Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 920498

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Баженов, Милосердов, Митькин

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, диэлектриков, сопротивления, удельного

...формы, полость которого заполнена жидкой проводящей средой 3 через отверстие 4. Другое отверстие 5 предназначено для выхода воздуха при заполнении объема наконечника жидкой проводящей средой.Охранный электрод выполнен в виде постоянного магнита 6 с.наконечником, образованным двумя ферромагнитными кольцами 7, объем между которыми также заполнен жидкой проводящей средой через отверстие 8. Отверстие 9 предназначено для выхода возууха, Измерительный электрод выполнен в виде немагнитного полого металлического стакана 10, например из алюминия, в котором установлены два полых цилиндра 11 и 12 и стержень 13, являющиеся постоянными магнитами. Полярность внешнего полого цилиндра. 11 и стержня 13 противоположны полярностям...

Номер патента: 921127

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Болдырев, Ломовский, Маккаев, Михайлов

МПК: H05K 3/18

Метки: диэлектриков, металлизации, раствор, электрохимической

...а также снижение концентрации15 компонентов раствора. При этом йовыша" ется качество наносимого слоя и выход годной металлизированной продукции.П р и м е р 1. Для нанесения активного электропроводного .слоя на поверхности отверстий платы из стекло- текстолита обезжиривают в водном раст. воре стирального порошка "Новость", промывают водой и погружают в раствор р 5 следующего состава, г/л:Сульфат меди 110Гипофосфит натрия 100Аммиак 150фосфат натрия30Фторид аммония Плату в растворе выдерживают. 3 мин, извлекают из раствора и проводят термообработку при 110"С в течение 10 55 мин.После термообработки плату с нанесенными на поверхности отверстий активным электропроводным слоем погружают в электролитическую ванну меднения следующего...

Номер патента: 926065

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Калиниченко, Саранов, Соловьева

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриков, кобальтирования, раствор, химического

...процесс осаждения при 30 ОС. Получаемые Со-Р покрытия однородны, подложка не имеет непокрытых участков. Постоянство скорости роста кобальтовой пленки позволяет получать покрытия заданной толщины, Использование в растворе вместо сульфосалициловой кислоты ее солей при поддерживании одинакового значения рН не отражается на скорости кобальтирования или качестве покрытий,Пример,10,7 10,5 9,5. 40 30 20 0,5 0,3 1,0 3,6 1,7 0,3 Формула изобретения 0,05-0,50 3 92606 при комнатной температуре, По указанным причинам из сульфосалицилатных растворов при комнатной температуре на поверхности диэлектриков осаждается без индукционного периода одно- родное кобальтовое покрытие, причем скорость кобальтирования не уменьшается в ходе роста покрытия....

Номер патента: 930759

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Белоусов, Генералова, Кузовой

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, камера, коаксиальная, термообработки

...диэлектриков внутрь радиопрозрачного стакана, соосно ему введен дополнительный радиопрозрачный стакан собразованием между ними зазора для буфер.ной жидкости, при этом дно дополнительногорадиопроэрачного стакана отстоит от внутреннего проводника отрезка коаксиала на расстоянии четверти длины волны в свободномпространстве,На чертеже представлена конструкция прВ.ложенной камеры,Камера содержит отрезки коаксиальной линии 1, конусный наружный проводник 2,радиопрозрачный (фторопластовый) стакан3, внутренний проводник отрезка коаксиала4, крьппку 5, дополнительный радиопрозрач.ный стакан 6, буферную жидкость 7, обрабатываемый диэлектрик 8, фторопластовуюпробку 9,20 Фторопластовая пробка 9 прижимает с помощью крышки 5 раднопрозрачный стакан...

Номер патента: 932429

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Бахтизин, Гоц, Елизаров, Смирнов, Сушко

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриков, зарядов, измеритель, плотности, поверхностной

...поля диэлектрика 14 одно мгновенное значение (й), Для включения стробоскопического детектора 3 на "запоминанием служит цепь опорного канала. В качестве датчика опорного сигнала используется Фототранзистор 7, расположенный вблизи лампы 8 накаливания, свет кото рой модулируется за счет вращения диска 5; Опорный сигнал с коллектора Фототранзистора 7 поступает на вход блока 11 задержки, в котором осуществляется задержка одного опорного сигнала в пределах полупериода модуляции, С блока 11 сигнал поступает через формирователь 12 на управляющий вход стробоскопического детектора 3 и запускает его, На выходе пог. следнего сигнал регистрируется регистратором 4, например, вольтметром постоянного тока. Путем регулировки блока 11 задержки...

Номер патента: 938202

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Айзенберг, Бурлакин, Захаров, Иванов, Кипнис, Ручкин, Скрипник

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, емкости

...которого используетсявыходное напряжение интегратора 15,и входным сигналом, пропорциональнымразносттт частогво иуочастота опорного генератора 2 перестраивается засчет изменения емкости варикапа дотех пор, пока не будет выполнено условие (йо = Юо = и/о . Таким образом, режим коррекции измерителя состоит ввыполнении условия К = 1 (в определенный такт работы коммутатора 5 и второго автоматического прерывателя 14). мерительного автогенератора асимметрич- О но относительно частот Ж 2 и Ф опорного автогенераторв ввиду сложности подбора величины бвластного конденсатора. Поэтому существует коэффициент асимметрии К, равный отношенито разностных2 частот (Ю"(юо и характеризующий взаимное расположение частот автогенераторов на частотной оси....

Номер патента: 947924

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Дашук, Комаров

МПК: H01J 9/38

Метки: дегазации, диэлектриков

...направляет к диэлектрику поток высокоэнергетических заряженных частиц(электронов или ионов) возбужденных в зоне высокой напряженности электрического поля. Причем электроны в головке скользящего разряда могут за время движения из зоны разряда до поверхности диэлектрика приобретать энергию 1-10 кэв, даже при атмосферном давлении, т.е. насамых начальных стадиях откачки и в процессе активной десорбции газа с поверхности диэлектрика.Напряженность электрического поля вблизи поверхностей диэлектрика 35 и плотность потока электронов при скользящем разряде значительно (на 2-3 порядка) выше, чем при традиционном способе дегазации тлеющим разрядом. 40Как и у всякого электрического разряда, скользящему разряду присуща фаза незавершенного разряда,...

Номер патента: 953600

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Моисеенко, Протасюк, Уваров

МПК: G01R 31/06

Метки: диагностики, диэлектриков, предпробойного, состояния, твердых

...диэлектрика на частотахК .где С - скорость распространениязвука в диэлектрике;1 - линейный размер диэлектрика;К - коэффициент пропорциональности,и опредиляют по характеру акустических колебаний состояние твердого диэлектрика.На чертеже представлено устройство для реализации предлагаемого способа,Устройство содержит исследуемыйтвердый диэлектрик 1, акустическийдатчик 2, усилитель 3 низкой частоты 20и осциллограф ).Работа устройства основана на регистрации с помощью осциллографа сигна, ла акустической эмисии диэлектрика всильном электрическом поле на частотах что является следствием предпробойного состояния диэлектрика. 30Устройство работает следующим образом.. Путем высокоэнергетической инжекции пучка ускоренных электронов...

Номер патента: 966584

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Ваксер, Житомирский

МПК: G01N 27/68, G01R 31/01

Метки: действию, диэлектриков, листовых, пленочных, разрядов, стойкости, частичных

...материала,Между образцом и подложкой размещаюттонкий фольговый электрод 5 диаметром3 - 4 мм. Испытательная ячейка оснащена уст.45ройством 6 для измерения частичных разрядов (фильтр высокой частоты) и выводом 7в схему регистрации частичных разрядов и от.ключения установки при пробое.Процесс измерения заключается в следующем.50Предварительно для каждого образца, отличающегося толщиной подложки и величинойиспытательного напряжения, определяют сред.ний ток частичных разрядов. 3. Подложкуберут из слюдосодержащего материала, диэлектрическая проницаемость которого Е = 4,0.Образец 1 устанавливают в ячейку, состоящуюиз игольчатого электрода 2 диаметром 0,2 4(в контакте или с зазором 0,1 - 0,3 мм) и плоского электрода 3, охлаждаемого водой,Между...

Номер патента: 966626

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Бахтизин, Гоц, Сушко

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриков, заряда, измеритель, плотности, поверхностной

...экранирования площади каж-.дого из пары упомянутых приемных электродов при вращении модулятора поля 50диэлектрика,Пары чередующихся основного идополнительного электродов установлены с образованием кругового кольца,соосного с металлическим диском 55модулятора, при этом угловые .размеры каждого приемного электрода равны1 ги, где И - число пар электродов(И = 1,2 ).На чертеже представлена блок-схе- б 0ма измерителя поверхностной плотности заряда диэлектриков.Измеритель содержит заземленный металлический диск 1 с выполненными в виде секторов прорезями 2, насаженный на ось синхронного электродвигателя 3. Каждый из пары упомянутых приемных электродов 4 выполнен ,в виде плоской металлической пластины, расположенной вблизи поверхности...

Номер патента: 974102

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Горшенев, Демидов, Ериванов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектриков, толщины

...схема устройства для контроля толщины диэлектриков, на фиг. 2 устройство, общий вид, на фиг, 3 разрез А-А на Фиг. 2.Устройство для контроля толщины 15 диэлектриков выполнено в виде трансФорматорного моста, в смежные плечи которого включены две вторичные обмотки 1 и 2 и емкостный преобразователь, содержащий два измерительных электрода 3 и 4 и общий электрод 5. . Первый измерительный электрод 3, на котором в процессе контроля размещается диэлектрик б, и общий электрод 5 выполнены в виде параллельно расположенных цилиндрических стержней. Второй измерительный электрод 4 выпол нен в виде разрезного по образующей цилиндра, размещенного концентрично общему электроду 5 и снабженного по линии разреза плоскими отгибами 7. Снаружи первого и...

Номер патента: 1002934

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Барабаш, Подгорный, Тумашик, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрических, исследования, твердых, характеристик, ячейка

...3 инижнего 4 оснований, соединенных теплоизоляционными стержнями 5, манипулятор 6, кассету 7 для образцов диэлектриков, укрепленную под верхнимоснованием 3 теплоизоляционную крышку 8, к которой через теплоизоляционные прокладки 9 прикреплен теплопроводящий тарельчатый экран 10, опирающийся краями на верхний край обечайки 11, установленной в термостат 12, в котором расположены также нагреватель 13 и центробежный вентилятор 14, Теплопроводящий экран 10 соединен степлоизоляционными стержнями 5 "плавающими" цангами 15, а стержни 5 по всей длине от места соединения с экраном 10 до нижнего основания 4 покрыты теплопроводящим материалом дляуменьшения теплового сопротивлениямежду экраном 10 и нижним основаниемс укрепленными на нем...

Номер патента: 1005167

Опубликовано: 15.03.1983

Автор: Кройтор

МПК: G09B 23/18

Метки: демонстрации, диэлектриков, поляризации, прибор

...одним концом с шариками диполей другого знака, а на другом конце снабжены шаровидными наконечниками, установленными в прорезях проводящей планки 3. На боковых стенках корпуса 1 установлены электроды 6 в виде,плоских дисков. Центры дисков и диполей находятся на одном уровне. Для проведения опытов клеммы 7 дисков через четырехполюсный переключатель подключают к полюсам высоковольтного выпрямителя с регулируемым напряжением (20 - 25 кВ), а клеммы 8 проводника планок подключают к полюсам того же источника, на которые подается постоянное напряжение (10 - 12 кВ).Алюминиевые шаровидные наконечники могут скользить вдоль прорезей проводящих планок 2 и 3, причем верхние могут фиксироваться зажимами 9, установленными на корпусе,Модель...

Номер патента: 1014977

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Колодкина, Руденок

МПК: C23C 3/02

Метки: активирования, диэлектриков, поверхности

...скорос-ти формирования и сцлошности каталити 35чески активного слоя на поверхностидизлектриков.Указанная цель достигается тем, чтов способе активирования поверхности диэлектриков перед химическим осаждениемметаллических, преимущественно медныхпокрытий, включающем обработку в растворе соли меди, промывку в воде и обработку в щелочном растворе гидразина,обработку в растворе гидразина прово 45дят до прекращения газовыделения на поверхности после чего поверхность дополнительно обрабатывают в щелочном растворе формальдегида.При осуществлении способа предварительно обезжиренную поверхность диэле "- трика обрабатывают аммиачно-глицериновым раствором хлористой меди, содержащем:Хлористая медь, г 50Глицери, мл 100Лммиак (26 гоо-ныйводный...

Номер патента: 1041922

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Захаров, Иванов, Папенко, Ручкин

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, измеритель, свойств, частотных

...преобразований коэффициента передачи измерительной ячейки 5 на вход амплитудного детектора 12 поступает амплитудно-частотно-модулированное напряжение (с двойной амплитудной модуляцией) с двумя модулирующими частотами Я и пЯ (Фиг.26), причем глубина амплитудной модуляции частоты пЯ при подключенИй обраэцояой емкости 9 (в один полупериод Л(Я) зависит только от неравенства ам-. плитуд напряжений несущих частот и, иМ, обусловленного неравенством выходных напряжений опорного и измерительного генераторов, и при под,ключении измерительной емкости 8с исследуемым материалом в другой полупериод 7 Р/Я) глубина амплитудной модуляции частоты пЯ зависит как от неравенства амплитуд напряжений несущих частот, .так и от не-. равенства импедансов...

Номер патента: 1045288

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Грицуляк, Гузеев, Заплатина, Комаровский, Миткова, Потапенко, Чижова

МПК: H01G 4/22

Метки: диэлектриков, жидких

...астиды. Филь рапия 111)х)опдиэепня Б касторОВОГО мясля ог таких цастнп затруднительна, последние 2 с сор)ров)3 Ба себя эаггзиение, остан)тся В ПРОПИГОЧЪй МЯССЕ и ВЬ 1 ЭЫВЯЮГ В КОПДЕПСЯ)0 ГЪХ .Ока)ЬГ) О ПЪОВОДМОГ. )ОЖИО ОЫЛО )Ь Гчси) ъ ); ) . 2 ътГэ Г,ле със к)2 лягвг ц 110)ьаи,с гчта)егся ;)Особпа) очипс ь проп 11"6, . га )"; , .,) т)ЪБДН)Е ИЛ Г.РЯИУЗ1 /похг)БЛЯ;,1,цогЪ)ъ Я гОО-В "ЧК))3 у " ГБ т)ЧЕБЪГГЧГЯ П1045 Таблица 1 т 93 трихлордифенила, % Размер частиц палыгорски СХОДНОГО таадпосле Сорбент послеочистки до после до очистки очистки очистки истки Палыгорскит с примесью монтмориллонита, обрабо танный полиамидоакрило До 1 м 0 05 До 1 мь 1 - 10 мм 0 мм 340 6 2,0 Т 8,0 0,25 нцузский сорбенки СВ - 140 1 мкм 05 мкм алыгорскит с...

Номер патента: 1049816

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Савченко

МПК: G01R 17/06

Метки: влагосодержаний, диэлектриков, малых, параметрический, сигнал, электрический

...изобретения - повышение точности измерениямалых влагосодержаний диэлектриков за счет увеличениячувствительности известного устройства.Эта цель достигается тем, что вустройство, содержащее измерительныймост, два смежных плеча которого содержат соответственно первый и второй резисторы,.смежное с вторымтретье плечо содержит параллельносоединенные третий резистор и конденсатор, а четвертое плечо содержиткварцевый резонатор и компенсационный элемент, первый и второй входыкоторого соединены с соответствующимивходами указателя и выходами детектора, первый и второй входы которогосоединены соответственно с первыми вторым выходами усилителя и первым и вторым входами фазоинвертора, первый и второй выходы которого соеди нены...

Номер патента: 1051456

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Захаров, Иванов, Папенко, Ручкин, Скрипник

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, измеритель, параметров, проводящих, сред

...11=2), измерительный датчик 8 с контролируемым объектом, образцовый датчик 9, вентили 10 и 11, второй коммутатор 12, интегратор 13, усилитель 14 постоянного тока и индикатор 15.Измеритель работает следующим образом.1 О1520 Пыходкые сигналы с коммутациокного 1 и высокочастотного 2 генераторовподаются соответственно на мопулкруюшкй и сигнальный вход моцулятора 3,где в результате их взаимодействияобразуе тся амплигупно-модулированноенапряжение, подаваемое в. качестве зонпкруюшего сигнала на измерительнуюячейку 5, Коэффициент преобразованиямодулятора 3 соглвсоввн с уровнем кесушего сигнала, в качестве которогослужит гармоническое напряжение частоты (,1 с выхода высокочастотного генерато.а 2, и с уровнем модулируюшего сигнала, в качестве...

Номер патента: 1060702

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Сырцова, Уханов, Шпаков

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриков, меднения, раствор, химического

...35где О; - депротонированный диоксин,)ИО - координкрованная молекула ткокарбамида,х - кислотный остаток, 40при следующем соотнсзяении компонен-.,тов, г/л: Раствор готовят следующим образом.Приготовленный отдельно раствор сернокислой меди вводят при перемешнвании в раствор сегнетовой соли; с едким натром, после чего раствор фильтруют и добавляют в него формалин и растворы стабилизаторы. Растворы стабилизаторов готовят путем растворения 1 г диэтилдитиокарбамата натрия в 100 мл воды и 1 г тиокарбамидсодержащего диоксимкна кобальта (111) в 100 мя воды, Совместное присутствие в растворе двух стабилизирующих добавок позволяет значительно повысить его стабильность по сравнению с раздельным использовани-, ем каждой из стабилизирующих...

Номер патента: 1012675

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Моисеенко, Протасюк, Уваров

МПК: G01R 31/12

Метки: диагностики, диэлектриков, предпробойного, состояния, твердых

...ионов из воздуха), т.е.вне образца поле отсутствует и разность потенциалов между. плоскимиэлектродами емкостного датчика равна О. Таким образом, датчик реагирует только иа Флуктуации внутреннего электрического поля. Время сохранения ПЗ в образце определяетсявременем диэлектрической релаксации.(2)1где 6 а - темновая проводимость, и для большинства диэлектриков составляет 10 - 10 С и более. Время спадания радиационноиндуцированной проводимости не превышает 10 4 с, т,е. поле в образце можно считать стационарным практически сразу после прекращения обчучения. Величина поглощенной дозы в процессе инжекции ПЗ не превышает 1 Мрад и не приводит к необратимым изменениям электрофизических свойств материала,1где С - емкость...

Номер патента: 1068536

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Бобровская, Воробьева, Гаевская, Рухля

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриков, никелирования, раствор, химического

...добавки содержит алкилбенэилдиметиламмонийхлорид при следующем соотношении компонентов, г/л:Никель двухлористый : 17-23Гипофосфит натрия 17-23Лимоннокислый натрийАлкилбензилдиметиламмонийхлоридВводимая в раствор поверхностно- активная добавка - алкилбензиддиметиламмонийхлорид структурной Формулы60представляет собой желто-коричневуюмаслянистую жидкость, хорошо растворимую в воде,Процесс никелирования в данномрастворе рекомендуют вести при 7080 С и рН 5-6 в течение 6-8 мин.Нри использовании раствора деталииз полиметилметакрилата обезжириваютв растворе, содержащем, г/л: М азРО15, К аСО 15 и ОП2, при 50 Св течение 5 мин, после чего промывают проточной водой и подвергаюттравлению в концентрированной сернойкислоте при комнатной...

Номер патента: 1078306

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Подгорный, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрических, твердых, характеристик

...две толщиныобразца, равно неподвижному электроду, позволяет повысить производитель 35 ность измерений за счет исключенияоперации перемещения образца из одного межэлектродного пространства вдругое. Такие размеры неподвижногоэлектрода необходимы для идентич 40 ности краевых емкостей обоих электродов, так как большее увеличениенеподвижного электрода нецелесообразно, например, если его края будутвыступать эа пять толщин образца,то это изменит краевую емкость лишь45 на ЗЪ, которыми легко можно пренебречь.Выполнение подвижных электродовтаким образом, чтобы контур одногоиз них был ограничен окружностью, а50 другого эллипсом позволяет повысить точность измерения за счет получения, при условии отсутствияострых углов в электродах, максимальной...

Номер патента: 1081511

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Жолобова, Зеленевский, Петрухин, Хагемейстер

МПК: G01N 27/02

Метки: влажности, диэлектриков, жидких

...точности контроля влажности жидких диэлектриков.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу контроля влажности жидких диэлектриков, заключающемуся в измерении пробивного напряжения исследуемого диэлектрика и определении влажности но зависимости от величины пробивного напряжения, на исследуемый диэлектрик воздействуют магнитным полем, вектор напряженности которого перпендикулярен к вектору напряженности электрического поля. 35На фиг1 показана схема устройства, иллюстрирующего использование предлагаемого способа; на фиг.2 представлены графики зависимости напряжения пробоя от влажности турбинного масла, где сплошными линиями ограничено поле разброса пробоя без воздействия магнитного поля, т.е. при Н = О, а пунктирными линиями...

Номер патента: 1095030

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Вайнблат, Ершов, Калиберов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектриков, плоских, толщины

...между контролируемым диэлектриком и электродами конденсатора инестабильностью его свойств вследствие изменений условий внешнейсреды, загрязнений и т,п,Цель изобретения - повышение точности контроля путем исключения влияния воздушных зазоров между диэлектриком и электродами конденсатора.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу контролятолщины плоских диэлектриков, заключающемуся в том, что помещаютконтролируемый диэлектрик междуэлектродами конденсатора, прикладывают к ним напряжение переменноготока и измеряют ток, протекающий че"рез конденсатор, по величине которого определяют толщину диэлектрика,повышают амплитуду приложенного напряжения до уровня, соответствующего ионизации воздушных зазоров, истабилизируют его на этом...

Номер патента: 1095101

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Валова, Захаров, Иванов, Папенко, Покалюхин, Ручкин, Федорина

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, многослойных

...работой прерывателя 17, В зависимости от состояния основных переключателей 9 - 9 внутренние электроды 7 -7 измерительного датчика 4 являются высокопотенциальными или низкопотенциальными. При этом электрическое поле, создаваемое комбинацией таких электродов, проникает в контролируемый объект на глубину, зависящую от расстояния между соседними высоко- потенциальным и низкопотенциальным электродами, Принимая во внимание указанное обстоятельство и толщину каждого из слоев 8 - 8+ контролируемого объекта, расстояние между 1-м и (1+ 1)-м электродами выбрано так, что создаваемое между ними поле проникает на глубину 3-го слоя, а для того, чтобы собственная емкость системы высоко- и ниэкопотенциальных электродов, образующейся при...

Номер патента: 1099255

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Александров, Алесковский, Сомсиков, Толстой

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированных, диэлектриков, исследования, пластин, поверхности, полупроводников, сверхтонких, слоев, спектроскопического

...направляют на пластину со слоем под угломас 1 ф о э,где нэ - показатель преломления пластины без слоя, и регистрируют многократно прошедшее через пластину со слоем излучение.Заказ 4365/37 Тираж 823 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патентф; г. Ужгород, ул. Проектная,4 соответствующую органическим загрязнениям. Промывают пластину СС 6, Я 0и вновь регистрируют спектр в выбранной области (полосы поглощения в области 2940 см"отсутствуют). Наоснове данных результатов удаетсясделать вывод об эффективности отсевки. П р и м е р 2. Пластину кремния диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм помещают в держателе на плато приставки к спектрофотометру...

Номер патента: 1104403

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Бершов, Брик, Ищенко, Матяш

МПК: G01N 24/10

Метки: диэлектриков, кристаллической, совершенства, степени, структуры

...диэлектриков, включающему регистрацию спектров электронного парамагнитного резонанса образца, проводят вторичную регистрацию спектров электронного парамагнитного резонанса при воздействии на образецвнешним электрическим полем, напряженность Е которого должна удовлетворятьусловию2 к т =0,6,30 к - постоянная Больцмана;Т - температура кристалла;с - дипольный момент,и по изменению интенсивности сигналовэлектронного парамагнитного резонанса,по сравнению с интенсивностью сигналов35 электронного парамагнитного резонансапри Е =О, находят Ло . - ширину функциираспределения внутренних электрическихполей, по которой из соотношения Еср=-определяют величину напряженности сред 40 него внутреннего электрического поля Еср,которая характеризует степень...

Номер патента: 1105792

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Гимельфарб, Ли, Лотоцкий, Орлов, Фатюшин, Фатюшина

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков, послойного

...поверхности диэлектрика слой, проводимость которого достаточна, чтобы обеспечить отток зарядов на проводящую пленку, не подвергающуюся ионному травлению. Применение напускаводорода в камеру образца позволяет проводить послойный анализ диэлектриков и композиционных материалов металл-диэлектрик,.при этом предел обнаружения элементов составляет 10 .ат,Ъ, а относительное стандартное отклонение, характеризующее воспроизводимость способа, равно 0,1. Кроме того, в предлагаемом способе нет ограничений по толщине исследуемых слоев.На фиг, 1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе Аб О,полученные при напуске и без найуска водорода.Способ реализуется следующим образом.П р и м е р 1, Послойное распределение элементов Ма и А в керамическом...

Номер патента: 1107035

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Геппе, Добромыслов, Костромин, Шермин

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, параметров

...через последовательно соединенные детектор и индикатор к входу сверхвысокочастотногогенератора, резонатор, размещенныйв криостате.с крьппкой, резонаторвыполнен в виде диска иэ исследуемого диэлектрика, установленногов криостате, на одном конце штанги,другой конец которой закреплен накрышке, а к свободным концам измерительного тракта подключены соот"ветственно два введенных дугообразных диэлектрических волновода,электромагнитно связанных с резонатором, боковая поверхность дискавыполнена ступенчатой в виде чередующихся кольцевых выступов и впадин, причем толщина и диаметр коль 07035 1 10203040.45 цевых выступов и впадин последовательно увеличиваются, ширина впадины превышает ширину смежных с ней выступов, ширина впадины, ширина...

Номер патента: 1107070

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Трофимов, Фрадин

МПК: G01R 27/26

Метки: варианты, диэлектриков, его, искусственных, показателя, преломления

...искусственного диэлектрика,- длина рабочей волны.В устройстве для измерения показателя преломленияискусственныхдиэлектриков образец исследуемогоискусственного диэлектрика выполненв виде плосковыпуклой фокусирующейлинзы, обращенной плоской сторонойк приемной антенне и размещенной нар 2расстоянии г- от приемной антенйны, при этом приемная антенна установлена с возможностью перемещенияв направлении, перпендикулярном ееоси.На фиг. 1 приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения показателя преломленияискусственных диэлектриков, нафиг. 2 - структурная электрическаясхема варианта устройства для измерения показателя преломпения искусственных диэлектриков,Устройство для измерения показателя преломления искусственных...