Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 1315407

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Ефимов, Суетин

МПК: C03C 17/06

Метки: диэлектриков, металлизации

...концентрации никеля(4-5 г/л) и гидразина (15-25 г/л) вдва раза, ведут процесс при т,кип.125 С до образования покрытия необоходимой толщины.Соединения никеля используютсякак источник ионов никеля, соединениягидразина - как восстановитель, моноэтаноламин - комплексообразователь.Скорость осаждения никелевого покрытия 2,5 мкм за 10 мин. Объемная плотность загрузки 2,0 дм г/л.П р и м е р 1. Изделие из стеклаобрабатывают исходным электролитомследующего состава, г/л;Никель (в видеМ 1(МО)2 в пересчете на металл 8Гидразин-гидрат 30Моноэтаноламин 4000при температуре 125 С, время обработоКи 10,мин (до образования видимойпленки). После этого электролит разбавляют водным моноэтаноламиновымраствором концентрацией 4000 г/л досоотношения компонентов в...

Номер патента: 1318607

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Бондаренко, Степанова

МПК: C09K 13/02

Метки: диэлектриков, металлизацией, поверхности, раствор, травления

...а скорость травления вьше. Заметно вырастет качество металлизированного диэлектрика и его эксплуатационные характеристики, поскольку существенно возрастает адгезия металлического покрытия.При увеличении или уменьшении содержания СгО.з и Н 804, а также содержания ПАВпроисходит резкое уменьшение скорости травления поверхности диэлектриков и адгезии осаждаемого металла.Предлагаемый раствор может быть использован не только для травления СТЗК, но и при подготовке поверхности АБС пластмасс, полистирола, поликарбоната и др., причем и для этих материалов при его использовании увеличивается адгезия металла к диэлектрику, возрастаетскорость травления и снижается расход травителя на единицу площади диэлектрика.После проведения операций предва- ЗО...

Номер патента: 1322206

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Горностай-Польский, Горячкин, Филиппов, Шилов

МПК: G01R 31/12

Метки: диэлектриков, испытаний, образцов, прочности, электрической

...11 и регистрирующий 40 блок 8 заключены в заземленный металлический экран 9, а каждый подвижныйконтакт 10 подпружинен при помощисоответствующего упругого элемента 11,45 Устройство работает следующим образом. Испытуемые образцы 5 помещают между высоковольтными 4 и заземляющими 6 электродами, после чего включается источник 1 высокого напряжения. При пробое одного иэ испытуемых образцов 5 блок 2 отключения освобождает прикрепленный к нему конец гибкого соединительного элемента 3. Гибкий соединительный элемент 3 разрывает цепь подвода высокого напряжения на испы 5055 туемый образец 5 и не создает усилия,препятствующего перемещению жесткой 5 ные контакты 10, упругие элементы 11, 2006 гдиэлектрической тяги 7. Последняя под действием...

Номер патента: 1366972

Опубликовано: 15.01.1988

Автор: Матуолис

МПК: G01R 29/24

Метки: вакууме, газах, диэлектриков, электризации

...34,который своим открытым концом в месте сопряжения с основанием.24 герме тизируется прокладкой 35, Штуцер 36прикреплен к основанию 24 корпуса и подсоединяется к вакуумному насосу (не показан).40 3 13669Устройство работает следующим образом.В исходном положении колпак 34 удален, электродвигатель 18 отключен5 от сети, при этом точка А кривошип- ного механизма 16 должна находиться в положении Ад (эти положения устанавливают вручную). В этом случае плунжер 1 находится в верхней мертвой точке, при этом расстояние от рабочих поверхностей электрода 10 и образца 33 является максимальным, С помощью регулятора 7 устанавливают необходимую упругость пружины 4. 15 После удаления крышки 29 на дне цилиндра 25 Фарадея закрепляют образец 33. Затем...

Номер патента: 1378089

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Архангельский, Доркин, Шишмило

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, камера, свч-обработки

...и вывода паров установлены на первом и второмволноводах 1 и 2 соответственно, Во 25второй волновод 2 помещен лоток 5 сднищем 6 для размещения исследуемогодиэлектрика 7, балластный поглоти"тель 8, размещенный под днищем 6 лот.ка 5, в первом волноводе 1 установлен 3 рпоглотитель 9 из радиопрозрачногодиэлектрика, полости кожухов 3 и 4сообщаются посредством перфорации,выполненной в широких стенках первогои второго волноводов 1 и 2, днище 6лотка 5, поглотителе 9, балластном35поглотителе 8.Камера для СВЧ-обработки диэлектриков работает следующим образом.В лоток 5 загружают исследуемыйдиэлектрик 7, СВЧ-мощность, поступающая на вход камеры от СВЧ-генератора,равномерно и полностью поглощаетсяисследуемым диэлектриком 7. Образующиеся пары влаги...

Номер патента: 1401404

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Коваленко, Кошпаренок, Майстренко, Шестопалов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, параметров

...(щелевых) цилиндров 2 с полем открытого резонатора эа счет резко выраженных резонансных свойств цилиндров 2.Расчетная добротность системы превышает 10 , что является физической предпосылкой значительного возрастания концентрации поля в области между цилиндрами 2,На резонансной частоте эл намические размеры цилиндров растают, превышают размер ка резонатора и за счет эффекта дипольной диаграммы рассеяни зонансной частоте энергия пе чается на зеркала 1 и, склад в фазе с полем открытого рез концентрируется в области ме линдрами 2, Плотность энерги этом более чем в 400 раз пре плотность энергии в открытом торе и данная система оказыв чрезвычайно чувствительной к внесению в нее диэлектрических материалов.Изменение расстояния Ь между...

Номер патента: 1409906

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Булеев, Дементьев, Канцель, Раховский

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков

...винтом 11, а горизонтальное перемещение осуществляется винтаии 12, расположенными через 120Устройство дает возможность отводить острие 8 от образца 2 и выбирать произвольное место анализа, азатеи позволяет контактировать ему споверхностью на небольшом расстоянии от эоны действия электронного иионного пучковТаким образом, реализация способа обеспечивает стеканиезаряда из зоны анализа и восстанавливает информативность метода,П р и м е р 1. Диэлектрическийобразец, 2 из ВхО размером 10 х 10 хх 1 мм крепят на держатель 1 прижим 3ными болтами и вставляют в аналитическую камеру, Держатель 1 с образцом2 располагают перед энергоанализато-.ром 5. На экране электронного микроскопа получают изображение исследуемого образца 2, Зону...

Номер патента: 1422193

Опубликовано: 07.09.1988

Автор: Меркурьев

МПК: G01R 31/12

Метки: диэлектриков, пробоя, фиксации

...вход аналого-цифрового преобразователя 9,По мере увеличения испытательного напряжения с аналого-цифрового преобразователя 9 на второй вход схемы 5 совпадения поступает число-импульсный код.Поскольку схема 5 совпадения ;управляеч;я триггером 4 и находится в открытом состоянии, эти импульсы проходят на счетчик 6 ина цифровой индикатор 7,и на его табло отображается напряжение, прилагаемое в данный момент к испытуемомуобразцу 2. Как только испытательное на" пряжение достигает пробивного значения, в первичной обмотке 3,1 разделительного трансформатора 3 течет ток, который имеет колебательный характер, так как испытуемый образец имеет конденсаторную структуру, В результате этого во вторичной обмотке 3,2 трансФорматора 3 также возникают...

Номер патента: 1430848

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Зеликин, Каск, Скакун, Федоров

МПК: G01N 25/20

Метки: диэлектриков, импульсном, нагреве, средней, твердых, теплоемкости

...а также указанные однородные условия приема падающей энергии в плоскости фокальцого пятна искл 1 очают влияние систематической ошибки .на точность измерения, поскольку Однокрятные 11 мпульсы комформны дру 1 другу за счет идентичности процессов и режимов их генерации, формирования через посредство общего источника облучения,Пленочный теплоприемник, нагревяемый повторяющимися однократными импульсами оптического излучения до. высоких температур в атмосферных условиях, подвергается Окислению. вызывающему изменения в физико-химических свойствах вещества пленки, в резуль - тате чего вносятся искажения однородных условий эксперимента, что, в свою очередь, создает воздействию облучающими моноимпульсами неодинаковые режимы передачи пленочным...

Номер патента: 1449947

Опубликовано: 07.01.1989

Авторы: Козлов, Чирков

МПК: G01R 31/12

Метки: аппарат, диэлектриков, испытания, кабелей, твердых

...испытательному напояжению испытуемого объекта 4, котороеподается к нему через высоковольтныйвыпрямительный элемент 3, Сигнал,пропорциональный подаваемому на испытуеюй объект 4 напряжению, с выходаделителя 5 напряжения подается напульт 1. После того, как установлено,что испытуемый объект 4 соответствует или не соответствует требуемойэлектрической прочности, происходитснятие напряжения с первичной обмотки высоковольтного трансформатора 2.Одновременно с этим на один из входов логического блока ИЛИ 6 через блок 7 управления переключателем поступает сигнал на замыкание высоковольтного переключателя 8, вследствие чего он замыкает накоротко высо" ковольтный выпрямительный элемент 3 и разряжает остаточный заряд испытуемого объекта 4...

Номер патента: 1456914

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Горячкин, Филиппов, Шилов

МПК: G01R 31/14

Метки: диэлектриков, образцов, определении, отключения, пробитых, прочности, электрической

...нити,Устройство работает следующим образом. зовать испытательные установки любой мощности, обеспечить независимость времени отключения образца оттока, протекающего через устройство,обеспечить стабильное отключениеобразца вне зависимости от характеристик испытуемых образцов и параметров испытательной установки.1 ил,В заряженном состоянии разрушае" мый элемент 5 натянут и за счет его натяжения контактный элемент 2 прижат к металлической шайбе 4, поэто- . му они гальванически соединены. Уст ройство устанавливается вертикально и подключается последовательно с испытуемым образцом и испытательной установкой. При пробое образца ток протекает через контактный элемент 2, шайбу 4, переменный резистор 8 и контактный элемент 3. При этом на...

Номер патента: 1460688

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Подгорный, Шаров, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрических, исследования, твердых, ячейка

...повреждений.расстояние от центра нижнего осцовацгя до геометрического центра проточки равно расстоянию от 35 центра ма шпуляторя до центра отверстия для держателей образцов, Ие 1 подззнжцьп потенциальный электрод 4 расположен цнже плоскости нижнего основания 1 ца толщину образцов, что. 40 обеспечитзает приззегацие к нему образцозз во время нх измерения.ежэлектроззцое расстояние измеряется стяцдззтцой иццнкяОзной 1"0 ловкой 17, закрепленной ца кронштей це 18,Изме 1 зецие диэтзектрической проницаемости образцов пленочных материалов производится следующим образом.Образцы закрепляются в держателях 50 10, причем в образцах вырезают отверстия дияь;етром, большим диаметра электродов ца 5 мм, с центром в середнце большой полуоси внутреннего...

Номер патента: 1465749

Опубликовано: 15.03.1989

Автор: Беляков

МПК: G01N 22/00

Метки: большими, диэлектриков, измерительный, потерями, свч-резонатор

...трубки резонатора чистой водой ( Е, =30, СВ 3 =1); кривая 2 - для 0,1 Я- ного водного раствора 1:-бутанола 40 ( - : 10 ) кривая 3 - для 1 У.-ногойЕ4%дЕ водного раствора й-бутанола ( -- =1045Измерительный СВЧ-резонатор для диэлектриков с большими потерями состоит из волноводной камеры 1 прямоугольного сечения, в широких стенках которой выполнены полости 2 и 3, оси50 которых совпадают с осью диэлектрической трубки 4,В каждой из полостей размещен поршень 5 и 6, имеющий отверстие для пропуска диэлектрического стержня 4 из измеряемого материала или тонкостенной радиопрозрачной трубки, заполняемой измеряемой жидкостью, Перемещение поршней вдоль оси полости осуществляется с помощью регулировочных винтов 7 и 8.Измерительный СВЧ-резонатор...

Номер патента: 1467463

Опубликовано: 23.03.1989

Автор: Волошин

МПК: G01N 21/35

Метки: величины, диэлектриков, редкоземельных, стабилизирующей, энергии, ян-теллеровской

...тем редкоземельным диэлектрикам, для которых такие переходыобнаружены. Для его осуществлениянеобходимо знать схему электронныхуровней исследуемого образца, в частности степень вырождения каждоня, что достигается последоватрегистрацией спектра вне и в смагнитном поле при температуре жидкого гелия, и схему вибронных уровней также при давлении, близком точке электрон-вибронного перехода. Разность энергий вибронной линии и соответствующей ей невырожденной электронной линии дает величину ян-теллеровской стабилизирующей энергии сточностью, равной точности спектрального эксперимента ( 3 см ). 2 ил.Операция 3. Выявленйе вырожденных и невырожденных уровней. В данном случае анализ показывает, что расщепление произошло из-за того, что основной...

Номер патента: 1467479

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Иванов, Кременецкий

МПК: G01N 27/02

Метки: диэлектриков, жидких, характеристик, электрических, ячейка

...обе они герметично от -делены от окружающей среды, что позволяет производить определение параметров в широком диапазоне температур и давлений, а также безопасноопределять электрические характеристики токсичных и легковоспламенящихся жидкостей. 1 ил,разованнои коаксиально ра ми измерительным электрод го соединены с измерибочей камеры герметично подсоединена дополнительная цилиндрическая камера 9, в которой расположен пустотелый сильфон 10, на торце камеры 9 крепится вентиль 11. рнутри центрального измерительного электрода 2 установлен датчик температуры.Порядок работы с ячейкой при взятии пробы из электротехнического оборудования, содержащего жидкий диэлектрик, следующий.Перед взятием пробы к одному из вентилей 6 или 11 подключается...

Номер патента: 1474529

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Тимченко, Шевцов

МПК: G01N 23/227

Метки: диэлектриков, исследования, методом, спектроскопии, фотоэлектронной

...сигнал сизмерителя 6 электростатического поляравен нулю, управляющий электрод 11источника 9 медленных электронов находится под положительным потенциаломотносительно катода 10.Попеременно включая источник 1возбуждающего излучения и источник 9медленных электронов, по сигналам сизмерителя 6 электростатического поляи блока 15 регистрации Фотоэлектронных спектров, настроенного на электроны определенной энергии поверхность исследуемого образца 3 устанавливается на электронно-оптическую осьэнергоанализатора 12 с помощью манипулятора 2 и рычагов 18 и 19. Затемна ней совмещаются зарядовые пятна,образующиеся на образце 3 под действием остросфокусированпых пучковисточника 1 возбуждающего излученияи источника 9 медленных электронов,Причем,...

Номер патента: 1492260

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Вшивцев, Зеленевский, Новиков, Петрухин, Хагемейстер

МПК: G01N 27/26

Метки: влажности, диэлектриков, жидких

...или электромагнита, для чегоэлектроды выполняются из магнитомягкого материала. Для того, чтобы непроисходило закорачивания источниканапряжения по магнитной цепи, полюсные наконечники замыкаются сердечником 4, выполненным из магнитодиэлектрика,Устройство работает следующим образом.Двухэлектродный датчик 1 (фиг.1) помещают в контролируемый жидкий диэлектрик и подают напряжение. Напряжение пробоя контролируемого диэлектри.ка замеряют, вольтметром 3 и по заранее построенной зависимости напряжения пробоя от влажности исследуемого диэлектрика (фиг,З) и напряженности магнитного поля определяют влажность диэлектрика,Например, для определения влажности турбинного масла двухэлектродный датчик 1 с расстоянием между электродами 0,5 мм помещают в...

Номер патента: 1492321

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Геринг, Елисеев, Кузин

МПК: G01R 31/12

Метки: диэлектриков, исследования

...тепловой энергииэлектрического разряда.П р и м е р. 1 Образец оргстекла(ПММА) облучался импульсным (длительность импульса 10 нс) потоков электро 50нов с плотностью 2 10 эл/см, Образующийся в результате 6-го импульсаоблучения акустический отклик б показ ан. кривой 8 на фи г, 2. На участке0-0,2 мкс кривой .8 акустического отклика существует небольшой провал,обусловленный первичным пондеромоторным растяжением, На участке 0,20,4 мкс существует первичный термоупругий импульс сжатия, гауссовая фор ма которо го и с кажен а пондеромоторными добавками, На участке 0,4- 0,6 мкм имеется импульс растяжения, поя вля ющий ся в р ез ул ьт ат е о тр ажения от срободной поверхности образца первичного термоупругого импульса сжатия, На фиг,2 также...

Номер патента: 1509715

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Рождественский, Ротенберг, Смогунов

МПК: G01N 27/22

Метки: дисперсных, диэлектриков, диэлектрической, проницаемости, сыпучих

...происходит при свободном без груза) вибрационном воздействии в цилиндрических бункерах.После достижения полного фракцион-,10 ного разделения диэлектрика при свободном (без груза) виброуплотнении производят принудительное вибрационное доуплотнение под действием груза с целью уменьшения пористости контро лируемой пробы. Роль груза выполняет верхний электрод, При этом масса верхнего электрода выбирается иэ соотношенияш в К,Я 20где 8 - площадь электрода;6 - предел упругости материаладисперсного сыпучего диэлектрика;К - коэффициент, значение которого получено опытным путемв зависимости от среднегоразмера частиц, исходя из условия отсутствия остаточнойдеформации частиц сыпучего 30диэлектрика после доуплотне"ния.В частности, значение...

Номер патента: 1520143

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Ватаман, Гэрбэлэу, Долгиер, Жовмир

МПК: C23C 18/40

Метки: диэлектриков, меднения, раствор, химического

...рараметров раствора Параметры раствора Предлагаемый1 2 3 4 50 50. 5 1 О 10 7 О 4 а 21 О55зо0,025 45 45 28 28 15 15 0005 0,01 21 О55зо0,02 25060зо0,02 150 15045 45 15 ЗО0,01 0,02 903515О,О 1 212015О,О 1 1254 О15О,О 1 6 6 7-8Ппот 19-20 19-20Светло-розовое 19-20 Плот 18-19Плотное 6-7Плот" 1 з Плот"ное Плотное Неоднородное Не ное,светноемелконое,светлосплощное розо- вое розовое ло-розовое кристаллическое оксида натрия, растворы ТСК-6 ГК и формалина.0 браэцы из диэлектрика, например платы 50 х 100 мм, вырезанные из двухстороннего стеклотекстолита со сквозными отверстиями, обезжиривают этанолом, сенсибилизируют и активируют по стандартной методике, после чего погружают в раствор для химического ,меднения и проводят процесс при 20 С, рН...

Номер патента: 1524978

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Березин, Котельников, Панаетов, Усышкин

МПК: B23K 20/00

Метки: алюминием, диэлектриков, сварки, средство

...и бсМ фобеспечивающие соответствующие значения относительных деформаций алюминия (1, и (1 . Свариваемые детали помещали между металлическими электродами, нагревали до температуры сгарки,создавали внешнее удельное усилиесжатия 6 , , прикладывали электрическое напряжение, производили увеличение внешнего удельного усилия сжатиядо величины 6 с последующей выцерж- д)СМкой под давлением и электрическим напряжением в течение 10 мин.Для получения сравнительных данных параллельно производили сваркупо нескольким вариантам, характериэующим ряд основных признаков известного и предлагаемого технических решений. Прочность сварных соединений оценивали в ходе механических испытанийна отрыв,ф площадь вырывов из ситалла неболее 307 от номинальной площади...

Номер патента: 1542715

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Дашук, Ковтун, Лукашенко, Соколов

МПК: B23H 1/00, B23H 7/38

Метки: диэлектриков, электроэрозионной

...методам обработки, в частности касается электроэрозионнойобработки диэлектриков.Цель изобретения - повышение точностиобработки путем стабилизации положенияразряда магнитным полем,На фиг. 1 показана схема размещенияэлектродов относительно обрабатываемой заготовки; на фиг. 2 - схема подключения электродов к источнику напряжения.Обрабатываемая заготовка 1 размещенана держателе 2, над поверхностью которогоразмещены электроды - анод 3, катод 4.Шинопровод 5 анода размещен вдоль участка обработки параллельно линии разряда. 15Источник напряжения содержит накопительную емкость 6, тиристор 7, высоковольтный импульсный трансформатор 8, диод 9,накопительные высоковольтные конденсато ры 10, разрядник 11. Подключение источника к электродам 3, 4...

Номер патента: 1569748

Опубликовано: 07.06.1990

Автор: Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, листовых, проницаемости

...волны в СВЧ-волну круговой поляризации, и затем облучает исследуемый листовой диэлектрик 3 подуглом К к его поверхности. Преобразователь 2 поляризации выполнен на основе двух квазиоптических поляризационных делителей и двух уголковых поворотов. После прохождения СВЧ-волны 1 ркруговой поляризации через исследуемый диэлектрик 3, СВЧ-волна, в общемслучае эллиптической поляризации, поступает в делитель 4 в котором происходит разделение волны на две составляющие, поляризованные в плоскости падения и перпендикулярно ей. Однаиз составляющих из делителя 4 непосредственно поступает на первый ггде у - величина, обратная максимальному значенко отношения измеренных составляющих (минимальное значение угла эллиптичности прошедшей ГВЧ-волны)...

Номер патента: 1578666

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Алексенко, Згурский, Липский, Свистиль

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, плоских, проницаемости

...механизм 4 прижатияплоского диэлектрика, состоящий изфторопластового диска 5, держателя 6,соединенного со стержнем 7, пружины 8,втулки 9, закрепленной на стойке 10,и ручки .11, корпус 12, элементы 13 и14 связи соответственно с СВЧ-генератором и измерителя сдвига частоты,штырь 15, коаксиальные проводники 16и 17 с коаксиальныии разъемаьи 8 и19, отверстие 20,Резонансная частота коаксиального35резонатора, который является по существу диэлектрическим резонатором,контролируется по цепи элемент 14 связи, коаксиалыий проводник 17, разъем19, измеритель сдвига частоты. Приэтом выполняется калибровка индикатора, При необходимости осуществляетсяподстройка элементов 13 и 14 связи резонатора и штыря 15,Устройство для измерения...

Номер патента: 1589220

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Коваленко, Кошпаренок, Майстренко, Мележик, Поединчук, Шестопалов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, имеющих, параметров, форму, цилиндрическую

...на этой частоте. При маломотклонении параметров волновода отрезонансных (при фиксированной настройке резонатора) добротность системы резко падает,В случае электродинамического взаимодействия между резонатором и волноводом добротность системы резонаторволновод более чем на порядок превышает добротность пустого резонатора(штрихпунктирная кривая). Зависимостьамплитуды колебаний от изменения диаметра и диэлектрической проницаемостианалогичнаВозможность определения измененияименно постоянной распространенияисследуемого волновода достигаетсяза счет того, что резонансная частотадиэлектрического волновода совпадаетс частотой поперечного резонанса которая является критической частотойего волноведущих свойств и однозначно определяется...

Номер патента: 1459426

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Аламян, Аракелян, Барсегян, Паносян

МПК: G01N 21/59

Метки: диэлектриков, коэффициента, оптического, поглощения, полупроводников

...Кмн251-К е 1 К(К КК+1)М." - Хи -ф 26 Кми К П р и и е.р, Определялся коэффициент оптического поглощения сС монокристаллического образца рутила35(все нижеприведенные результаты былиполучены при комнатной температуре).Сначала был измерен коэффициент однократного отражения К в областипрозрачности рутила, (фиг. 1, крнвая 1) для чего, в первую очередь,была проведена грубая шлифовка тыльной поверхности образца. Отметим,чтополученное значение К удовлетворительно совпадает со значением Кассчитанным по формуле К "(и) /(и+1) , согласно известному значениюпоказателя преломления и прнведенНого в справочниках. Для рутйла и"2,9467, соответственно значение дляК получается 0,24.После этого, тыльная поверхностьрутилового образца отполировалась...

Номер патента: 1594454

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Гоц, Елизаров, Коношенко, Малиборский

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриков, заряда, индикатор, плотности, поверхностной

...3, приводимая в движениеэлектромотором посредством шкивов 4,движется параллельно поверхности исследуемого образца. Во взаимодействии с приемным электродом 1 находитсятолько та часть поверхности, котораясовпадает с сигнальной прорезью 1 б,При движении ленты 3 со скоростью 7площадь взаимодействующей поверхностиЯ периодически изменяется по закову Б =Ь 7 при 2 п 1 1- -сС (2 п+1) -- .7 Ч )+2)т 9 где п=01 величина наведенного во входной цепиусилителя 2 тока где Ц - заряд, наведенный на приемном электроде6 - поверхностная плотностьзаряда на передней границепрорези 1 б .Следовательно, ток (И), а также и выходное напряжение усилителя 2, в пределах того же временного интервала отражает распрецеление поверхностной плотности заряда по...

Номер патента: 1597783

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Вилькоцкий, Гринчук, Громыко, Михасенко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, коэффициента, плоских, прохождения, угловой

...закреплены шторки 12 и 13 из поглощающего материала, снабженные роликами 14, катящимися по боковой поверхности прямоугольной части 3 безэховой камеры. Размеры шторок 12 и 13 выбираются таким образом, чтобы при любом угле падения облучающей волны экран 8 вместе со шторками 12 и 13 эффективно перекрывали поперечные сечения прямоугольной части 3 камеры, В этом случае сигнал на выходе приемной антенны 5 будет пропорционален амплитуде электромагнитной волны, прошедшей только через окна 9.Измерение коэффициента прохождения производится следующим образом. При данном угловом положении экрана 8 измеряется амплитуда поля А, прошедшего через свободное окно 9. Затем в окно вставляется исследуемый плоский диэлектрик и измеряется амплитуда...

Номер патента: 1517371

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Баркалов, Веселовзоров, Владимиров, Гусева, Никольский, Носков, Покровский, Степанчиков, Сулима

МПК: C23C 14/00

Метки: диэлектриков, металлов, поверхности

...ионов азота с энергией 40 кэВи плотностью тока 0,1 мА/см до дозы1)=1 О ион/см. Толщина азотирооанногослоя составляет 50 мкм. 30П р и м е р 2. В поверхность изделий из жаропрочной стали ВЖЛ 12 У имп. лантируют высокоэнергетичные ионы азота с энергией 40 кэВ при плотности7 тока 0,03 мА/см с дозой 0=10 ион/смз 5 Изделия обпучают квазинейтральным плазменным потоком с энергией ионов азота И, равной 0,3 кэВ при плотнос"и готи 5 мА/см до доз 10 -10 ион/см, При этом получены следующие эчацения 40 толщин упрочненных слоев: Способ обработки иэделий 1, Без ионной обработки 2. Квазинейтральныйплазменный потокОбработка по прототипуОбработка по изоб- ретению 14Лоза, ион/см Толщина, мкм110 1,510 610 27Время облучения до дозы 10...

Номер патента: 1619012

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Владыкина, Лучников, Ревина, Топоров

МПК: G01B 7/34

Метки: диэлектриков, качества, поверхности

...образом фактически заявлен интегральный способ контроля дефектности поверхности.П р и м е р 1, Определяют качество поверхности плоских стеклянных образцов размером ЗОхЗОх 5 ммз, Различная шероховатость поверхности Стекла придается травлением плавиковой кислотой или абразивной обработкой. Результаты измерений не зависят от способа придания шероховатости. В качестве контртела, о которое происходит трибозаряжение исследуемой поверхности, используется хлопковая вата. Заряжение осуществляют при поступательном перемещении образцов со скоростью 10 смс при нормальной нагрузке 3 гр/см, Величина трибоэаряда измеряется методом вибрирующего конденсатора.Результаты оценки качества поверхности стеклянных образцов предлагаемым способом...