МПК: F15C 1/16
Метки: вихревой, дефлекторный, диод
...канал выполнен тангенциально вихревой камере, выходной канал расположен на наружном диаметре вихревой камеры, а осевое отверстие соединено с окружающей атмосферой. 2В результате вышесказанного уменьшается непроизводительный расход в атмосферу и экономичность работы диода повышается.На чертеже показана конструкция дефлекторного вихревого диода.Вихревой диод содержит вихревую камеру 1, входной 2 и выходной 3 каналы и осевое отверстие 4. Диод работает следующим образом.При прямом направлении сигнала потокиз входного сигнала 2 поступает в вихревую камеру 1, в которой возникает вихревой поток. При этом резко возрастает сопротивление вихревой камеры и в результате сброс через осевое отверстие 4 незначителен. Поток беспрепятственно...
Плазменный диод
Номер патента: 1001224
Опубликовано: 28.02.1983
Автор: Коренев
Метки: диод, плазменный
...конденсаторобразован металлической подложкой 353 и металлической мелкоструктурнойсеткой 5 с диэлектрическим заполнением в виде ферромагнитной прокладки, а второй - металлической мелкоструктурной сеткой 5 и анодом 6 с 4 Овакуумным заполнением,Разность потенциалон Пс междуобкладками первого конденсатора определяют по формуле где Е - электрическая прочност.ферромагнитной прокладки.Такпри толщине ферромагнитной прокладки из феррита марки 4 СЧ 10, ранной 1 мм, электрическая прочность составляет 40 кВ/мм. Напряжение зажигания разряда при этой толщине и при давлении остаточного газа10 5 торр составляет 2,3 кВ. При этом напряженность электрическОго поля В ферромагнетике составляет л 2,3 кВ/мм, что существенно меньше пробивной напряженности...
Высоковольтный диод
Номер патента: 1022338
Опубликовано: 07.06.1983
Автор: Коренев
МПК: H05H 5/00
Метки: высоковольтный, диод
...от начала разряда до закорачиваниякатодной плазмой промежутка между анодом и катодом, Последнее приводит к увеличению максимально возможной длительности импульса тока пучка электронов безувеличения зазора между анодом и катодом.На фиг. 1 схематично показано предлагаемое устройство; на фиг. 2 - зависимости порогового напряжения зажиганияразряда по поверхности слоя вещества отдиаметра диэлектрической вставки.В устройство входят металлическая подложка 1, диэлектрическая вставка 2, слой3 вещества с работой выходач 63 эВ, цилиндрический вспомогательный электрод 4,анод 5, проходной изолятор 6, вакуумнаякамера 7.Диод можно рассматривать как систему 15паразитных емкостей СС, С конденсаторов Конденсатор с емкостью Собразован анодом 5 и...
Диод с магнитной изоляцией
Номер патента: 1001843
Опубликовано: 30.03.1984
МПК: H05H 5/00
Метки: диод, изоляцией, магнитной
...10 см/с,35Основным недостатком прототипа является большая скорость движения катодной плазмы Уи поперек магнитного поля,что вызывает уменьшение длительностиимпульса тока, формируемого диодом, 40и снижение плотности тока, усредненной по длительности импульса тока,Целью изобретения является увеличение длительности и средней плотнос.ти тока, Формируемого диодом, путем 45уменьшения скорости движения катод- сной плазмы поперек магнитного поля,Указанная цель достигается тем,что в диоде с магнитной изоляцией,содержащем вакуумную камеру с сооснорасположенными в ней цилиндрическимкатододержателем, .катодом и аноднойтрубой дрейфа, и магнитную системудля создания в трубе дрейфа однородного поля, параллельного оси электро.дов, катод выполнен в...
Тепловой диод
Номер патента: 1101665
Опубликовано: 07.07.1984
Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...этого теплового диода20является сравнительно низкая температурная чувствительность.Цель изобретения - повышение температурной чувствительности.Поставленная цель достигаетсятем, что в тепловом диоде, содержащем входной теплопровод в виде стержня с изогнутой пластиной на конце,имеющей два участка противоположнойкривизны, концы которых закрепленына планке, последняя выполнена изматериалов с обратимым мартенситнымпревращением (или с памятью формы),изогнута по форме участка пластинывходного теплопровода со стороныстержня и снабжена выступом, введенным во входной теплопровод в зонестержня,На фиг, 1 схематично показан тепловой диод, разрез; на фиг. 2 - то же,во включенном положении.40Тепловой диод содержит входнойтеплопровод 1 в виде...
Струйный вихревой диод
Номер патента: 1128008
Опубликовано: 07.12.1984
Автор: Азимов
МПК: F15C 1/14
Метки: вихревой, диод, струйный
...диода обратный поток поступаетв аксиальную трубку,Цель изобретения - повышение обратного сопротивления струйного вихревого диода, 25Поставленная цель достигается тем, чтов струйном вихревом диоде, содержащемцилиндрическую камеру с тангенциальнымсоплом и аксиальной трубкой, последняяразмещена внутри камеры, снабжена заглушенным торцом и по крайней мере однимотверстием на его образующей поверхности,к которой по касательной прикреплен однимсвоим концом эластичный клапан, выполненный в виде плоской ленты, изогнутой в сторону вращения обратного потока.На чертеже приведена принципиальнаясхема струйного вихревого диода.Устройство содержит цилиндрическуюкамеру 1 с тангенциальным соплом 2 и аксиальной трубкой 3, которая имеет заглушенный с...
Светоизлучающий диод
Номер патента: 1032953
Опубликовано: 15.05.1985
МПК: H01L 33/00
Метки: диод, светоизлучающий
...обоих выводов, и увеличения тока, протекающего через кристалл (до 100 мА). Однако размер излучающей поверхностиэтого прибора, также как и другихконструкций, содержащих выводырамочного типа, не превышает 5 мм,что не позволяет использовать ихв табло коллективного пользованиябез дополнительного рассеивающегосвет элемента с большим размеромсветящейся поверхности,Целью изобретения, является увеличение излучающей поверхности светодиода при сохранении технологичности его сборки. Поставленная цель достигаетсятем, что в известном светоиэлучающем диоде, содержащем рамочный держатель с выводами и излучающие кристаллы, включенные последовательно,верхние части выводов держателявыполнены под прямым углом к егоплоскости и расположены по меньшеймере в...
Тепловой диод
Номер патента: 1244470
Опубликовано: 15.07.1986
Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...в нем входным и выходным теплопроводами 2 и 3 соответственно, выполненными из пластин, материал которых имеет. высокий коэффици 20ент.линейного расширения. Пластинавходного теплопровода 2 изогнута ввиде петли (может иметь форму эллипса) и снабжена в средней части этойпетли планкой 4 из материала с низким коэффициентом линейного расширения. Пластина выходного теплопровода3 закреплена концами на корпусе 1 иимеет некоторый начальный прогиб внаправлении прогиба пластины нходного теппопровода 2 при нагреве (фиг,1),стрелками пбказано направление, теплового потока).Тепловой диод работает следующимобразом.При прямом подводе теплового потока к входному теплопроводу 2 температура пластины этого теплопроводаувеличивается, петля расширяется...
Суперлюминесцентный диод
Номер патента: 1139337
Опубликовано: 07.10.1987
Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин
МПК: H01L 33/00
Метки: диод, суперлюминесцентный
...в плоскости 100) изготовлена полупроводниковая структура, представляющая собой последовательнорасположенные и-СаАз - подслой толщиной 8 мкм и и-Сао А 1 р, Аз - ограничивающий слой толщиной 3 мкм (ниж- .няя пассивная область 2), СаАз - ак 5тивный слой 3 толщиной 0,4 мкм ир - и переход 4, образованный междуактивным слоем 3 и верхней пассивнойобластью 5, которая, в свою очередь, ..состоит иэ р-Сао,А 1 З,-Аз ограничива ющего слоя толщиной 1,5 мкм, р-СаАзслоя 6 толщиной 2,5 мкм и и-СаАзслоя 7 толщиной 1,5 мкм. В описаннойструктуре с помощью химического травления создана канавка определенной 15формы глубиной 3,5 мкм. Эта канавкарасположена под углом сС =9 - 16 ксколотым граням структуры. Для обеспечения протекания тока только...
Тепловой диод
Номер патента: 1372176
Опубликовано: 07.02.1988
Автор: Корнеев
МПК: F28D 15/02
Метки: диод, тепловой
...чертеже схематично изображентепловой диод, общий вид. 1 ОТепловой диод содержит входной 1и выходной 2 теплопроводы, установленные с зазором 3, и термочувствительный элемент в виде тонкостеннойоболочки 4, выполненной иэ материала 15с памятью формы и подсоединенной посредством вспомогательного теплопровода 5 к входному теплопроводу 1.Концы теплопроводов 1 и 2 в зоне зазора 3 заключены в кожух 6, снаб Оженный в верхней части ресивером 7,заполненным теплоизолирующей средой(газом, жидкостью или их смесью).Оболочка 4 заполнена теплопроводнойжидкостью (например, ртутью) и сое-. 25динена гидравлическим трактом 8 снижней частью кожуха 6. Диод заключен в корпус 9 из теплоизоляционного,материала. Оболочка 4 может...
Плазменный диод
Номер патента: 1362343
Опубликовано: 30.06.1988
Метки: диод, плазменный
...некоторое давлениеостаточного газа в вакуумной камере 1. Затем осаждается инициатор 4катодной плазмы на металлическуюподложку катодной ножки 3 путем ееохлаждения жидким азотом посредствомего заливки в криогент, При этом взависимости от давления остаточногогаза и температуры подложки подбирают условия для создания слоя твердо"го газа. Так, при Р - 510 Торр итемпературе жидкого азота на поверхности подложки катодной ножки 3 будет наращиваться твердый слой молекул воды при цалуске паров воды.Согласно диаграмме тройной точки длякаждого газа можно найти температуруС С, при которой давление насыщенного пара меньше некоторого рабочегодавления в вакуумной кФмере 1.Это означает, что при данной температуре напускаемый газ будет...
Тепловой диод
Номер патента: 1495634
Опубликовано: 23.07.1989
Автор: Корнеев
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...по одну сторону от них изогнутые термочувствительные пластины 4 и 5, соединенные между собой по краям через теплоизолирующую прокладку 6. Пластина 4, наиболее удаленная от теплопроводов 1 - 3, снабжена электрическими контактами 7, подсоединенными к источнику тока (не показан), и штоком 8 закрепленным на ней одним концом, а другим пропущенным через отверстие 9 в пластине 5 и соединенным с вспомогательным теплопроводом 3. На теплопроводах 1 и 2 закреплен направляюший элемент 10 из теплоизоляционного материала, образующий канал для движения вспомогательного теплопровода 3. Пастина 5 соединена с входным тепло- проводом 1 теплопроводной перемычкой 11. Пластины 4 и 5 могут быть выполнены из материала с памятью формы, из биметалла или из...
Тепловой диод
Номер патента: 1603172
Опубликовано: 30.10.1990
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...гибкими теплопроводами 16и 17 с входным 2 и выходным 3 теплопроводами.Тепловой диод работает следующим образом.При равенстве температур входного 2и выходного 3 теплопроводов в силу одинаковых характеристик и принятого взаимного расположения биметаллических пластин 4и 5 зазор 6 между тепловыми контактами 7 остается неизменным независимоот величины температуры в допустимом диапазоне,Когда температура входного теплопровода 2 повышается относительно температуры выходного теплопровода 3, вследствие разной деформации входной 4 и выходной 5биметаллических пластин зазор 6 между тепловыми контактами уменьшается и пр:; достижении определяемого начальной величиной зазора 6 перепада температур контакты 7 соприкасаются. Благодаря наличию...
Струйный диод
Номер патента: 1647162
Опубликовано: 07.05.1991
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: диод, струйный
...20 раструба, образующих радиальные лепестки, обращенные своими основаниями в сторону выходного сечения раструба.З.Диодпоп.1,отличающийсятем,что элементы отклонения обратного потока 25 выполнены в виде винтовых направляющихребер, расположенных на внутренней поверхности раструба.4.Диодпоп.З,отличающийсятем,что в выходном. сечении раструба шарнирно ЗО закреплены поворотные дугообразные трапециевидные пластины, расположенные с перекрытием относительно одна другой и образующие дополнительный диффузор.( ПИ Государственного комитета по изоб 113035, Москва, Ж, Рауельский.комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизводственно Изобретение относится к автоматическому управлению и может быть применено в устройствах пневмоавтоматики.Цель...
Вихревой струйный диод
Номер патента: 1647163
Опубликовано: 07.05.1991
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: вихревой, диод, струйный
...трубку 4, выходное сопло 3 и поперечные щели 7 между лопатками 5 поступает в цилиндрическую камеру 1 и еыхо дит из камеры 1 через тангенциальнае сопло 2. При течении потока в прямом направлении в поперечных щелях 9 пластин 8 образуется разрежение, в результате чего воздух из атмосферы через щели 9 подме аивается к приточному воздуху.вцилиндрической камере 1 и увеличивают расход в прямом направлении, 8 этом случае сопротивление потоку оказывается небольшим и состоит в основном из сапротивле О ния выхода осевого поока в камеру 1 и сопротивления входа в тангенциальное сопло 2 из камеры 1,В обратном направлении поток через тангенциальное сопло 2 поступает в цилиндрическую камеру 1, где закручивается и выходит через поперечные щели 7 между...
Тепловой диод
Номер патента: 1665211
Опубликовано: 23.07.1991
Автор: Корнеев
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...и деформируется с уменьшением объема, подавая теплопроводную жидкость в зазор 3 и обеспечивая замыкание теплопроводов 1 и 2, При этом через диод протекает тепловой поток, Ресивер 9, в который подается тепло- изолирующая среда, выполняет функцию демпфера. При подводе теплового потока в обратном направлении диод не открывается, так как теплопроводная жидкость отведена из зазора 3 во внутренний объем элемента 4. В том случае, если направление теплового потока изменится после открытия теплового диода, т,е, температура теплопровода 2 превысит температуру теплопровода 1 в момент открытия и в процессе работы, оболочка термочувствительного элемента 5 деформируется, увеличивая свой объем, который, заполняется теплопроводной жидкостью из зазора...
Тепловой диод
Номер патента: 1719869
Опубликовано: 15.03.1992
Автор: Блинчевский
МПК: F28D 15/02
Метки: диод, тепловой
...подводится в зоне 2, а отводится в зоне 3. На транспортном участке расположена капиллярная набивка 4 - ловушка для жидкости. КС выполнена в виде резьбовых канавок 5 и б на стенках корпуса в зонах испарения и конденсации. Артерия в зоне конденсации и на части транспортной воны выполнена сегментовидной и образована с помощью прваренной к корпусу корытообразной вставки 7. Капиллярный переходник 8 соединяет трубчатый участок 9 с сегментовидными участками, образованными с помощью корытообразных вставок 7 и 10, В зоне 2 артерия выполнена в виде капиллярно-пористой пластины 11. Переходник 8 служит для соединения двух участков разной формы: сегментовидного и круглого, Если пристеночную артерию слева от круглого участка выполнить также круглой...
Тепловой диод
Номер патента: 1740959
Опубликовано: 15.06.1992
МПК: F28F 13/14
Метки: диод, тепловой
...навивки и закрепленные одним концом на глухих торцах отверстий, а другим - на оси вспомогательного теплопровода, причем последний снабжен ограничителем перемещения и выполнен в виде диска с чередующимися секторами, выполненными из 20 25 30 35 40 45 50 55 теплоизоляционного и теплопроводного материалов. На фиг,1 представлена схема тепловогодиода; на фиг.2 - разрез А - А на фиг.1,Схема содержит входной 1 и выходной2 теплопроводы, внутри которых в глухих отверстиях 3 размещены термоэлементы 4, выполненные в виде спиралей с противоположным направлением навивки, одним концом закрепленных на глухих торцах отверстий, а другими через теплоизоляционную вставку 5 - с вспомогательным теплопроводом 6, выполненным в виде секторов круглого...
Кремниевый высоковольтный сильноточный диод и способ его изготовления
Номер патента: 1748205
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов
МПК: H01L 23/00
Метки: высоковольтный, диод, кремниевый, сильноточный
...первую заливку эпоксидногокомпаунда до эмиттерного вывода, первуюдвухстадийную термообработку, первуюстадию которой осуществляют при 80 - 85 Св течение 2 - 5 ч, а вторую стадию - при120-125 С в течение 4-8 ч, осуществляютдополнительную заливку эпоксидным компаундом до уровня верхнего торца корпусаи дополнительную двухстадийную термообработку при 80 - 85 С в течение 2 - 5 ч и при120 - 125 С в течение 4 - 5 ч, осуществляютвторую заливку эпоксидного компаунда доверхней площадкикольца и вторую дьухстадийную термообработку, первую стадию которой осуществляют при 80-85 С в течение2 ч, а вторую при 140-145 С втечение40-45 ч, при этом после второй термообработки часть кольца со стороны верхней площадки удаляют резанием,Режимы...
Диод ганна
Номер патента: 1676402
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Караваев, Ткаченко, Уйманов
МПК: H01L 47/02
Метки: ганна, диод
...основнойчастоте,Поскольку в настоящих ДГ, по сравнению с ДГ работающими ца основнойЪ35частоте, частота генерации определяется уже це длиной активной области1., а периодом неоднородности е легирования, то, увеличивая длину активной области, цо оставляя период неод-нородности профиля легирования равным прежней длине активной области,на выходе можно получить СВЧ-сигналтой же частоты, но гораздо большеймощности. Т,е. для увеличения выходной мощности толщина активного слоянастоящего диода 1. должна удонлетоворять условию1(М. 1) ) ) 1,где 1, - толщина однородного активного50слоя,т.е. толщина активного слоя ДГ беэфступенек.11 ринедецные вьппе рассуждения наоснове 4 аэических представлений былипроверены расчетным путем, а именнометодом...
Струйный диод
Номер патента: 1754919
Опубликовано: 15.08.1992
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: диод, струйный
...4 и радиальных лепестков 5. В трубке 2 перед раструбом 3 выполнена кольцевая каверна 6.Струйный диод работает следующимобразом,При подаче воздуха в прямом направлении через трубку 1 образуется ламинарнаяструя, практически полностью улавливаемая трубкой 2,При обратном течении в раструбе 3 происходит турбулиэация струи и в приемную(57) Изобретение относится к струййой технике, Струйный диод содержит входную и приемную трубки и раструб, закрепленный на приемной трубке. Й месте сопряжения раструба и приемной трубки выполнена кольцевая каверна, что йриводит к существенному увеличению диодности устройствапо расходу. 1 ил. трубку 1 попадает лишь часть всего расхода, Диодность устройства увеличивается установкой в раструбе элементов...
Тепловой диод
Номер патента: 1776966
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Богданов, Журавлев, Конев, Корсеко, Костенко, Ушаковская
МПК: F28D 15/02
Метки: диод, тепловой
...В камере 2меньшего поперечного сечения установлены поперечные перегородки 6, выполнен. ные из капиллярно-пористого материала иконтактирующие с капиллярной структурой4, В каждой поперечной перегородке 6 выполнено отверстие 7, кромки 8 которогр отогнуты в направлении, противоположномловушке 3. По одному из вариантов конструкции (фиг. 2) перегородки выполнены ввиде усеченных конусов 9, обращенныхбольшими основаниями к ловушке 3. Перегородки 6 могут быть выполнены с отверстиями 10, сужающимися в направлении осикамеры 2 (фиг. 3), причем в отверстиях 10 со стороны, противоположной ловушке 3 установлены втулки 11, кромки 12 которых отогнуты в направлении, противоположном ловушке 3. Ловушка 3 и прилегающая к ней зона 13 камеры 2...
Тепловой диод
Номер патента: 1783267
Опубликовано: 23.12.1992
Авторы: Богданов, Журавлев, Конев, Корсеко, Костенко, Ушаковская
МПК: F28D 15/02
Метки: диод, тепловой
...5.зойе транспортаустановлен "нагреватель:,В момент воздействия солнечной ради"Йедастатком данноготеплового диода яв- ации на поверхность камерй 2 температураляется большоевремяпереключения на об-;:идавление"в ней повышаются и происходит;,.корпус":сзонами "конденсации ииспарения конденсацией в жидкостной ловушке 4.и:расболоженную: со стороны "последней,:.За счет динамического воздействйя нажидкостную ловущку,"причемстенкикарпу-.жидкий теплоноситель,: находящийСя в посви ловушкипокрытыизнутрикапйллярно рахсопла 8; происходит образование капористой структурой. Данное устройство: пель жидкости; которые паровым потокомявляется наиболее близким к изобретению,переносятся вжидкостную ловушку 4; при-Недостаток его заключается в большом...
Струйный диод
Номер патента: 1798552
Опубликовано: 28.02.1993
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: диод, струйный
...б, и эакреплейных на внешней стороне раструба 4 трубопроводов.10, причемна боковой поверхности раструба 4 выполнены радиальные отверстия 7, полый конус5 выполнен с окнами 8, а радиальные элементы - в виде проточных патрубков 9, свйзывающйх отверстия 7 с окнами 8,трубопроводы своимм свободными концами.закреплены на боковых стенках одной изтрубок 1 по периметру дополнительных ра.диальных отверстий 11, под которыми.навнутрейней поверхности трубки 1 жесткозакреплены направляющйе щитки 12, авнутри другой трубки 13 концентрично ейустановлена дополнительная трубка 2, образуя приемную. кольцевую полость 14 дляобратного потока,Струйный диод работает следующимобразом.При подаче воздуха в прямом направлении через кольцевую полость 14...
Кремниевый высоковольтный диод
Номер патента: 1803943
Опубликовано: 23.03.1993
Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов
МПК: H01L 23/00
Метки: высоковольтный, диод, кремниевый
...компаундом при формированиикорпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги,термоциклы и др, операции).(54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД(57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл. Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный...
Струйный диод
Номер патента: 2000491
Опубликовано: 07.09.1993
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: диод, струйный
...частями кольцевой каверны 4.Струйный диод работает следующим образом,При подаче воздуха в прямом направлении через трубку 1 образуется ламинарная струя, практически полностью улавливаемая трубкой 2, При обратном течении в раструбе 6 происходит турбулизация струи и в приемную трубку 1 попадает лишь часть всего расхода, Диодность устройства увеличивается установкой в раструбе 6 элементов отклонения обратного потока. Эти элементы, выполненные, например, в виде прорезей 3 в раструбе 6 и радиальных лепестков 5, отклоняют часть потока в прорези 3, 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Дополнительно при обратном течениивоздушного потока из трубки 2 он, поступаяв открытую кольцевую каверну 4, выполняющую функции резонатора. преобразуетсвое постоянное...
Струйный диод
Номер патента: 2000492
Опубликовано: 07.09.1993
Автор: Кириленко
МПК: F15C 1/16
Метки: диод, струйный
...достигается тем, что в струйном диоде кольцевая каверна снабжена цилиндрической обечайкой, установленной коаксиально внутри приемной трубки с возможностью продольного перемещения и перекрытия в свету кольцевой каверны.На фиг, 1 представлен струйный диод, продольный разрез; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг, 1.Струйный диод содержит две соосные трубки - входную 1 и приемную 2, На торце приемной трубки 2 закреплен раструб 3, В трубке 2 перед раструбом 3 выполнена кольцевая каверна 4, Она образована подвижными частями трубки 2, причем части установлены с возможностью осевого перемещения относительно трубки 2. Диод дополнительно снабжен цилиндрической обечайкой 5, установленной коаксиально внутри приемной трубки 2 с воэможностью505 10...
Полупроводниковый ограничительный диод
Номер патента: 2003208
Опубликовано: 15.11.1993
МПК: H01L 29/06
Метки: диод, ограничительный, полупроводниковый
...время пролета т носителей заряда через обедненную область было мало посравнению с периодом Т СВЧ колебаний: т =О,1; Т = 1/Т. С учетом дрейфового характера движения носителей при высоком уровне мощности можно записать в случае 5 В/5В/4: т = ЧЧ 4/Чз, где Ч - дрейфоваяскорость. При использовании кремния име- ем 10В/4() = (4) Толщина базы В/ предложенного диодавыбирается иэ соображений малых вносимых потерь в режиме низкого уровня мощ ности и большой рабочей мощности врежиме ограничения, но не оказывает влияния на величину постоянного токаспоэтому целесообразно наложение условия 40 В/1 ) (5 - 10) В/4. (б) Увеличение толщины В/1 сверх указанного предела влечет эа собой рост времени восстановления, а также (при неизменной толщине В/4)...
Диод ганна
Номер патента: 747373
Опубликовано: 15.04.1994
Автор: Липин
МПК: H01L 47/02
Метки: ганна, диод
ДИОД ГАННА, содержащий активную область, выполненную в виде меза-структуры n+ - n - n+ на полупроводниковой подложке, два электрода, один из которых является теплоотводом, отличающийся тем, что, с целью уменьшения высокочастотных шумов, активная область выполнена в виде сотовой решетки, у которой периметр шестигранной ячейки не менее чем в 10 раз превышает ширину элементов, составляющих ячейку.
Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления
Номер патента: 1581149
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило
МПК: H01L 29/04
Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...