Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 1629920

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Бурнягин, Джимиев, Косневич, Кротов

МПК: H01B 3/20

Метки: диэлектриков, жидких, повышения, прочности, устройствах, электрической, электротехнических

...среднего уровня пробивного напряжения и обеспечивают выдачу сигналов на сравнивающее устройство 25, Формирующее выходной сигнал, пропорцио дальныйЕпр.п Епр,п Е пр,огде Е, - электрическая прочностьнеомагничецной жидкости(исходный уровень);Еи - электрическая прочностьжидкости после магнитнойобработки;п = 1, 2, 3Указанный сигнал поступает ца регулятор 26 скорости потока. В зависимости от поставленной задачи (получение максимального или заданного превышения напряжения пробоев относительно исходного уровня) может быть предложено два варианта структуры регулятора 26 потока,В первом случае в структуру регулятора 26 входит запоминающее и ариФ. - метическое устройства для вычисления разности ДЕ и +, - ДЕ з . Если эта разность...

Номер патента: 1647465

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Матуолис

МПК: G01R 1/40, G01R 29/12

Метки: вакууме, газах, диэлектриков, электризации

...приводящейстержень 1 в возвратно-поступательное 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 движение. В указанный промежуток времени срабатывает концевой выключатель 13 (фиг. 2 б), так как его орган управления - шток 14 сдвигается по стрелке И 1. В результате контакты концевого выключателя 13 замыкаются,В условиях, определяющих движение стержня 1 (фиг. 2 б) вверх по стрелке М 1, верхняя плоская часть стакана 20 достигает уровня расположения консольного выступа 16, жестко закрепленного на корпусе устройства, пружина 21 начинает сжиматься и шток 19, а следовательно, и электрод 17 выдвигаются наружу, Когда стержень 1 находится вблизи верхней мертвой точки (фиг, 2 б), а верхняя часть стакана спускается ниже уровня горизонтальной части элемента 24...

Номер патента: 1656475

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Балашов, Зайчиков

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, листовых, параметров

...прямого и обратного сигналов через исследуемый листовой диэлектрик 9 осуществляется двухкратное измерение набега фаз в диэлектрике 9 в одной точке. приводящее к повышению точности измерений. Использование антенн 4 и 5 с круговой поляризацией поля позволяет избавиться от переотражений. 1 ил,Излучаемый генератором 1 немодулированныи сигнал поступает в плечо ра. вителя 2, в котором делится между пл а1 и И, и из плеча 11/ поступаетопорного сигнала, а из плеча 11 - наантенну 4, проходит через исследуемый ли- .стовой диэлектрик 9, принимается второй антенной 5 и поступает через модулятор 6 на второй короткозамыкатель 11. Отраженный от второго короткозамыкателя 11 СВЧ- . + сигнал, промодулированный по низкой частоте, переиэлучается...

Номер патента: 1658103

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Морозов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, параметров, формы, цилиндрической

...- 0-25 мм ГОСТ 6507-60.Способ измерения параметров диэлектриков цилиндрической формы осуществляют следующим образом,Через элемент 18 связи возбуждают в волноводно-диэлектрическом резонаторе, образованном цилиндрическим резонатором и диэлектрической втулкой 4, резонанс с колебаниями типа Н оД СВЧ- сигналом, поступающим от генератора СВЧ. Далее производят настройку волноводно-диэлектрического резонатора по измерителю добротности путем продольного перемещения поршней 6 и 7 влево или вправо от диэлектрической втулки 4 до положения, при котором собственная добротность О волноводно-диэлектрического резонатора имеет максимальное значение, при этом фиксируют расстояние от диэлектрической втулки 4 до торцовых поверхностей порш 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1672383

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, листовых, проницаемости

...исключения влияния на результат измерений толщины контролируемого диэлектрика.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства, реализующего способ измерения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков.Устройство содержит генератор 1 электромагнитного излучения, поляризатор 2,злучающую антенну 3,иелектрик 4, первую 5ые антенны, блоки 7 и 8ометрических параметррошедшей электромагнобработки,Способ реализуется Контролируемыи диэ ют под углом линейно-пол ной СВЧ, генерируемой прошедшей через поляри имодействия с контролируе 4 принимают с помощью 5 и 6 отраженную и проще 00 ныл волн н блов ( 11672383 нитные волны и с помощью измерительных блоков 7 и 8 измеряют эллипсометрические параметры отраженногоо и прошедшего...

Номер патента: 1688199

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Алейников

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриков, заряда, остаточного, положения, среднего

...сигнал может бытьусилен линейным усилителем и измеренрегистрирующим устройством (не показаны).Рассмотрим подробнее Физическуюсущность предлагаемого способа.Выберем ось х вдоль нормали кповерхности образца, а за начало отсчеЪта (х = Оу примем поверхность образ"ца, примыкающую к неподвижному электроду 1. Предположим, цто имеет местоодномерное рампределение заряда вобразце, т.е. объемная плотность заряда р (х, у, э) =(х) . Предположимтакже, что контактная разность потенциалов между электродами имеет нулевое значение. На практике это можетбыть реализовано, например., выборомоднотипных электродов. Будем считатьтакже, цто сопротивление внешнегопроводника 4 мало и изменение сигна-ла в проводнике успевает следоватьза изменениями положения...

Номер патента: 1689835

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Гайдукова, Капран, Мяшка

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, диэлектриков, поверхностей

...образом,ПП 1 устанавливают на объект, влажность которого меняется в процессе измерения, При наличии влажности ячейкизаполняются до соответствующего уровня,что соответствует градации О/1, 9/2 т.е, изначениям влажности. Если влажность перестала меняться, т.е. динамическая величина достигла фиксированного значения,срабатывает компаратор 6, В зависимостиот измеренного значения ЧЧ включается соответствующий канал д, где 1=1,2, - числовыбранных уровней,Чем меньше Юь тем больше т. На этовремя включается синхронизатор 8, который подает управляющий импульс на ключ11, и вход измерителя 4 закорачивается навремя сушкки ПП. Второй управляющий импульс запускает генератор 9 и лазернаяэнергия по световоду 10 под:.одится к сетке2. Под действием...

Номер патента: 1698724

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Белов, Бонч-Бруевич

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, жидких, состава

...иобласти дисперсии перекрываются незначительно. В большинстве случаев временарелаксации настолько близки, что областидисперсии перекрываются почти полностью, При этом однозначная интерпретациядисперсионных кривых становится практически невозможной.Цель изобретения - повышение чувствительности и разрешающей способностипри идентификации примесей с меньшей поСравнению с основным веществом проводимостью в жидких неполярных диэлектрикахи повышение точности определения концентрации таких примесей,На фиг. 1 приведены дисперсионные зависимости; на фиг, 2 - блок-схема устройства, реализующего предлагаемый способконтроля состава жидких диэлектриков,Способ реализуют следующим образом.Исследуемое вещество помещают в измерительный конденсатор и...

Номер патента: 1700098

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Александрова, Борисова, Желис, Панумис, Шлегерене

МПК: C23C 18/30

Метки: диэлектриков, металлизацией, поверхности, раствор, фотоактивации, химической

...1,-О("1Гое,:ЛНИЯ ОС,).ДВННОГО МедноО По(,рсТ 11: 8 11 Э 3)8 К 3 К 1)СОСВВЛЯЕГ В 6 рв(1.;,Е;,;1КГС/ ") О 8)СП);ВаеМО 6 ИЗВРСТНЫМ с 36 СТВГ 3 ОМ,ПрСдЛаГ 381 ЫИ( 3 3 С ., ),.)бОльшОЙ стабильност: о,6. 3 ОчтЯ и- ной рй Е,5) среде ег(3 сОк хр;.еьл 1ПРВКГ)8 СК 1 НеоРР 1) чн ";) Г) Р;Гп,Ис ВВС 1:О Ю-:- : 1" -РОбраз;етсЯ Осадах,Цс)рЛс) 1 ВГ)-Э0,13 Г/л, 3 1 ЯХе зтОЙОн цен 1"О)а,гг 16 Г);.;ЧИВаеТСЯ СПЛО 331 ОГГГ. 1,.:1 У(а, 1 СТИХ 6 ЦеВе Р Н Е ГО П 13 8 а ел а К .сНс ) ) ", ); С 3 Л Ис У11) ЛИМИТЯРУ 8 СЯ 68 РсС Г)3 КХ;С Ь 3Млн 1 иа(1 ьной 1 онце.траКой соли м -; -ДЯ (В П 8 РВСете На 1)Е 1)чл, 8 Ц 8 ОООСГ 6 ЧИВаоьдей сплошность рисуГка, Явлвегс, 1,.;Г/Л, ВОРХЮ, П 38 Д(3101. ХОСНТРаИ СО"ЛИ Г)1 ев) В п,ссц;:.та .)с о) 3) 3 .,считать 5,- Г/л. ПОН...

Номер патента: 1709556

Опубликовано: 30.01.1992

Автор: Сосунов

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, камера, свч-нагрева

...Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениями открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 Изобретение относится к.устройствам сверхвысокочастотного нагрева и сушки веществ, обладающих диэлектрическими потерямй в диапазоне СВЧ.Цель изобретения - улучаение равно мерности нагрева, а также ослабление взаимной связи между элементами возбуждения.На чертеже приведена конструкция камеры для СВЧ-нагрева дйэлектриков. 10Камера для СВЧ-нагрева диэлектриков содержит два отрезка волновода, выполненных в форме пирамидальных рупоров (ПР) 1 и 2, соединенные между собой раскрывами больших сецений, элементы воз-. 15 буждения, выполненные в...

Номер патента: 1725172

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Бобков, Боброва, Бородин, Тарабанов

МПК: G01R 31/16, G02B 27/00, H05K 13/00 ...

Метки: диэлектриков, испытания

...узла 12 врезается в испытуемый диэлектрик 6, и в зависимости от сопротивляемости механическому воздействию отрезаемой части испытуемого материала подается соответствующий сигнал на вторичный прибор(не показан),Узел 14 испытания диэлектрика на технологический изгиб может быть выполнен в виде тарированной полусферы, встроенной в один из заземленных электродов 3, В исходном состоянии перед испытанием колец испытуемого образца диэлектрика опирается на эту полусферу и отгибается на заданный угол. При сжимании электродной системы в районе полусферы конец образца начинает слегка прогибаться, Отклонение от заданного угла отгиба фиксируется датчиком 15, например тензодатчиком линейных перемещений.Регулируемые упругие подвески 10 могут быть...

Номер патента: 1727215

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Егоров, Удалов

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, нагрева, свч-камера

...выполнены также продольные разрезы 26. СВЧ-энергию воз буждают в ОПВ 1, в котором размещаю( нагреваемый диэлектрик. Паразитное излучение через продольный разрез 3 попадает в ОПВ 4, из которого имеет место паразитное излучение через продольный разрез 6.2 ил. новода 4 в середки разъемная каку (см. фиг. 2).СВЧ-камера для нагрева диэлектиков работает следующим образом,В камеру, отключенную от генератора (на чертеже не показан) со снятой крышкой 5 в волновод 1 помещают диэлектрик, подлежащий обработке, Закрывают крышку 5 и включают генератор, Максимальный уровень паразитного излучения имеет место через разрез 3, расположенный в узкой стенке, Это излучение, попадая в дополнительный волновод 4, возбуждает основной гип золны, которая имеет...

Номер патента: 1250106

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк, Ракитин

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектриков, механической, полупроводников, прочности

...регистрации электромагнитного излучения (ЭМИ), усилитель 2 сигнала, лавер.измеритель 4 энергии лазерного излучения, фокусирующую линзу 5,заноминающий осциллограф 6, образец7 (исследуемый материал); генератор8 задержанных импульсов. При измерениях прочности материалов использовали рубиновый лазер, работающий в.режиме модулированной добротности,В этом режиме излучался импульс длительности=30 нс. Лазерное излучение фокусировали на поверхностьисследуемых материалов фокусирующейлинзой 5 с фокусным расстоянием.Р - 1 О ом. В процессе облучения измеряли энергию каждого импульса изме-рйтелем 4 лазерной энергии ИКТН,Все измерения проводили на воздухепри комнатной температуре. Канал регистрации электромагнитных импульсовсостоял иэ емкостного...

Номер патента: 1737327

Опубликовано: 30.05.1992

Автор: Крылов

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, параметров, сверхвысоких, частотах

...резонатора.В данном устройстве длина резонатора фиксируется неподвижной скобой, а операция введения образца в резонатор выполняется с точностью не хуже, чем воспроиэводимость винта, с помощью которого определяется изменение резонансной длины резонатора;Однако при использовании такого устройства для частотных методов измерения параметров диэлектриков невоспроизводимость разъема при введении испытуемого образца вносит дополнительную погрешность измерения.Цель изобретения - повышение точности измерения,На чертеже показано устройство для измерения параметров диэлектриков, общий вид.Устройство для измерения параметров диэлектриков состоит из цилиндрического резонатора 1 с волной Нов, ограниченного с одной стороны неподвижной торцовой стенкой...

Номер патента: 1741088

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Литовченко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, измерительная, параметров, свч, ячейка

...НО 1 без дополнительн ельнои секции рез ния. МГц;резонатора с волной1 Х СЕКЦИЙ ную ячейку на поршень 5 помещают исследуемый образец 6 и снова настраивают резонатор с волной НО 1 на частоту измерения, Величину е вычисляют по изменению резонансной длины резонатора с волной НО 1, а величину щд - по изменению (уменьшению) коэффициента передачи, Если величина тцд оказывается настолько большой, что точная настройка резонатора с волной НО 1 на частоту измерения оказывается невозмокной, то вычисляют г: и таад приблизительно, затем определяют общую длину дополнительных секций резонатора по фор- муле где т - длина исходной измерительной ячейки в полуволнах,выбирают количество 1 дополнительных секций резонатора, задавая длину каждой дополнительной...

Номер патента: 1746329

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Зайцев, Новикова, Цугленок

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, емкостная, параметров, экспрессного, ячейка

...тем, что в металлическом корпусе дополнительно установлены секторная направляющая, секторный ограничитель с фиксирующей стопорной гайкой, секторные диэлектрические втулки, причем электроды выполнены коаксиальными и закреплены в секторных диэлектрических втулках, а шнек выполнен коническим.На чертеже представлена емкостная ячейка для эксп рессного контроля параметров диэлектриков, общий вид.Емкостная ячейка состоит из металлического корпуса 1, внутри которого расположен конический шнек 2. С узкой стороны конического шнека 2 на валу установлены последовательно секторная направляющая 3, три секторные диэлектрические втулки 4-6, секторный ограничитель 7, На. среднюю диэлектрическую втулку 5 насажены коаксиальные электроды 8 и 9, которые...

Номер патента: 1748294

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Бухарин, Завадцев

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, камера, резонаторная, свч-нагрева

...изображена предлагаемая резонаторная камера для установки СВЧ-нагрева диэлектриков.1 О Резонаторная камера содержит кор-.пус 1,в виде прямоугольного параллелепипеда, узел ввода СВЧ-мощности2, входную 3 и выходнуютрубы;перемещения через полость корпуса 1 1 диэлектрика 5.Резонаторная камера работаетследующим образом.Узел ввода СВЧ."мощности настраивается на критическую связь подво дящей линии с резонаторной камеройс диэлектриком внутри. Иа чертежеизображен щелевой узел ввода мощности с подачей СВЧ-мощности попрямоугольному волйоводу. Узел ввода 25 мощности может быть выполнен и петлевым с подачей СВЧ-мощности покоаксиальной линии. При подаче СВЧ-мощности через узел ввода 2 в корпус 1 в последнем возбуждаются колебания вида Е,1, имеющие...

Номер патента: 1762202

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Пасичный, Трефилов, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...антенны 6 и со входом фазометра 9 низкой частоты, выход которого соединен со входом регистратора 10, ходовой винт 11 с двумя резьбами, на которых закреплены держатель 12 образца 13 и приемные рупорные антенны 4 и 6, фотоэлектрический пирометр 14, ряд термопар. заделанных на различной глубине от нагреваемой поверх 17 б 220210 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ности, последняя из которых расположена на теневой границе образца,Термопары ориентированы перпендикулярно вектору электрического поля и на чертеже не показаны.Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков в условиях высокотемпературного динамического нагрева работает следующим образом,Двухпрофильное зеркало 1, периферическая часть которого имеет...

Номер патента: 1762265

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Литовченко, Пасичный, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...ходовой винт .0 на котором закреплены держатель 11 образца 12, являющийся одновременно держателем вакуумной камеры, образованной углеродным диском 2 и кварцевым колпаком 13, вакуумный насос 14, фотоэлектрический пирометр15. затвор 16,Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков работает следующим образом. Источник 5СВЧ - сигнала, представляющий собой свип-генератор, вырабатывает переменный по частоте и постоянный по мощности СВЧ- сигнала, причем частота сигнала меняетсяпо пилообразному закону. Указанный сигнал с выхода источника 5 подается на вход открытого отражательного резонатора 4. Образец 12 исследуемого диэлектрика помещается вплотную на зеркало 2 отражательного резонатора 4 и при одновременном...

Номер патента: 1763434

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Буданова, Ермилов, Нургалиева

МПК: C04B 41/88, C09K 13/02

Метки: диэлектриков, меднением, поверхности, химическим

...в среде 3 МаС в течение 10 - 15 суток,Время травления во всех опытах 10 мин, температура комнатная, толщина покрытий постоянна - 10 мкм.Контрольные исследования с травителем, выбранным в качестве прототипа, даже при оптимальном (т.е, предлагаемом авторами) содержании ингредиентов приводили к получению после химического меднения неравномерного, матового, шероховатого покрытия с адгезией не выше 10 кг/см и выдерживающего агрессивную среду (3 МаС) не более 12 дней.Коррозионные испытания проводились выдержкой образцов в 3 растворе хлорида натрия при переменном погружении образцов в раствор при комнатной температуре и оценивались визуально. Появление точечных дефектов, т.е. очагов коррозии, считали ее началом.Установлено, что выдержка...

Номер патента: 1763961

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бабанских, Проскуряков

МПК: G01N 27/00

Метки: диэлектриков, поляризованности, полярных, типа

...Вн, включенное параллельно образцу, дополнительно воздействуют на образец импульсом всестороннего сжатия (ЛР), определяют направление тока нагрева Т 1 и тока сжатия 12 и при совпадении направления тока нагрева, тока сжатия и электрического поля регистрируют наличие сегнетоэлектрической поляризованности, полученной приложением электрического поля в полярной фазе, при совпадении направлений тока нагрева и тока сжатия и противоположном им направлении электрического поля регистрируют сегнетоэлектрическую поляризованность, полученную приложением электрического поля в неполярной фазе, при совпадении направлений тока нагрева и электрического поля при противоположном им направлении тока сжатия регистрируют ориентационную...

Номер патента: 1774237

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Лящук, Матвеев

МПК: G01N 22/02

Метки: градуировки, дефектоскопа, диэлектриков, изделиях, приповерхностных, расслоений

...которого установлены пластины различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того же материала, что и бездефектный образец, а зависимость коэффициента отражения от глубины залегания и толщины расслоения определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно,На фиг. 1 и 2 показаны схема одного из вариантов устройства, реализующего предложенный способ и пример годографов для типичного обьекта контроля.Устройство состоит из генератора СВЧ- колебаний 1, узла 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов, приемно-излучающей антенны 3, диэлектрической линзы 4, пластин 5 различной толщины, подпорок б, бездефектного образца 7, диэлектрической подложки 8, блока 9 регистрации....

Номер патента: 1774285

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бородин, Ведин, Калаев, Митрофанов, Поляков

МПК: G01R 27/22

Метки: диэлектриков, жидких

...16, остальных показателей - изоляторы 16 (соединенный с выводом 3) и 17,Устройство позволяет контролировать пробивное напряжение, тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическую проницаемость, удельное сопротивление и электропроводность жидких диэлектриков.Пробивное напряжение Опр (кВ) определяется как среднеарифметическое по результатам шести измерений.Тангенс угла диэлектрически: потерь определяется по формулет 9 д ( 19 д 1 - 19 дО ) С 1 Со С 1 Сп С 1 где с 1, тд д 1 -соответственно емкость и тангенс угла диэлектрических потерь при заполнении межэлектродного зазора устройства контролируемой жидкостью;СО, 19 до- соответственно емкость и тангенс угла диэлектрических потерь при заполнении межэлект родного зазора устройства...

Номер патента: 1774526

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дымшиц, Мамонтов, Мицкис, Пчельников

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, плоских, термообработки

...другого соседнего проводника.На фиг.1 представлено сечение предложенного устройства; на фиг. 2 - вид А на фиг.1; на фиг. 3 - зависимости замедления и электромагнитной волны от частоты 1,Устройство содержит металлическую камеру 1 с коаксиальным вводом 2 электро 1774526магнитной энергии, замедляющие системы 3 и 4, идентичные геометрическим размерам, но сдвинутые друг относительно друга в продольном направлении на половину периода. Входной конец замедляющей систе мы 3 соединен с внутренним проводником коаксиального ввода 2, а входной конец замедляющей системы 4 - со стенками камеры 1 перемычкой 5, Выходные концы замедляющих систем 3 и 4 соединены пе ремычками 6 и 7 со стенками камеры 1, Если генератор электромагнитных колебаний (на...

Номер патента: 1775686

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Крылов, Шатунов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...из генератора СВЧ-колебаний 6, приемноемого материала, нагреваемый потоком газа.Недостатком устройства является. большая разница между температурами газового потока и испытуемого образца, которая приводит к неоднозначности определения параметров диэлектриков из-за неоднородности и неравномерности прогрева образца, что снижает точность измерений.Целью изобретения является повышение точности измерения температурной зависимости параметров диэлектриков при высоких температурах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков, содержащее открытую СВЧ-систему, включенную между генератором и приемно-измерительным блоком, источник нагретого газа, и измеритель температуры...

Номер патента: 1780045

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Балашов, Зайчиков

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, листовых, параметров

...анализ с протогипом показывает, что заявляемое устройство соответствует критерию новизны,На чертеже приведена структурная схема предлагаемого устройства,Устройство состоит из СВЧ-генератора 1 шума, четырехплечего 3-х дБ раэвгтвителя 2, измерителя 3 корреляционной функции ,первой и второй антенн 4 и 5, модуятора 6, первого короткоэамыкателя ", фа, овращателя 8, второго короткоэамыкат,я 9, генератора НЧ 10, исследуемого диэлектрика 11,Устройство для измерения параметров листовых диэлектриков работает следун. щим о.разсм,Из учаемый СВЧ-генератором шума немодулированный сигнал поступает а плечо 1 разветвителя 2, в коором де ".т., межДу плечамии (У, и иэ плеча "/ посула в трак- опорного сигнала, а "э пле аь тракт измерительного...

Номер патента: 1783548

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Трель

МПК: G06G 7/25, G06G 7/48

Метки: гистерезисных, диэлектриков, магнетиков, моделирования, характеристик

...2 соответственно по первому и второму его входам; соответствующего намагниченности (е) = Хз(с) моделируемого элемента из магнетика.С выхода первого интегратора 6, служащего первым выходом устройства 16 по второму параметру Хг(1) = Н(т), сигнал поступает на первый вход третьего сумматора 3. С выхода второго сумматора 2 сигнал Хз(т) = (т) поступает на информационный вход второго интегратора 7, вход первого инвертора 4 и вход блока выделения модуля 13,:с вйхода которого сигналХз(1) .= (т) поступает на первый вход первого блока умножения 8. С выхода второго интегратора 7 сигнал Хз(1) = (1) поступает на второй выход устройства 17, вход второго инвертора 5 и первый и второй входы второго блока умножения 9, с выхода которого сигнал Х 4 (т) = 2...

Номер патента: 1794285

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Железняк, Комаров, Яковлев

МПК: H05B 6/64

Метки: волноводная, диэлектриков, камера, термообработки

...подвергнуты равномерной и высокоэффективной термообработке, как за счет материалов в различных физических состояниях, так и за счет диэлектриков с резко меняющимися значениями проницаемости в рабочем диапазоне температур; при этом возможно снижение расхода металла на изготовление самой камеры.Указанная цель достигается тем, что в волноводной камере для термообработки диэлектриков, содержащей отрезок волновода, состоящий из первой и второй металлических труб прямоугольного сечения, широкие стенки которых параллельны, а узкие расположены в одной плоскости, в узких стенках первой и второй металлических тоуб, расположенных в однои иэ плоскостей, выполнены прорези по всей длине, соответствующие кромки которых соединены металлическими...

Номер патента: 1798090

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Вологдина, Ганюченко

МПК: B23K 26/00

Метки: диэлектриков, лазерной, лэтган

...и контроля плоскости поляризации с регулируемой скоростью, а также блок 3 фокусировки и перемещения пучка по детали 4 и блока 5 установки начального угла поляризации излучения относительно обрабатываемой поверхности и его поддержания (синхронизации) в ходе обработки. Лазер может быть с непрерывным или импульсно- периодическим режимом генерирования излучения. Длина волны лазерного излучения выбирается, исходя из требований к чистотенапример, из узла 9 синхронизации (механической, с использованием зубчатой передачи, или электрической, с использованиемдвух электрически связанных синхронныхприводов ) скорости вращения узла б и зеркала 8. Начальную установку напаравленияплоскости поляризации относительно плоскости паденияизлучения...

Номер патента: 1800334

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Литовченко, Шатунов

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, нагреве, открытый, параметров, резонатор

...5, состоящий из рефлектора 6 и нагревательного элемента 7, Плоское1800334 40 45 50 55 зеркало 2 соединено с узлом настройки 8. Кольцевой нагреватель 5 расположен между сферическим 1 и плоским 2 зеркалами таким образом, что его излучение, отраженное от сферического зеркала 1, практически полностью попадает на поверхность образца 4 (ход лучей показан на чертеже стрелками), а внутренний диаметр кольцевого нагревателя на 20-40 С превышает диаметр каустической поверхности 9 в месте расположения нагревателя, Расстояние между раскрывом рефлектора 6 и сферическим зеркалом 1 составляет 20 - 45радиуса кривизны зеркала 1. Термопары 10 и 11 установлены с двух сторон образца в контакте с его нижней и верхней поверхностями.Работает резонатор...