Патенты с меткой «диэлектриков»

Номер патента: 289622

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Иностранец

МПК: C23C 2/06

Метки: диэлектриков, цинкования

...способ цицковация диэлектриков путем пропускация, например, диэлектрической ленты иад испарителем цинка. Однако при этом получается цинковое покрытие, цеодцородцое и включающее значительное количество агломератов цинка, что отрицател: цо сказывается ца качестве изделий из такой лепты, особенно прц ес незначительной толщине.Предложециый способ цицковяия дэлектриков позволяет увеличить однородность получаемыч пленок.Способ отличается от известного тем, что осуществляют предварительное оксидировацие поверцости цинка.Способ состоит в том, что цицк цацосят ця диэлектрические повер;цости путем металлизации в вакууме, при испарешш цинка, поверхность которого предварительно оксидироваца.Окисцая пленка, предварительно создаваемая па...

Номер патента: 293874

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вижанский, Подр

МПК: C23C 18/40, C25D 5/48, C25D 5/54 ...

Метки: диэлектриков, меднения, раствор, химического

...содерж глицерин, сод тем что с це щения стойко нию, в его со тапина при с нентов; иэлект 1 й натр, юигийся и повы- окислевор како мпоВ предлагаемый ра осадка и повышения крытия к окислению катапина при следующ нентов:Сульф Едкий Глицер Сода, Форма Катапиводи 90 - 110 90 - 110 90 - 110до 30 лг.г(г 35 - 40 т меди, г/ натр, г/,гин, г,.г /ллин 40% -ны н 5%-ныйый, лгл/л Сульфат меди, г/,Едкий натр, г/лГлицерин, г/лСода, г/л 90 - 110 90 - 110 90 - 110 до 30 5 Изобретение относится к обласги металлизации диэлектриков и может найти применение для бестоковой металлизации отверстийпечатных плат,Известные составы для металлизации диэлектриков, в частности для металлизации печатных плат, например, состоящие из следующих компонентов: медь...

Номер патента: 295785

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Виноградова, Выгодский, Гиндин, Коршак, Равич, Торопцева

МПК: C08K 3/08, C08L 79/08

Метки: диэлектриков, основе, полиимидов, теплопроводных

...полимеров применяют Х,Х-димстплформамид, М,Х-дивтетилацетамид, 1 ч-мстилпирролидон, хлороформ, симтетрахлорэтан н др.В качестве солей используют ацетаты, ацстилацетонаты, оксалаты и формпаты серебра, никеля, кобальта, марганца, магния, меди, бериллия, железа, хлора и др,Таким образом, изменяя копцентрацгно вводимой соли или температуя обработки композиции, по указанному способу можно полу- цать полимеры с заранее заданными тепло- и электрофизическими свойствами.П р и м е р. Полипиромеллитимид анилинфталеина растворяют в органическом растворителе. К 5 - 8% -ному раствору полиимида при перемешивании приливают 10 - 15%-ньтй раствор СНзСООАд в пиридине. Полученный раствор тонким слоем наносят па стекляннуюПоказатель 1,2 0,5...

Номер патента: 304712

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вайсфельд, Вигдорович, Лотвин, Петрова

МПК: H05B 6/00, H05B 6/46

Метки: высокочастотная, диэлектриков, нагрева, электротермическая

...верхний фланец которого, служащий для крепления апода генераторной лампы, имеет развитую поверхность и образует со стенками экрана или укрепленными на них пластинами контурный конденсатор большой емкости.На фиг. 1 показана предлагаемая установка, продольный разрез; на фиг. 2 разрез генераторпого блока.Высокочастотная установка 1 служит для преобразования энергии электрического тока промышленной частоты в в. ч. энергию, используемую для нагрева диэлектрических маЬСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ НАГРЕВА ДИЭЛЕКТРИКОВтериалов в электрическом поле рабочего кондецсатора 2. Центральным звеном этого цреобразованця является ламповый азтогецератор 3.Первичный контур 4 смонтирован в замкнутом металлическом экране Б,...

Номер патента: 306187

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вижанский, Подр

МПК: C23C 18/40

Метки: диэлектриков, металлизации, раствор, химической

...формалин, не обеспечивают полученияплотных и сравнительно толстых осадков меди. Кроме того, осажденная медь быстроокисляется на воздухе. Неплотный осадок меди при дальнейшем оплавлении сплавом Розеприводит к коррозии. Тонкие слои меди быстро окисляются на воздухе, и требуется дальнейшее гальваническое осаждение,Цель изобретения - повышение устойчивостимедного покрытия к окислению.Для этого берут раствор, содержащий сульфат меди, едкий натр, сегнетову соль, кальцинированную соду, хлористый никель и формалин.Указанный раствор при металлизации обеспечивает получение плотного, достаточно толстого осадка меди (12 - 16 мк), стойкого кокислению во времени,Предлагаемый раствор дает возможностьупростить технологию металлизации диэлектриков, в...

Номер патента: 313902

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Булатов, Лундин, Мокрушин, Саранов, Уральский

МПК: C23C 18/02, C25D 5/54

Метки: диэлектриков, поверхности, подготовки, предварительной

...перед нанесением металлических покрытий путем обработки ее в растворе, содержащем хлористую соль металла, и последующего прокаливания. Однако такой способ не позволяет получать прочно сцепленные с основой покрытия.Предложенный способ отличается от известного тем, что используют раствор хлорного железа и прокаливание проводят при 590 - 900 С, Это позволяет повысить адгезию металлических покрытий к основе. Промытую и обезжиренную пластину погружают в свеже- приготовленный солянокислый раствор, содержащий 5,5 10 -лтоль/л хлорного железа, с рН 2,1 - 2,2. Температуру раствора поддерживают 69 - 71 С. Через 30 лин пластину извлекают из раствора и промывают дистиллированной водой,Операцию повторяют 3 - 5 раз, в результате чего на...

Номер патента: 329690

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Балашов, Измайлов, Молочной, Московский, Чернышева, Шилова

МПК: C09K 13/00, H05K 3/38

Метки: диэлектриков, раствор, травления

...глубину травления диэлектрика со слоев вгеталла. Однако изесный раствор трудно приготовить, а адгезия диэлектрика со слоем металла не всегда оывает достаточной.Целью изобретения является улучшение адгезии наносимого покрытия с оорабатывасмой поверхностью. Достигается это тем, что н качесгве солей плавиковой кислоты вводят фторид и бифторид аммония с добавками кремнскп лого натрия, при этом раствор имеет следующий состав:Фторид аммония 40 - 60, г/л Бнфторнд аммония 40 - 60, г/л Кремпекислый натрий 1 - 3, г/л Концентрированная серная кислота Раствор предложенного состава применягот при 50 - 60 С. Длительность процесса травления в зависимости от требуемой глубины травления около 3 - 5 мин.1 аствор прост в изготовлении, менее ядовпт,...

Номер патента: 344340

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Галактионов, Михайлуца, Филиппов, Шильников

МПК: G01N 27/12

Метки: диэлектриков, жидких, констант, полярных, физико-технических

...методы исследования свойств вещества с использованием электронного пара- магнитного и ядерного магнитного резонансов в ряде случаев недостаточно точны и технологичны.Цель изобретения - повышение чувствительности и технологичности измерений.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу контроль физико-технических параметров полярных жидкостей осуществляют по измерению магнитной добротности ферромагнитного монокристаллического образца, помещенного в полярную жидкость,На чертеже приведена схема установки, которая может быть использована для контроля технологического процесса в любой поляр; ной жидкости по предлагаемому способу.Установка содержит трубку 1 с жидким веществом 2, ферритовую сферу (резонатор) 8, петлю связи 4,...

Номер патента: 356287

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Селина

МПК: C09D 5/24

Метки: диэлектриков, отделки, состав, токопроводящии

...лакокрасочного материала.Для достижения этой цели используют известный токопроводящий состав на основеводного раствора поливиниловото спирта ивводят в него этиленгликоль и эмульгаторОП. Компоненты, взяты в следующих соотношениях, вес, ч,Раствор поливиниловогоспирта 45 - 50Зтиленгликоль 45 - 503 мульгатор 0,5 в 1,0Предлагаемый состав готовят непосредственно перед применением, Водную эмульсиюполивинилового спирта смешивают с этиленгликолем, предварительно растворив в немэмульгатор ОП. По необходимости составфильтруют через слой марли. Жизнеспособность состава при температуре 20 - 23 С неменее 7 час. Состав не изменяет физико-механических свойств покрытия,Пол ивиниловую эмульсиюемого состава готовят заранее г сухого поливинилового...

Номер патента: 390740

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ииостра

МПК: H05B 6/64

Метки: высокочастотная, диэлектриков, нагрева

...источник питания высокой частоты, Однако в такой установке наблюдается значительный перепад напряжения по длине электрода даже в том случае, когда длина электрода не превышает /4 длины волны.Для повышения равномерности распределения напряжения по длине электрода в предлагаемой установке между рядами электродов установлен ряд токопередающих стерж. ней, каждый из которых соединен с противолежащими электродами обоих рядов при помощи скользящих контактов, причем стержни поочередно подключены к разным полюсам источника иТсн 5.При длине электродов, близкой к /5 длины волны, применены два скользящих контакта, каждый из которых расположен на расстоянии /5 длины волны от концов стержня, а каждый из стержней подключен обоими концами к одному...

Номер патента: 395269

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B28D 1/00, H05B 6/46

Метки: диэлектриков, резки, сварки, сверхвысокочастотной

...выступы 8 верхней пластины 9, соединенной осью 10 с боковыми пласпинами, Ось 10 нроходит через пет;лю 11, которой заканчивается верхняя пластина. На выступах верхней лластины размещены фиксаторы 12.Устройство работает следующим образом. Ширина раскрытия антенны-излучателя 4 изменяется в зависимости от положения верхней подвижной пластины 9, которая, вращаяоь относительно оси 10, может перемещаться относительно неподвижных боковых пластин б из лучателя, При этом выступы 8 верхней пла стины перемещаются в прорезях 7. боковых пластвн. Угол наклона верхней пластины задается фиксаторами 12. Для улучшения контакта,верхнеи пласти- О,ны с боковымн последние могут быть подпружтенены. Если необходимо получить строго симметричное раскрытие...

Номер патента: 395759

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Аксенов, Денисов, Соловьев

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, жидких, измерительная, испытания, склонность, электризации, ячейка

...центральной части ячейки, Штепсель 5 ный разъем 8 служит Лля снятия потенциалас наружного электрола. С подвижного электрода потенциал снимают с гомощью коллектора 9 и штепсельного разъема 10. Испытуемую жидкость заливают ц удаляют через 10 штуцера (1, В корпусе цмеется рубашка 12для стабилизации температуры.Испытуемый образец жидкости помещаютв зазор между ццлцнлрамц. Прц вращении внутреннего цилиндра в жидкости образуется 15 заряд с некоторой окоростью, который создает в зазоре электростатическое полепод действием которого происходит утечка заряда за счет конечного удельного сопротивления жидкости. Процесс достигает динамического рав новесця, т. е. скорость образования ц стекания заряда равны, а в жидкости остается избыточный заряд....

Номер патента: 395789

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, природы, проводимости

...комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типограсрия,пр. Сапунова, 2 Анодная фольга служит контрольным образцом (ца ней не должно быть следов выделившегося бария).Образцы готовят следующим образом.Из полиэтиленовой пленки, тщательно промытой хромовой смесью и 98%-,ным спиртом, изготавливают пакетики размером 5 К 5 мм. Края пакетика заплавляют под пламенем спиртовки. В пакетик помещают металл (фольгу), снятый с катодной поверхности пластинки, после чего пакетик полезностью запаивают, В остальные четыре пакетика запаивают эталоны сравнения: металл (А 1) и три цавески ВаО с содержанием металлического бария 10 -10 - з, 10 4 г.Все образцы с эталонами помещают в полиэтиленовый пенал...

Номер патента: 405141

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01J 37/26

Метки: диэлектриков, изображения, микроскопе, электронном

...поверхностного заряда пучком медленных электронов производят только во время обратного хода строчной развертки первичного пучка, формирующего изображение, 30 2Пучок медленных электронов попадает на образец только в те моменты времени, когда информация о состоянии поверхности образца, переносимая вторичными электронами, выбитыми первичным растрирующим пучком, не отображается на экране электронно-лучевой трубки РЭМ; тем самым осуществляется разрядка поверхности образца без ухудшения геометрического разрешения и появления вредного фона (в видеосигнале) отраженных от образца электронов из вторичного пучка.Блок-схема устройства, реализующего предлагаемый способ, представлена на чертеже.В колонне 1 РЭМ с диэлектрическим образцом 2, облучаемым...

Номер патента: 406171

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, полосе

...известными устройст Ьвами, не позволяющими разделить отраженияот исследуемой нерегулярности и от других,иаходя 1 цихся в линии передачи,Извсстно устройство для измерения параметрог, диэлектриков в полосе частот, содержашсс ЧМ-рефлектометр, работающее следующим образом.В исследуемую систему с распределеннымиисточниками отражения излучают сигнал постоянной амплитуды с модуляцией частоты по 25линейному (пилообразному) закону; отраженный от нерегулярностей сигнал смешивается сизлученпым, и сигнал разностной частоты:Вследствие линейности ЧМ частота биений зО УД К 62 .317.335.3 (088.8)Редактор Б каз 1224НИИПИ Гос ко рвгк 743 тров СС нйнаб., д. мптет овета Мин н открь Моск ушек Мытищинская типография Следовательно, ЧМ рефлектометр, настроенный...

Номер патента: 362580

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H05B 6/00

Метки: волноводная, диэлектриков, камера, термообработки

...камера для термообработки диэлектриков.Она выполнена из двух параллельно расположенных отрезков - верхнего 1 и нижнего 25 2 - волновода, соединенных по широкой стенке радионрозрачной перегородкой 3, В нижний волновод помещен лоток 4 с обрабатываемым диэлектриком 5. Высота узкой стенки верхнего входного волновода изменяется по 30 линейному закону. Лоток 4 закреплен в волноводе замками, диэлектрик 5 должен полностью заполнять лоток, так чтобы его поверхность являлась как бы продолжением широкой стенки волновода, Для поступления паров и газов в нижнем волноводе выполнены отверстия и каналы,Волноводная камера работает следующим образом.В лоток 4 загружают обрабатываемый диэлектрик 5 до полного его заполнения, Лоток вставляют в...

Номер патента: 369652

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01P 1/26

Метки: диэлектриков, камера, коаксиальная, термообработки

...конусный наружный проводник.На чертеже приведена предлагаемая коаксиальная камера.Коаксиальная камера содержит диэлектрик 1, камеру 2, крышку 3, экран 4 и центральный проводник Б.К центральному проводнику б коаксиальной линии присоединяется в виде продолжения собственно камера 2, которая заполняется диэлектриком 1. Камера 2 выполнена из непоглощающего материала (фторопласт) в виде стакана, Внутренний диаметр стакана равен диаметру центрального проводника 5 коаксиальной линии. Стакан имеет на дне (в центре) цилиндрический выступ, входящий в отверстие в центральном проводнике 5.С другой стороны стакан поддерживаетсяэкраном 4 и плотно прижимается к централь ному проводнику б коаксиальной линии крышкой 8.Полезный объем камеры...

Номер патента: 381043

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Брагинский, Поль, Финкель

МПК: G01R 27/00

Метки: диэлектриков, характеристик, электрических

...электрических цепей 7, 8 с источниками питания 9, 10, регистрирующими приборами 11, 12 и по крайней мере двумя парами контактиручощнх 15 электроов 13, 14 и 15, 16 в виде параллельных друг другу пластин, установленных в зазоре между высоковольтными электродами и 6 пер. ендикулярно плоскостям этих электродов и симметрично относительно центра 17 20 камеры.Работает устройство следующим образом.К электродам 5 н 6 поключают источниквысокого напряжения, а и исследуемому ооразд 1 через плоско-параллельнье электро.25 .,ь 1 13, 14 и 15, 16 юдводят напряжение отисточников 9 и 10. При этом в цепях 7 и 8 возникают электрические токи 1 и 1, регистрируемые приборами 11 и 12. При воздействии на образец электрического поля, создаваемого 30 межДУ...

Номер патента: 419810

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Данилов, Федорова

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, контактное, параметров

...радиус кривизны, поверхности которых соизхара с длиной волны.С целью компенсации поверхностной волныв предлагаемом устройстве в оконечную часть диэлектрического волновода, контактирующего с исследуемым дпэ тектрикоа, введен металлический стержень, расположенный внутри диэлектрического волновода соосно с ним,На чертеже дана конструкция предлагаемо- О го устройства.Предлагаемое устройство содержит диэлектрический волновод 1, металлический старткень 2, исследуемый образец д, отражатель 4, круглый волновод 5, металлическое кольцо 6, 5 прямоугольнъТЙ ВолОвод 7 и Волноводный переход 8 с прямоугольного на круглое поперечое сечение.Устройство работает следующ б Основной тип "очны ио прО зол;овода 7 трансформируется в)к. тип стромс)Осо...

Номер патента: 438144

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Арделян, Архангельский, Лимаренко, Пиденко

МПК: H05B 9/00

Метки: волноводная, диэлектриков, камера, термообработки

...узкой стенки верхнего волновода изменяется по линейному закону, а в нижний волновод помещен лоток с обрабатываемым диэлектриком.Однако радиопрозрачная перегородка деформируется при тсрмообработке диэлектрика с повышенной влажностью или диэлектрика, изменяющего свой объем или свою форму при обработке. едена предлагаемая волеже.принамера.содержиолноводчновод пдиэлекщен лото о распоижний 2. ен радионий волемым диллель й 1 и запол В нин батыв т два пар а: верхиолностью гриком 3 к 4 с обр а вход ка но и пол загружен ния. В ре и быстро туры,пост пающая н атора, равномер диэлектриком,полного заполне к равномерно ходимой температь СВЧ,ВЧ-генерлощаетсяк до егодиэлектрия до необ изобретения р едмет ции ра- термой каметью заом, наС целью...

Номер патента: 441525

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Крочик, Татаринов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, параметров, полупроводников, электрических

...электромагнитной волны, поляризованной по кругу, без наличия образца в межантейном пространстве выравниваются аттенюаторами, включенными в боковые плечибалайсной схемы фазового дискриминатора. Это открывает возможность к использованию эллиптическиполяризованных волн и не ухудшаетчувствительности устройства к измерению анизотропии. Производяизмерения разности з сигналовдвух антенн без и при наличииобразца, можно с большой точностьюизмерить абсолютную величину анизотропии диэлектрической или магнитной проницаемости образца вданной точке.Это позволяет с помощьв предлагаемого устройства исследовать новые свойства диэлектриков, полупроводников и ферритовв миллйметровом и субмиллиметровомдиапазонах длин волн,На чертеже изображена...

Номер патента: 445925

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Алимин

МПК: G01R 27/26, G01R 31/00

Метки: диэлектриков, листовых, параметров

...- повышение точностиизмерений - достигается тем, что в предлагаемом устройстве на измеряемый образец и на каждую диэлектрическую планаложена электропроводящая пленка.На чертеже показана блок-.схема устройство,Выс игнал от генератораСВЧ 1 с чается рупорной антенной 2 в просто. При этом из проходящей волны мощности отбирается с помощью детектируется и поступает в индикоустройство 3, показания которого циональны отбираемой мощности. Пескрывом антенны установлены плоскоельные диэлектрические пластины 4- верхнюю пл:1 стину клоду 1 измеряеразец 8, а на каждую пластину оп ово я ю пленк 4-8, Модуль коэффициента отражения от системы диэлектрических пластин в процентах определяется по формуле"кй1+ "нинИЙХСДля устранения отражения и...

Номер патента: 445935

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Авдеев, Данилюк, Розенберг

МПК: H01G 13/00

Метки: диэлектриков, оксидных, сопротивления, стабильности

...часов).Цель изобретения ускорение испытания - достигается тем, что после измерения сопротивления образцы подвергают тепловой обработке при пониженном давлен кислороду, после чего вновь измеряют противление.Предлагаемый способ состоит в следующем. Из исследуемых материалов и ливают образцы одинаковых размеро чем поперечные размеры их должны венно превышать ( в ХОраз) то На про л пас псла жнь. с поверхности образцов наносят аквапаговьте электроды и пзме - ряют сопротивление образцов при 50-: 50 в зависимости ст толщины образца и его состава, Затем электроды смывают, и образцы нагревают дс 500-1000 С при давлении по кислороду а"4- . О"мн рт. ст в тече"ие 5-30 мин. После прогрева образец шлифуют на глубину 5-20 мк.: сс стороны. к которой...

Номер патента: 449318

Опубликовано: 05.11.1974

Авторы: Бельская, Ильичев, Яцынина

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, коаксиальный, мост, параметров

...становится возможной настройка дртого резонатора.Кроме того, йри фиксированном неподвижно к основанию плунжере первого резонатора (винт 7 отпущен) становится возможной синхронная настройка обоих резонаторов, происходящая также при перемещейии каретки. При этом плунжеры обоих резонаторов жестко закреплены на станине. УЗ 8ПРЕРИТ ИЗОБРЕТЕНИЯКоаксиальный мост для измерения параметров диэлектриков,содержащий эталонный и измерительный резонаторы с подвижными и короткоза-мыкающими поршнями, о т л и ч а -ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения, резонаторы установлены на общей карет 1 о ке, перемещающейся относительноосйования моста, причем поршень измерительного незонатооа постояннозакреплен на этом основании, а поршень...

Номер патента: 450855

Опубликовано: 25.11.1974

Автор: Решетникова

МПК: C23F 1/04

Метки: диэлектриков, раствор, травления

...к 15 гцдразин, отл ич а ю целью повышения ско ства вытравливаемого поненты взяты в сле весовых частях на одн 20 саторной керамики:ния диэлектрико аторной керам ислоту и солян щийся тем, рости травления контура, цсходндующем соотцо у весовю чзсть в, преиики, соокислый что, с и качеые комшенцц в коцдецраствора в весовых ецсаторцой Концентрированная солянаякислота 100 Солянокислый гидразнц 0,5 Изобретение относится к технологии конденсаторов для электронных СВЧ-приборов, в частности к растворам, применяемым при травлении конденсаторной керамики.Известен водный раствор для травления, содержащий 50 мг/л гидразина (в пересчете ца соляцокислый гидразиц - 104 мг/л) и соляной кислоты до рН раствора в пределах 2,5 - 3,5.Однако известный...

Номер патента: 455409

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Арделян, Архангельский

МПК: H01P 1/26

Метки: диэлектриков, камера, термообработки

...а концами крепится к металлическим трубам, Металлические трубы закрепляются в согласующих элементах 5 волноводно-коаксиальных переходов, в состав которых, кроме того, входят отрезки волноводных линий 6, по которым СВЧ-энергия подается в коакснальную линию. Отрезки волноводных линий жестко соединены с наружным проводнпком коаксиальноп линии. Для удержания вкладыша 3 в рабочей части камеры предназначен стержень 7, который выполнен из непоглощающего диэлектрика и вставляется в отверстие в наружном и внутреннем проводнике коаксиальной линии. Раструб 8 служит для подачи вкладыша в камеру.Если нет необходимости запптывать камеру от двух источников СВЧ-энергии, то: ожно использовать только один источник, который подключается к камере :ерез...

Номер патента: 456050

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Маслеха, Трудовая, Хакуринов, Шабалова

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриков, меднения, раствор, химического

...определенном соотношении компонентов.Указанное отличие обеспечивает повышение стабильности раствора до б месяцев.Меднение осуществляют в растворе, содержащем (,в г/л):Сернокислая медь(тетрагидрат) 30 - 40Едкий натр 8 - 10 Углекислый натрий 2 - 4 а также (в мл/л):Формалин (40%-ный)Стабилизатор (0,1%-ный) Стабилизатор готовят следующим образом:1 г дитизона смешивают с 500 мл этилового спирта, тщательно перемешивают, а затем также прп перемешцванпц доводят до 1 л 5 10%-ным раствором едкого натра порциямцпо 30 - 50 мл. Перемешцванце продолжают до полного растворения дцтцзона.Диэлектрики после сенсцбцлцзаццц ц промывки обрабатывают в указанном растворе 10 при комнатной температуре, рН 12,1 - 12,4 иплотности загрузки не более 2,5 дм/л. В...

Номер патента: 462890

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Гурылев, Савельева, Селиверстов, Сперанский

МПК: C23B 5/62

Метки: диэлектриков, избирательным, меднением, поверхности, подготовки, предварительной, химическим

...в течение 2 мин. Двукратно промывают. Сушат. Одну сторону листа обрабатывают 0,3%-ным раствором перекиси водорода. Сушат. Активируют в 0,01%-ном растворе хлористого палладия, подкисленном соляной кислотой, Промывают. Погружают лист в раствор химического меднения, содержащий 10 г/л сульфата меди (пентагидрат), 50 г/л сегнетовой соли, 15 г/л едкого натра и 15 мл/л формалина (40%-ного), при температуре 25 С и продолжительности выдержки 30 мин. Промывают, Сушат. Гальванически меднят в растворе, содержащем 50 г/л сульфата меди (пентагидрат), 200 г/л пирофосфата калия (тригидрат) и 25 г/л двухзамещенного фосфата калия (моногидрат), при температуре 25 С, катодной плотности тока в первые 10 мин 0,3 а/дм, в последующие 60 мин - 0,5-0,6 а/дм,...

Номер патента: 463749

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Миловидова, Муравьева, Старостин

МПК: C23B 5/64

Метки: диэлектриков, металлизации

...ч.):Галлий 62Олово 12 - 13Индий 25 Серебро 3,иловидова и Е. М. Муравьева Состав втирают в керамику механическиинструментом из нержавеющей стали, затем с помощью ультразвука, Для затвердения нанесенного слоя проводят термообработку при 5 100 С в течение 24 час (в зависимости от назначения пасты).Перед нанесением электролитического ,покрытия диэлектрик обрабатывают в растворе соляной кислоты, разбавленной в отношении 10 1: 1, в течение 3 - 5 сек при 18 - 25 С, затемв растворе азотнокислой ртути из расчета 10 - 12 г/л в течение 3 - 5 сек при 18 - 25 С.Для прочного сцепления основного слоя меди толщиной 200 - 250 мкм на активирован ную поверхность галлиевого сплава наносятсначала слой серебра толщиной до 1 мкм, затем слой меди толщиной 5 -...

Номер патента: 470737

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Вайнберг, Павельев, Стенина, Шуюкова

МПК: G01N 23/24

Метки: диэлектриков, исследования, листовых, параметров

...линейной многоканальной передающей антенны 1, линейной многоканальной приемной антенны 2 и отражателя 3.Устройство работает следующим образом.Электромагнитные СВЧ-колебания из каждого канала передающей антенны 1 поступают на вход соответствующего канала приемной антенны 2 после взаимодействия с контролируемым изделием в виде суммы двух волн: первичной волны прямой связи между антеннами и вторичной волны, связанной с переизлучением отражателя 3. Перемещая отражатель 3 относительно антенны 1 и 2, плавно регулируется амплитуда и фаза вторичной волны. Прп достижении равенства амплитуд первичной и вторичной волн и их противофазности амплитуда СВЧ-колебаний на входе приемной антенны 2 в присутствии однородного листового диэлектрика резко...