Способ соединения диэлектриков

,РЕСПУБЛИК 38268 АЗ 3 С 27/08 У АРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНО Д МСТВО СССРС АТЕНТ СССР) 5) ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К ПТЕНтехн ческого (72) .БМусин (73) Научнотех ического (56) атент В С 0 С 27/00 (54)СПОСОБКОВ,1 (21) 950243/33 (22) 7,06.91 (46) 0.08.93, Бюль 32 . (71) Научно-исследовательский институт стеклаи В,Ф.Солиновисследовательский институтстеклаеликобританииМ 1555154, кл.1979,СОЕДИНЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИ. Изобретение относится к соединению диэ ектриков - стекол, ситаллов, монокриста лов синтетического кварца и лейкосапфи а и может быть использовано в опт ческом, электронном приборостроении и вквантовой электронике для получения нерезъемных, виброударопрочных, термостоких, герметичных соединений.Известен способ соединения диэлектриков, включающий нанесение на соединяем е поверхности пленок из металла, раз ещение между пленками металлическо детали и прикладывание к деталям нагрузки, достаточной для увеличения площади поверхности металлической дета лирезультате пластической деформации, прЦчем металлическую деталь нагревают,Наиболее близким к предложенному является способ соединения диэлектриков, вкл)очающий нанесение на одну из соединяем 1)х поверхностей. пленки алюминия. кон(57) ИСпользование: в оптическом, электронном приборостроении и квантовой электронике для получения неразъемных виброударопрочных,термостойкий герметичных соединений, Сущность изобретения. Способ соединения диэлектриков включает размещение между соединяемыми поверхностями металлической пленки, контактирование поверхностей соединения, деформацию пленки, воздействие на сборку электрическим током. а затем нагрев. 1 табл,тактирование поверхностей соединения, нагрев и воздействие электрическим током с приложением потенциала, одновременно на наружные поверхности деталей (1).Недостаток способа - ограниченная область применения (для стекол/или ситал- д лов), исключающая возможность получения р качественного, стабильного соединения высокотемпературных диэлектриков различного класса - лейкосапфира, керамики, кварцевого стекла и низкотемпературного ЬР монокристалла синтетического кварца, и (Ь также низкая прочность и нестабильность ОС 1 вследствие нестабильности. процесса соединения из-за нестабильности свойствповерхностей соединения пленки и диэлектриков, что снижает выход годных. Целью изобретения является повышение качества соединения и выходы годных,расширение области применения, 1838268Поставленная цель достигается тем, что в способе соединения диэлектриков, между соединяемыми поверхностями размещают металлическую пленку, осуществляют деформацию металлической пленки, затем воздействуют электрическим током, после чего производят нагревЭто позволяет получать качественные высокостабильные по прочности, термостойкости и герметичности соединения широкого круга материалов - стекол, керамики, лейкосапфира, ситаллов и моно- кристаллов синтетического кварца между собой и друг с другом за счет достижения более полного. физического контакта и протекания химического взаимодействия в твердой фазе однородного по всей деформированной поверхности пленки при нагреве, вследствие более равномерногораспределения электрического потенциала притяжения за счет уменЬшения зазора между вершинами микронеровностей поверхности металла и диэлектрика. Это также снижает величину требуемого для соединения потенциала при воздействии электрическим током и позволяет получить соединения диэлектриков с более шероховатой поверхностью. Таким образом расширяется область применения способа, за счет расширения круга применяемых материалов.Способ соединения осуществляют следующим образом.Между соединяемыми поверхностями диэлектрических деталей размещают металлическую пленку, например, алюминий, деформируют пленку, подают потенциал и .воздействуют электрическим током, включают нагрев до температуры ниже температуры плавления металлической пленки до .получения соединения, после чего прекращают нагрев и воздействие электрическимтоком.После соединения определяют герметичность на течеискателе, например СТИ, нагревают до температуры соответствующей температуре нагрева при соединении, выдерживают 2 ч и снова определяют герметичность после охлаждения до комнатной температуры, повторяяэти операции 2 раза. После этого охлаждаютсоединения до ( - 80 С) выдерживают 24.,доводят до комнатной температуры и снова5 определяют герметичность.П р и м е р 1, Изготавливают цилиндрические образцы из ситалла и/или кварцевого стекла со сквозным отверстиемдиаметром 2 мм на одном из них, размеща 10 ют между поверхностями соединенияпленку металла, например, алюминий,проводят деформацию пленки, подают насборку потенциал 400 В и воздействуютэлектрическим током, проводят нагрев при15 температуре ниже температуры ее плавления, отключают нагрев и прекращают воздействие током. После охлаждения докомнатной температуры определяют герметичность на течеискателе, например СТИ 20 11.В остальных примерах. варьируют соединяемые диэлектрики и параметры процесса.Результаты экспериментов и испытаний25 приведены в таблице,Предлагаемый способ соединения диэлектриков позволяет повысить качество истабильность процесса соединения по сравнению с известными, что увеличивает выход30 годных и расширяет область примененияспособа для материалов различного класса.Это позволяет повысить надежность и долговечность работы изделий и открывает возможность создания принципиально новыхЗб изделий с улучшенными характеристиками,ФФормула изобретенияСпособ соединения диэлектриков,включающий сборку деталей с размещени 40. ем между соединяемыми поверхностями ихметаллической пленки, нагрев и воздействие на сборку электрическим током, о т л и-ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышениякачества соединения и выхода годных изде 45 лий, расширения области применения способа, перед воздействием электрическимтоком осуществляют деформацию металлической пленки, после чего производят нагрев сборки.г1838268 Редактор ако Заказ 2898 . Тираж. . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ород, ул. Гагарина, 10 но-издательский комбинат "Патент оизво Составитель С. Бел Техред М,Моргентау овэ Корректор Й. Кешел