Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 1800338

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Евграфова, Титов

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков

...образца, на котором накапливается положительный заряд. Удаление заряда с поверхности образца осуществляется через электропроводящий порошок, предварительно слрессованный с порошком анализируемого диэлектрика. Отток заряда происходит за счет взаимодействия первичных ионов с электропроводящими участками исследуемого диэлектрика, 2 ил,Пример конкретного исполнения. Диэлектрик в виде порошка смешивали в пропорции 1:1 с порошком свинца и спрессовывали в виде таблетки. Для анализа испольэовали масс-спектрометр типа МСМ, работа которого основана на методе вторичной ионной эмиссии, Бомбардировку осуществляли ионами аргона,На фиг,1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе М 90, полученные без примеси электропроводящего порошка свинца и с...

Номер патента: 1806109

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Бершак, Еркин, Медведков, Музалев, Насекан, Самохвалов

МПК: C03C 17/22

Метки: декоративного, диэлектриков, изделиях, покрытия, полых

...необходимость в дополнительной операции по окислению поверхности в водном растворе солей или кислот.В зависимости от формы и конфигурации иэделия можно получить на его боковой поверхности плавный переход от золотистого к серебристому цвету.Ниже приведены конкретные примеры выполнения данного способа,1806109 Составитель Г,буровцеваТехред М,Моргентал Корректор С.Юско Редактор Т.Егорова Заказ 961 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4 И Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 ф П р и м е р 1, Получение комбинированного декоративного покрытия на вазе дляфруктов (внутренняя поверхность "под серебро", наружная -...

Номер патента: 1809273

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Архангельский, Куликов, Рубаненко, Серебряков

МПК: F26B 3/34

Метки: диэлектриков, сушки

...преобразование СВЧ энергии в тепло во всем его объеме, то при дополнительном воздействии электромагнитным полем с частотой, например 2375 МГц, происходитдополнительное пре образование СВЧ энергии в тепло только в поверхностном слое дибректрика.П р и м е р, Был проведен процесс сушки фаянсового образца в форме глубокой тарелки диаметром 200 мм и толщиной 5 мм 10 (из номенклатуры изделий Будянского фаянсового завода "Серп и молот" Харьковской области). Изготовление форм тарелок проводилось на заводском полуавтомате типа АСФ - 07 из фаянсовой массы, составлен ной по заводской технологии, Сушка тарелок производилась в специальной сушильной рабочей камере. При этом энерго- подвод СВЧ энергии осуществлялся рупорной конической антенной из...

Номер патента: 1830539

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Трель

МПК: G06G 7/25, G06G 7/48

Метки: гистерезисных, диэлектриков, магнетиков, моделирования, характеристик

...5, В результате интегрирования с выхода второго интегратора 2, служащим вторым выходом устройства по сигналу Х, этот сигнал поступает на оба входа первого блока умножения 3 и через второй инвертор 10 на второй вход третьего сумматора 14 и первый вход второго блока умножения 4. С выхода первого блока умножения 3 сигнал Хз (1) подают на вторые входы второго 4 и третьего 5 блоков умножения и четвертого сумматора 15, выход которого служит третьим выходом устройства по сигналу Х 4 ф С выхода второго блока умножения 4 сигнал Хз (т) поступает на третий вход третьего сумматора 14, с выхода которого сигнал результата алгебраического суммирования подают на первый вход четвертого блока умножения 6, на второй вход которого поступает сигналХз(с) с...

Номер патента: 1838267

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Мусин, Солинов

МПК: C03C 27/02

Метки: диэлектриков, металлом, соединения

...деталь, э например алюминий, деформируют по по- (,О верхности соединения, контактируют с диэлектриком, нагревают до температуры ниже р температуры плавления металла и воздействуют электрическим током в течение определенного времени, после чего прекращают воздействие электрическим то ком, снижают температуру до комнатной.После соединения определяют герметич- )я ность йа телеискателе, например СТИ, ( ) нагревают до температурь, соответствующей температуре нагрева при соединении,выдерживают 2. ч, определяют герметич ность после охлаждения до комнатной тем пературы, повторяя эти операции два разаЗаказ 2898 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...

Номер патента: 1838268

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Мусин, Солинов

МПК: C03C 27/08

Метки: диэлектриков, соединения

...термостойкости и герметичности соединения широкого круга материалов - стекол, керамики, лейкосапфира, ситаллов и моно- кристаллов синтетического кварца между собой и друг с другом за счет достижения более полного. физического контакта и протекания химического взаимодействия в твердой фазе однородного по всей деформированной поверхности пленки при нагреве, вследствие более равномерногораспределения электрического потенциала притяжения за счет уменЬшения зазора между вершинами микронеровностей поверхности металла и диэлектрика. Это также снижает величину требуемого для соединения потенциала при воздействии электрическим током и позволяет получить соединения диэлектриков с более шероховатой поверхностью. Таким образом расширяется...

Номер патента: 1249970

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Бушева, Горячева, Кузнецов, Хрулева

МПК: C23C 18/38

Метки: диэлектриков, ионов, лиганд, меди, меднения, растворе, химического

Применение лапромола 294, представляющего собой продукт взаимодействия окиси пропилена с водным раствором этилендиамина, в качестве лиганда ионов меди (II) в растворе химического меднения диэлектриков.

Номер патента: 713018

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Белов, Потапов

МПК: C30B 25/12

Метки: газовой, диэлектриков, полупроводников, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, включающее горизонтальный реактор, подложкодержатель для подложки, установленный на пьедестале внутри реактора, и внешний нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения градиента температуры по поверхности подложек и стабилизации температуры, пьедестал выполнен в виде полого контейнера, а подложкодержатель в виде гранулированного материала, размещенного внутри контейнера слоем, толщина которого превышает величину стрелы прогиба подложки.

Номер патента: 1454166

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Клюев, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Топоров

МПК: H01L 21/66

Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об...

Номер патента: 1521049

Опубликовано: 20.06.1996

Автор: Щеткин

МПК: G01N 22/02, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, неразрушающего

1. Устройство для неразрушающего контроля диэлектриков, содержащее два перпендикулярных запредельных волновода, в первом из которых установлены элементы связи, во втором исследуемый материал, генератор и индикатор, подключенные к соответствующим элементам связи, отличающееся тем, что, с целью обеспечения контроля листовых диэлектрических материалов с произвольной по периметру листа формой, первый запредельный волновод выполнен цилиндрическим, а второй радиальным и полностью заполнен исследуемым материалом, в первом запредельном волноводе установлен диск из высокодобротного диэлектрического материала с известными значениями диэлектрической проницаемости и потерь, полностью заполняющий его поперечное сечение, при этом одна из плоскостей...

Номер патента: 1804274

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Курноскин, Рогожин, Рябов, Флеров

МПК: C23C 18/16, H05K 3/18

Метки: диэлектриков, металлизации, химической

...плотности загрузки 1,5дм /л и температуре 85 С осаждаетсяпокрытие толщиной 6,0 мкм состава, мас, 0:Бор 3,15Фосфор 2,5Таллий 3,5Никель ОстальноеДалее детали промывают в холодной игорячей воде, обезвоживают в спирто-ацетоновой смеси, сушат,После этого тонкопленочную микросхемутравят в концентрированной соляной кислоте, промывают и помещают в растворзолочения следующего состава, г/л:Дицианоаурат калия 5Лимонная кислота 30Хлористый аммоний 70Гидразин сернокислый 75Процесс ведут при температуре 95 С иплотности загрузки 3 дм /л. Скоростьосаждения золота - 4,5 мкм/ч. Покрытыетонкопленочные микросхемы промывают вгорячей воде, обрабатывают в растворещавелевой кислоты (10 г/л), промывают,обезвоживают в спирто-ацетоновой смеси ивзвешивают.После...

Номер патента: 1797409

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/304

Метки: диэлектриков, полирования, полупроводников, состав, химико-механического

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Наполнитель - 15 - 30Загуститель - 5 - 10Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12Комплексообразователь - 0,003 - 6,4Вода - Остальное

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.