Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 737819

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/02

Метки: активации, дефектов, диэлектриков, колебаний, количества, кристаллической, полупроводников, реализации, решетки, типа, частоты, энергии

...и С - скорости нагревания,1Определив энергию активации дефекта, можно найти и частоту его релакса 35где а - постоянная решетки исследуемого вещества;Ч - скорость звука в нем;4 - собственная частота колебанийдеФекта,Способ осуществляется в устройстве, обеспечивающем автоматическое последовательное измерение тока ТСД иотличающемся от известного тем, что 45между измерителем температуры и нагревателем включены программное и регулирующее устройства, охваченныеобратной связью, а нагреватели," выполненные в виде нагревательных 50стержней, укреплены в цанговых зажимах.На фиг. 1 дана схема предлагаемого устройства; на Фиг. 2 - график,иллюстрирующий осуществление предлагаемого способа для кристалла ИаС 1 .Исследуемый образец 1...

Номер патента: 737822

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: активации, активационных, вида, времени, дефектов, диэлектриков, количества, кристаллической, объектов, полупроводников, реализации, релаксации, решетки, энергии

....к изменению 0тока ТСД; позволяя тем самым опреде- .лить параметры дефектов.Цель изобретения достигается двухкратным, измерением тока ТСД. Первоеизмерение тока ТСД проводят в поля-. 65риэованном до насыщения, свободном от напряжений веществе, нагреваемом с постоянной скоростью. При этом ток увеличивается, достигает максимума и спадает, причем каждый вид дефектон характеризуется своей температурой максимума. Повторное измерение тока проводят, подвергнув исследуемый материал механическому сжатию, что выэынает сдвиг максимума тока в сторону более высоких температур, В отличйе от грототипа параметры дефектов определяют ло напряжению сжатия -О температурам максимумов Т и Т тока ТСД соответстненно ненапряжеиного и сжатого материала...

Номер патента: 747731

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Булатов, Воронин, Зиберов, Прудкай

МПК: B29D 9/08

Метки: диэлектриков, ферромагнитных

...вязкость, к ге/см/смТеплостойкость по Мартенсу,С Предлагаемый 450 в 100 5 - 30105 Составитель А Акимов Техред К. Шуфрич Корректор В. Вутяга Тираж 735 Подписное ЦНИИ 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Ьнлнал 11 ПП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,Редактор Н. Потапова3 а к аз 4 145110 ткани АСТТ-С 2 (Б) окунанием и сушат при комнатной температуре до содержания летучих не более 2 вес,%, Полученный таким образом препрег разрезают на куски необходимых размеров. Слой препрега 2 вес. ч, укладывают в предварительно нагретую (до 130 - 50 С) пресс-форму, затем загружают полученный указанным выше способом пресс-порошок и сверху укладывают еще один слой препрега....

Номер патента: 767668

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Вторушин, Гераскин, Гудков, Попкович, Потапов

МПК: G01R 27/26

Метки: автоматический, диэлектриков, измеритель, параметров

...поддерживается равной резонансной частоте измерительного реэойатора 7.В блоке 12 сигнал с кварцевого генератора 13 подается на генератор 14, из спектра которого выделяется час тота, наиболее близкая к.частоте сверхвысокочастотного генератора 1. Сигнал с генератора 14 подается" на сверхвысокочастотный смеситель 15, . на второй вход которого чере,з пер вый направленный отнетнитель 4 подансигнал сверхвысокочастотного гене-ратора 1.На выходе сверхвысокочастотногосмесителя 15 выделяется сигнал раз.ностной частоты ГГч-Г и подается на высокочастотный смеситель 16,йаличие которого снязано с необходймостью получения начальной разностичастот, подлежащей дальнейшему преобразованию до значения, близкого к нулю.Введение в измерительный резонатор 7...

Номер патента: 771524

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Аксельрод, Щигловский

МПК: G01N 27/02

Метки: времени, диэлектриков, заряда, объемного, объемной, постоянной, релаксации, электропроводности

...диэлектриков описанным способом существенно повышается точность благодаря тому, что влияние околоэлектродных процессов исключается за счет использования больших толщин слоев исследуемого диэлектрика, а также за счет изолирования исследуемого диэлектрика от электродов при помощи вспомогательного диэлектрика. Кроме того, для жидких диэлектриков точность повыдается благодаря тому, что вынос носителей заряда из объема исследуемого диэлектрика может быть ограничен величиной заряда на границе раздела диэлектриков и не зависит от времени приложения напряжения, а для твердых диэлектриков исключается необходимость измерения больших электрических сопротивлений образцов,Способ основывается на зависимости от геометрических соотношений...

Номер патента: 773511

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Цейтлин, Шугаев

МПК: G01R 17/10

Метки: активного, диэлектриков, сопротивления

...моста переменного тока и фа"эового указателя на двойном триоде,.объединенном в общее устройство тем, 25что каждое емкостное плечо моста выполнено в виде двух последовательносоединенных конденсаторов - большейемкости, включенного между анодом исеткой, и меньшей емкости, включен773511 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 7493/56 Тираж 1 Подписное Филиал ППП Патент, г. ужгород Проектная Цель изобретения - исключение зависимости показаний индикатора от изменения диэлектрической проницаемостииэмеряеьых диэлектриков.Цель достигается тем, что известное устройство для измерения активного сопротивления диэлектриков снабжено высокоомным резистором, подключенным параллельно выводам емкостного датчика, включенного последовательно с емкостными плечами...

Номер патента: 779919

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Коробкин, Макеев, Пивен, Пятак

МПК: G01R 27/26

Метки: анизотропных, диэлектриков, диэлектрической, направлений, осей, потерь, проницаемости, резонансный, тангенса, угла, эллипсоида

...ППП Патентф, г . Ужго ул . Проект Резонансный способ измерения реализуется следующим образом. . .Образец из .исследуемого диэлектрика помещается в круглый волновод, полностью заполняя его поперечное сече 5 йнхееа ЭлементаМи свнзи возбУжДаютсЯ колебания Й 5 в образце из исследуемого диэлектрика .Для этого типа колебаний характерно существование двух вэаимноортого нальных поляризаций, .вырожденных для иэотропного диэлектрика . В случае 0 анизотропного диэлектрика снимается " вырождение, и на экране электроопти-., ческого индикатора наблюдаются две полосы пропускания, соответствующие прохождению двух взаимноортогональных поляризаций . Вращая образец относительно неподвижных элементов связи (либо наоборот), подавляют одну из полос. Это...

Номер патента: 783711

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Воробьев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, постоянной, расплава, термостойких

...расплава,разрушают расплав скалыванием и измеряют толщину затвердевшей части расплава образца и по электрическим толШинам образца в холодном и нагретомсостоянии с расплавом, а также потолщине плоскопараллельного образцаи затвердевшего поверхностного расплава определяют величину диэлектрической постоянной расплава,Предлагаемый способ измерения диэлектрической постоянной расплава термостойких материалов показывает, что основное влияние на ухудшение радиотехнических параметров радио- прозрачных обтекателей при их интенсивном аэродинамическом нагреве и оплавлении оказывает образующийся на их поверхности расплав материала. Измерение диэлектрической постоянной расплава при температурах, превьпаающих 1500 о, дает воэможность разрабатывать...

Номер патента: 785712

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Подгорный, Сергеева, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрических, исследования, твердых, характеристик, ячейка

...манипулятора осуществляется ручкой манипулятора 11, соединенной с ним посредством теплоизоляционного стержня и компенсируюцей муфты.Для одновременного помещения в ячейкунескольких образцов служит кассета 12,которая состоит из полок, выполненныхв размер образца и соединенных черезпрокладки 13, представляющие собойчасти кольца толщиной, большей толщины образца, стяжками 14. Смена образца производится перемещением кассетыв вертикальном направлении ручкой 15,при этом прокладки кассеты которыезанимают угол меньше 110 , перемещаются в вырезе манипулятора, угол захвата которого 250 о, Геометрическиецентры электродов и полок кассетырасположены на одинаковом расстоянииот оси вращения манипулятора,Точную установку образцов в меж"электродное...

Номер патента: 786071

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Парилов, Сатаров

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, сверхвысокочастотное, сушки

...израсходованная) направляется впервую секциювторого волновода 2,Распространяющаяся по нему энергияэлектромагнитного поля СВЧ поглощается обрабатываемым диэлектриком всекциях второго волновода, а непоглощенная ее часть рассеивается .нагруэ786071 Формула изобретения Составитель Е, ГолубРедактор Л. утехина ТехредМ.Рейвес Корректор С. Щомак Заказ 8869/63 Тираж 885 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам. изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 кой 4, подключенной к концу второго волновода.Таким образом, имеет место чередование зон интенсивного нагрева в секциях первого волновода 1 с зонами умеренного нагрева в секциях второго волновода 2,При...

Номер патента: 800909

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Бахарев, Гончаров, Чуперов

МПК: G01R 31/14

Метки: диэлектриков, пробивногонапряжения

...напряжение 0 , равноенулю, на выходе модулятора 3 и на исследуемом диэлектрике 16 напряженияУ и 04 соответственно также равны нулю, счетчик 12 импульсов не производит отсчет времени, так как элемент И не пропускает на его вход импульсы напряжения 09 с выхода генератора 13 масштабных импульсов.При замыкании в момент времени е, переключателя 10 триггер 9 переводится в состояние "Пропуск" для генератора 5 пилообразного напряженияи элемента 14 И, при этом начинается процесс формирования линейно-нарастающего во времени напряжения переменного тока 0 модулятором 3 и 04 высоковольтным трансформатором 4.Одновременно с этим начинается отсчетвремени счетчиком 12 импульсов. Возрастающее по амплитуде напряжение И 4 со вторичной обмотки (не...

Номер патента: 834489

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Татарникова, Шапошников

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрическойпроницаемости, жидких

...от 0 имеет вид В,п изменяется в пределах 2 - 10.Способ осуществляется следующимобразом.На конденсатор без исследуемого,двэлектрика подается переменное напряжение 04 и по фотоприемнику отмечается уровень яркости при определенном межэлектродном расстоянии. Затемпри том же межэлектродном расстояниипромежуток между электродами заполняют исследуемым диэлектриком и, пода,вая напряжение 0, добиваются того жеуровня светимости на фотоприемнике.В первом случае конденсатор можнопредставить как два последовательносоединенных конденсатора емкость самой ячейки 5 емкость промежутка с воздухом.Общее напряжение 0 равно сумменатяжений на ячейке 0 й к на проме жутке, заполченном воздухом 0 О.Во втором случае Сйемкость самой ячейки, Сх...

Номер патента: 842543

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Дубова, Копылов, Плескачевский, Смирнов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, исследования, поли-мерных

...что пззволяет повысить точность и стабильность измерений,Для расширения возможностей устройства предлагается нанесение полимерного покрытия на контактирующую поверхность фрикционно взаимодейстПредлагаемое устройство состоит из нижнего измерительного цилиндрического электрода 1, центрального дискового охранного электрода 2, охранного кольцевого электрода 3 и кольцевого измерительного электрода 4. Между электродами 3, 2, 4 и 1 размещается испытуемый полимерный диэлектрик в виде пленки 5, Электроды 1-3 являются неподвижными относительно друг друга и исследуемого полимерного диэлектрика, Электрод 4 выполнен в виде кольца и располагается между электродами 2 и 3. Все электроды выполнены с упругими элементами, обеспечивающими надежный контакт...

Номер патента: 850755

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Егорова, Кольцов, Островидова

МПК: C25D 5/54

Метки: диэлектриков, поверхности, токопроводящегослоя

...пластину подвергают обработке для приданияее поверхности шероховатости, послечего обезжиривают и обрабатывают втечение 15 мин 2-ным раствором сульфонатной пасты (натриеные соли алкилсульфонатных кислот, содержание ПАВг 60) при 450 С. После нысушинанияна образец стекла наносят методомокунания токопронодящий слой, длячего используют водный коллоидно 45графитоный препарат марки ВО (ГОСТ5245-50), и сушат на воздухе в течение 20 мин. Полученный графитовыйслой является равномерным, имеет хорошую адгезию к подложке.На подготовленный таким способомобразец стекла наносят электрофоретически покрытие Фторопласта из воднойсуспензии. Осадок высушивают на воздухе и термообрабатывают при 200 С0н течение 1 ч. Покрытие имеет хороший внешний вид,...

Номер патента: 855454

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Оказов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, характеристик

...сосуд Дьюара 9, вакуумный насос10 ющий из сосуда Дьюараное пространство жидкино вытекает с другогопровода в дополнительный.резервуар 8 установленный на крышке .2, где постепенно испаряясь, дополнительно охлаждает крышку 2 и цилиндрический вакуумируемый корпус 1. Независимо от уровня жидкого азота в дополнительном резервуаре 8 хладо провод всегда заполнен жидким хлад-. агентом, что обеспечивает получение более низких температур в рабочем объеме и одновременно эффективное вымораживание паров масла вакуумного насоса 10 в дополнительном трубопроводе 7, более чистые условия в рабочем объеме и повышает эффективность надежность, экономичность жидкого азота и установленного криогенного оборудования.В рабочем объеме измерительной ячейки 3...

Номер патента: 857106

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Брусницына, Китаев, Пашкевич, Питерских, Пушкина, Салоутин, Сидоров

МПК: C07C 53/21

Метки: активность, алифатических, диэлектриков, кислот, медные, металлизации, процессах, проявляющие, соли, фотоселективной, фотохимическую, фторкарбоновых

...кметаллизации. Светочувствительныйраствор хорошо распределяется по поверхно"ти диэлектрика, а также в отверстиях заготовки, что является залогом успешного осаждения металлического покрытия на засвеченных участках.Расход светочувствительной композицииоколо 1 мл/дм . Высушенную заготовку2экспонируют с одной или двух сторончерез стеклянный или пленочный фотошаблон. Проявление открытого изображения производится погружением заготовки в щелочной раствор Физического проявления на основе сернокислой меди, сегнетовой соли и формалина 25 или в другой раствор метиллизации.Проявленный рисунок схемы может бытьусилен в растворе толстослойного меднения.В примерах показаны возможности зо использования солей (1) в составесветочувствительной...

Номер патента: 857779

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Оказов

МПК: G01N 1/42

Метки: диэлектриков, жидких, замороженных, кондиционирования, образцов

...Е для образцов, изготовленных предлагаемым способом, равны6. = 3,02, тогда как без удаления лишней125 массы льда Е = 2,927, при этом отклоиениеот наиболее точного численного значения (известного) равного 3,0, составляет 2,43% (приточности метода измерения 6:10 Я).Использование предлагаемого способа позво ляет уменьшить затраты труда и времени наизготовление одного образца льда 1,0 примерно в 3 - 4 раза по сравнению с известным и нетребует использования специальной холодильной камеры, другого оборудования кроме то 35 го, что необходимо для изучения диэлектрических характеристик льдов в условиях. имитирующих космические. 40 Формула изобретения 1, Способ изготовления и койдиционированияобразцов замороженных жидких дизлектриков,...

Номер патента: 776389

Опубликовано: 07.09.1981

Автор: Пучкарева

МПК: H01J 37/00

Метки: диэлектриков, ионными, исследования, пучками

...Схема измеренийвключает измеритель б тока и потенциометр 7. Экран 2 перекрывает пространство вблизи мишени, а для входапучка и выхода излучения снабженсоответствующими отверстиями. Он изолирован от другихэлементов устрой"ства и заземлен через потеициометр 7,Металлический держатель 4 образцазаземлен через измеритель 6 тока.Устройство работает следующим образом.Ускоренный до некоторой эйЕ 4 гиипучок первичных ионов из источника 1через отверстие в экране 2 йоотупа-ет на образец 5,При взаимодействии первичноГопучка ионов с поверхностью образца" последний распыляется в вйденейтральных атомов, положительных и:отрицательных ионов. Часть первич"ныхиойов, претерпевая упругое вза- "имодействие с атомами, рассеивается.Как-вторичные, так и...

Номер патента: 866508

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Байкалов, Шерстобитов, Шильников

МПК: G01R 31/08

Метки: диэлектриков, интенсивности, порах, разрядов, частичных

...интервалов разрядов при их малом ко личестве, не дают значительного увеличения среднего напряжения после демодуляции. Здесь положительную роль играет инерционность, присущая резонансным системам и демодуляторам. Выбрав определенную добростность фильтра, можно от каждого сигнала частичных разрядов получить определенное количество затуха юших колебаний, т.е. размножить количест,. во поступивших импульсов в опред 1 еленное число раз. При этом согласуют также посгоянную времени демодулятора с периодом переменного напряжения.Таким образом, реализация способа предполагает последовательную схему иэ35 блоков; источник высокого переменного напряжения, полосовой избирательный усилйтель, усилительное пороговое устройство, которое пропускает...

Номер патента: 868525

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Пронин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, диэлектриков, полупроводниковых, слоев

...подключенного к отрицательному полюсу источника 4, заряд нейтрализуется и слой подготавливается для проведения следующего цикла. 1 ОПри непрерывном сканировании поверхности индикатор 8 регистрирует последовательность импульсов, возникающих в результате электростатической индукции заряда в цепи электрода 6. За счет выбора 15 длительности импульсов генератора 5 при постоянной скорости сканирования слоя 1 размеры заряженных участков выбирают сравнимыми с линейными размерами обнаруживаемых дефектов, поскольку при О этом обеспечиваются оптимальные условия для контроля всего слоя, выражающиеся в том, что необходимо осуществить минимум циклов для точного установления места расположения дефекта (в пределах 25 смещения, равного линейному размеру...

Номер патента: 873062

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Взятышев, Геппе, Долгов, Костромин, Романов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, параметров

...разом.Частотно-модулированный сигнал с выхода сверхвысокочастотного генератора 1 через волноводный тройник 2, измерительный тракт 4 поступает в диэлектрический волновод 11. Произ. водится плавная перестройка частоты сверхвысокочастотного генератора 1. В момент совпадения частоты генератора 1 с одной из резонансных частот резонатора 7 в последнем возникают колебания и на выходе детектора 5 появляется импульс, длительность которого зависит от добротности исследуемого резонатора, Импульс с выхода детектора 5 поступает на вход индикатора 6,синхронизация которого производится стробимпульсами. Строб- импульс с индикатора поступает на вход генератора 1, в момент поступления стробимпульса происходит срыв генерации. Экспоненциальная огибающая...

Номер патента: 879285

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Шмин

МПК: G01B 7/16

Метки: диэлектриков, констант, податливости, твердых, упругой

...6, а другой - с внешнимвысоковольтным электродом 7 и внут"ренними двумя. охранными. электродами8 и 9, и внутренним измерительнымэлектродом 1 О. Охранные электроды 4и 5 8 и. 9 в каждом конденсатореразмещены.по разные стороны. от измерительных электродов 6 и.10. Пары.электродов подключаются.в мостовуюсхему, образованную частями вторичной обмотки. трансФорматора 11, питаемого от источника 1 2. Нуль-орган 13служит для регистрации. баланса моста.Нагружение образцов 1 и. 2 осуществляется плитой 14.Способ определения. констант улругой.податливости. твердых диэлектриков реализуется. следующим образом(Фиг. 1 ).Один конденсатор. каждой пары.выполняют с внутренним высоковольтнымэлектродом 3, другой - с внешним высоковольтным электродом...

Номер патента: 885868

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Арсентьев, Бибишева, Второв, Полупанов, Черныш

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, листовых, параметров

...не требуется предварительного согласования высокочастотного тракта для компенсации волны . отраженной от подложки, при изменении толщины последней и величины поверхностного сопротивления контролируемой резистивной пленки. В результате повышается точность и производительность контроля, что позволяет испольэовать устройство в технологическом цикле изготовления микросхем, производя 100-ный контроль сопротивления тонких резистивных пленок, нанесенных на диэлектрические подложки. Формула изобретения Устройство для измерения параметров листовых диэлектриков, содержащее сверхвысокочастотный генератор, подключенный к нему облучатель исследуемого листового диэлектрика и отражатель, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности...

Номер патента: 885928

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Анисимова, Владыкина, Дерягин, Клюев, Михайлов, Топоров

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриков, заряда, поверхностного

...электрический заряд боль" ший, чем 1 О ССРЕ/см (310 ВКл/см ),при нахождении их в вакууме выше10 мм рт.ст . эмитируют поток электронов., При этом энергия 0 электронов,эмиттируемых заряженной поверхностьюобразца ограниченного размера, имеющего толщину т и диэлектрическую проницаемость (. ,определяется формулой ебо с сод Ьгде б - плотность поверхностного электрического заряда;ст - 8,85 ф 10Кл/Всм - электрическая постоянная;е - заряд электрона;д - расстояние от поверхностизаряженного диэлектрика довходной диафрагмы анализа.Способ реализуется следующим образом.Измерения проводятся а вакууме 10 -10 мм рт,ст. На некотором удалении от поверхности заряженного ди.Составитель А. КузнецовТехред Т.Наточка Корректор Г. Решетник Редактор Л. Горбунова...

Номер патента: 890571

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Братчик, Вишнякова, Швидко

МПК: H05K 3/00

Метки: диэлектриков, дублирования, фольгированных

...корпус 1, на котором размещены бобина 2 с фольгой, бобина 3 с диэлектрической пленкой с адгезивным слоем, механизм обогрева 4, поворотный кронштейн 5, на котором закреплен выполненный из размещенных на стержне металлорезиновых колед подающий валик 6 с набором гру. 3 8 зов 7 и подающий валик 8, а также намотоцный механизм 9. Меняя величину грузов 7, можно получить необходимое давление при дублировании.Устройство работает следующим образом.Фольга с бобины 2 и диэлектрическая пленка с адгезивным слоем с бобины 3 пропускаются между подающими валиками б и 8, причем предварительно при заправке лент в подающие валики 6 и 8 диэлектрическую пленку пропускают через механизм обогрева 1, а для удобства заправки валик 6 отводят от валика 8, для чего...

Номер патента: 894521

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Лущейкин, Подгорный, Шахматов

МПК: G01N 27/02

Метки: диэлектриков, диэлектрических, исследования, твердых, характеристик, ячейка

...ячейку из термостата, и измерятьодновременно легкодоступными измерителями толщину образцаНа чертеже показана ячейка, общийвид,Нижнее основание 1, соединенное спомощью теплоизоляционных несущихстержней 2 с верхним основанием 3,представляет собой каркас ячейки. Неподвижный потенциальный электрод 4закреплен на нижнем основании черезтемпературостойкие электроизоляционные втулки, Подвижный электрод 5 закреплен через шаровой шарнир на штокемикрометрического винта 6 и перемещается ручкой 7. Перемещение держателя8 с образцами 9 в ячейке осуществляется поворотным манипулятором 10, состоящим из пластин с захватом для образца, закрепленной на оси.Поворотный манипулятор вращается внаправляющей 11 над нижним основанием 1. Перемещение манипулятора...

Номер патента: 905317

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Воробьева, Логинова, Свиридов, Шевченко, Щукин

МПК: C23C 3/02

Метки: активирования, диэлектриков, поверхности, раствор

...комплексообразователя, рНраствора ъ 1,Рктивирование проводят при комнатной температуре. На поверхности диэлектрика, обработанной активирующим раствором, при облучении Уф-светом образуются частицы металлического висмута, которые каталиэируют осаждение металлов, 20При использовании предлагаемого раствора обезжиренную и высушенную поверхность диэлектрика (стеклотекстолит, гетинакс, полиметилметакрилат, ткань, целлофан, бумага и др,) П обрабатывают в составах согласно с примерами 1-7, представленными в табл, 1.Для улучшения смачиваемости поверхности к указанным составам могут быть Зо добавлены поверхностно-активные вещества, например ОП, ОПи др. Рктивированная поверхность после сушки экспонируется УФ-светом (Л 400 мм),...

Номер патента: 907423

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Баранов, Беляев, Гржехник-Жуковский, Никитин, Потапов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, неразрушающего

...характеризует положение главных осей анизотропии контролируемого образца 32, При совпадении вектора напряженности поля Е излученной волны с одним из главных направлений анизотропии в блоке 31 регистрации амплитуды наблюдается прямая (горизонтальная или вертикальная) линия, так как в этом случае отраженная волна представляет собой линейнополяризованную волну и положение вектора отраженной волны будет совпадать с вектором Е падающей волны. Такил образом, угол наклона прямой линии в блоке 31 регистрации амплитуды характеризует положение главных осей анизотропии относительно ориентации вектора Ео падающей волны, Помимо амплитудных изменений составляющих отраженной волны между ними и составляющей падающей волны существует разность фаз, с...

Номер патента: 907590

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Александрова, Безрукова, Борисова, Зайцев, Киян, Пономарев, Рубежов

МПК: H01B 3/40

Метки: диэлектриков, связующее, слоистых

...ме таллизации - металлоорганическое соединение переходного металла и органический раствори- тель, дополнительно содержит комплекс трех. фтористого бора с бензилдиметиламином, в фторированный ацетилацетонат перехочно сметалла.После приготовления лакового растворапроводят пропитку стеклоткани или бумагис целью получения слоистых диэлектриков,Примеры изготовления связующего приведены в табл. 1.Металлизирующая способность, негорючесть и тангенс угла диэлектрических потерьдиэлектриков (тяб) на основе предлагаемыхсвязующих приведены в табл. 2,Использование предлагаемого связующегопозволяет получать негорючие слоистые ди.электрики, способные металлизироваться химическим способом,Известные способы придания полимернымкомпозициям свойства...

Номер патента: 911138

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Амельченко, Демидов, Ериванов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектриков, толщины

...в .толщине, но и измерение толщины материалов:911138 Формула изобретения Составитель Л. Гуськоведактор И. Гунько Техред Т.Иаточка Коррека е аказ 1095/21 ж да ком и и о 113 ская614рственногозобретенийИ, Рауш Подписноетета СССРкрытийнаб д 4/5 Тира ВКИиПИ Госу по делам 035, Москвалиал ППП "Па г, Ужгород, ул. Проектная,Ка чертеже приведена принципиальная схема устройства.Устройство содержит трансформаторный мост 1 с обмотками 2 и 3 и включенным в него трехэлектродным конденсатором с общим электродом 4 и измерительными электродами 5 и 6. Контролируемое диэлектрическое изделие 7 располагается на поверхности одного из измерительных электродов 5, В измерительную диагональ моста включен индикатор 8. Схема питается от источника 9...